Репрограммируемое постоянное запоминающее устройство

Разновидности РПЗУ EPROM (англ. erasable programmable read-only memory, перепрограммируемое ПЗУ, стирание выполняется с помощью облучения кристалла ультрафиолетовыми лучами). EEPROM (англ. electrically erasable programmable read-only memory, электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ). Память такого типа может стираться и заполняться данными несколько десятков тысяч раз. Используется в твердотельных накопителях. Одной из разновидностей EEPROM является флеш-память (англ. flash memory).

Элемент памяти РПЗУ а) со структурой МНОП б) передаточная характеристика МНОП-транзистора

Металл - диэлектрик - полупроводник

Разновидности МДП-транзисторов С индуцированным каналом: проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока отсутствует и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определённой полярности и при определённом значении напряжения на затворе относительно истока, которое называют пороговым напряжением. Со встроенным каналом: у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует инверсный слой канал, который соединяет исток со стоком.

Устройство МДП-транзисторов Индуцированный каналВстроенный канал

Микросхемы Микросхема EPROM Intel 1702 с ультрафиолетовым стиранием. Микросхема ПЗУ AMD AM2716 выпущенная в 1979 году.