Презентация по твердотельной электронике. Тема презентации: Классификация и обозначения полупроводниковых приборов. Выполнили студенты физико- технического.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
ГОСТы и условные графические обозначения. При использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации.
Advertisements

ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов Работу выполнил студент группы Берегов Роман.
ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов. Автор Студент ФТФ группа Ковин А.М.
Классификация и обозначения полупроводниковых приборов Выполнено: Тепликов И. Сенюков Е.
ГОСТы и обозначения ГОСТы и обозначения Авторы. Авторы Работу выполнили студенты ФТФ гр.21306: Сабуров С.Н., Ахала А.О.
Графические обозначения Графические обозначения Графические обозначения Графические обозначения Классификации Классификации Классификации.
Выполнили студентки III курса ФТФ гр Митина А.А. и Москалева В.О. ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов.
Классификация (ГОСТ) и условные обозначения полупроводниковых приборов.
Маркировка зарубежных полупроводниковых компонентов Европейская система PRO-ELECTRON Европейская система PRO-ELECTRON Европейская система PRO-ELECTRON.
ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов. ГОСТы Классификации: Классификации: Российская РоссийскаяРоссийская Американская АмериканскаяАмериканская.
Автор: Старков Д.А., группа 21302, ФТФ. ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. Приборы полупроводниковые.
ГОСТы ииии обозначения Презентацию подготовили: подготовили:подготовили: Ванин Роман Ванин Роман Ремшу Иван Ремшу Иван.
ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов Работу выполнили студенты группы Федотов Роман Филиппов Артём.
ГОСТы и обозначения ГОСТы и обозначения. Работу выполнил Работу выполнил Мищериков М.Г. Мищериков М.Г.
Стандарты для полупроводниковых приборов Выполнили: студенты группы Мысков Владимир Сладковский Евгений Титовский Михаил.
Полупроводниковые приборы. Стремительное развитие и расширение областей применения электронных устройств обусловлено совершенствованием элементной базы,
Классификация приборов в микроэлектронике гр М Дементьев Максим Сергеевич Дементьев Максим Сергеевич.
ТРАНЗИСТОР 1.Биполярный транзистор. 2.Как работает транзистор. 3.Схема, демонстрирующая принцип работы транзистора. 4.Типы, параметры и характеристики.
Презентация по теме: ГОСТы и условные графические обозначения полупроводниковых приборов Выполнил: Студент группы Василевский М.И. Петрозаводск,
Радиоматериалы и радиокомпоненты [Радиоматериалы и радиокомпоненты] [ «Бытовая радиоэлектронная аппаратура» «Средства радиоэлектронной.
Транксрипт:

Презентация по твердотельной электронике. Тема презентации: Классификация и обозначения полупроводниковых приборов. Выполнили студенты физико- технического факультета группы: Мельников Г.В. Кркалевский А.О.

При использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации параметров используются системы условных обозначений. Эта система классифицирует полупроводниковые приборы по их назначению, основным физическим и электрическим параметрам, конструктивно-технологическим свойствам, виду полупроводниковых материалов.

Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов. В основу системы обозначения положен буквенно-цифровой код. Первый элемент. Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор.

Второй элемент. Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия.

Третий элемент. Третий элемент (цифра) в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора.

Четвертый элемент. Четвертый элемент (2 либо 3 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 999. Пятый элемент. Пятый элемент (буква) в буквенно- цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов Наиболее распространенной является система обозначений JEDEC, принятая объединенным техническим советом по электронным приборам США. По этой системе приборы обозначаются индексом (кодом, маркировкой), в котором первая цифра соответствует числу p-n переходов: 1 – диод, 2 – транзистор, 3 – тетрод (тиристор). За цифрой следует буква N и серийный номер, который регистрируется ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA). За номером могут стоять одна или несколько букв, указывающих на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным параметрам или характеристикам. Однако цифры серийного номера не определяют тип исходного материала, частотный диапазон, мощность рассеяния или область применения. В Европе используется система, по которой обозначения полупроводниковым приборам присваиваются организацией Association International Pro Electron. По этой системе приборы для бытовой аппаратуры широкого применения обозначаются двумя буквами и тремя цифрами. Так, у приборов широкого применения после двух букв стоит трехзначный порядковый номер от 100 до 999. У приборов, применяемых в промышленной и специальной аппаратуре, третий знак – буква (буквы используются в обратном алфавитном порядке: Z, Y, X и т.д.), за которой следует порядковый номер от 10 до 99.

Система Pro Electron. Первый элемент. Первый элемент (буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Используются 4 латинские буквы A, B, C и D, в соответствии с видом полупроводника или полупроводникового соединения. Второй элемент. Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Третий элемент. Третий элемент (цифра или буква) обозначает в буквенно-цифровом коде полупроводниковые приборы, предназначенные для аппаратуры общегражданского применения (цифра) или для аппаратуры специального применения (буква). В качестве буквы в последнем случае используются заглавные латинские буквы, расходуемые в обратном порядке Z, Y, X и т.п. Четвертый элемент. Четвертый элемент (2 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 99.

Система JIS-C Первый элемент. Первый элемент (цифра) обозначает тип полупроводникового прибора. Используются 3 цифры (0, 1, 2 и 3) в соответствии с типом прибора. Второй элемент. Второй элемент обозначается буквой S и указывает на то, что данный прибор является полупроводниковым. Третий элемент. Третий элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Четвертый элемент. Четвертый элемент обозначает регистрационный номер технологической разработки и начинается с числа 11. Пятый элемент. Пятый элемент отражает модификацию разработки (А и В – первая и вторая модификация).

Система JEDEC. Первый элемент. Первый элемент (цифра) обозначает число p-n переходов. Используются 4 цифры (1, 2, 3 и 4) в соответствии с типом прибора: 1 – диод, 2 – транзистор, 3 – тиристор, 4 – оптопара. Второй элемент. Второй элемент состоит из буквы N и серийного номера, который регистрируется ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA). Цифры серийного номера не определяют тип исходного материала, частотный диапазон, мощность рассеяния и область применения. Третий элемент. Третий элемент – одна или несколько букв, указывают на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным характеристикам.

Графические обозначения и стандарты. В технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые».

Условные обозначения электрических параметров и сравнительные справочные данные полупроводниковых приборов. Для полупроводниковых приборов определены и стандартизованы значения основных электрических параметров и предельные эксплутационные характеристики, которые приводятся в справочниках. К таким параметрам относятся: напряжение (например, Uпр – постоянное прямое напряжение диода), ток (например, Iст, max – максимально допустимый ток в стабилизации стабилитрона), мощность (например, Pвых – выходная мощность биполярного транзистора), сопротивление (например, rдиф –дифференциальное сопротивление диода), емкость (например, Cк – емкость коллекторного перехода), время и частота (например, tвос, обр – время обратного восстановления тиристора, диода), температура (например, Tmax – максимальная температура окружающей среды).

Биполярные транзисторы. В качестве примера приведены данные для типичных представителей различных типов отечественных приборов и их зарубежных аналогов в соответствии со стандартами:

Диоды.

Спасибо за просмотр.