полупроводниковые диоды1 Полупроводниковые диоды Выполнил: Евгений Трошин Группа:21303

полупроводниковые диоды2 Диод А К

полупроводниковые диоды3 Классификация полупроводниковых диодов Понятие "П. д." объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение. Система классификации П. д. соответствует общей системе классификации полупроводниковых приборов.

полупроводниковые диоды4 Классификация по материалу п/п диоды бывают из: Германия и его соединений Соединений индия Соединений галлия Кремния и его соединений

полупроводниковые диоды5 Группы полупроводниковых диодов Диоды выпрямительные Диоды импульсные Варикапы Диоды высокочастотные Туннельные диоды Стабилитроны Диодные тиристоры Генераторы шума Оптопары Излучающие оптоэлектронные приборы

полупроводниковые диоды6 Диоды выпрямительные Двухполюсное устройство отличающееся ярко выраженной нелинейной ВАХ предназначенное для выпрямления переменного тока

полупроводниковые диоды7 P-n-переход В прямом смещении ток диода инжекционный J=J pD +J nD J VGVG В обратном смещении ток диода Дрейфовый J=J pD +J nD

полупроводниковые диоды8 Производство диодов Сплавной метод Метод мезоструктур Планарный метод

полупроводниковые диоды9 Сплавной метод

полупроводниковые диоды10 Метод мезоструктур

полупроводниковые диоды11 Планарная технология Преимущества данной технологии: Позволяет добиться большой степени микроминиатюризации

полупроводниковые диоды12 Характеристики диодов Коэффициент выпрямления идеального диода Характеристическое сопротивление Дифференциальное сопротивление Сопротивление по постоянному току

полупроводниковые диоды13 Эквивалентная схема диода

полупроводниковые диоды14 Применение диодов Выпрямление переменного тока Детектирование НЧ Выпрямление высоковольтных сигналов

полупроводниковые диоды15 Диоды импульсные Импульсный диод разновидность полупрводниковых диодов, предназначенных для работы в быстродействующих импульсных схемах. И.Д. отличаются малой барьерной емкостью и малым временем восстановления обратного сопротивления.

полупроводниковые диоды16 Диоды импульсные

полупроводниковые диоды17 Диоды высокочастотные Для улучшения частотных свойств стремятся уменьшить ёмкость р-n перехода (до величины менее 1пФ), уменьшая его площадь

полупроводниковые диоды18 Варикапы полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости барьерной ёмкости p-n перехода от обратного напряжения.

полупроводниковые диоды19 Зависимость емкости от напряжения

полупроводниковые диоды20 Туннельные диоды диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольтамперных характеристиках при прямом напряжении участка отрицательной дифференциальной проводимости

полупроводниковые диоды21 Достоинства туннельных диодов - быстродействие (время перехода 10-16…10-14 с, так как нет накопления зарядов); ограничено паразитными параметрами; - высокая граничная частота (сотни тысяч МГц); - рабочие температуры ° С; - малочувствительны к ионизирующему излучению; - очень высокий коэффициент усиления; - малый уровень шума;

полупроводниковые диоды22 Эквивалентная схема туннельного диода