Стандарты для полупроводниковых приборов Выполнили: студенты группы Мысков Владимир Сладковский Евгений Титовский Михаил

Классификация современных полупроводниковых приборов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с возникновением новых классификационных групп приборов совершенствуется и система их условных обозначений, которая на протяжении последних 20 лет трижды претерпевала изменения.

Диоды Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код. Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор. Для обозначения исходного материала используются следующие символы: Г и 1 - для германия и его соединений; К и 2 - для кремния и его соединений; А или 3 - для соединений галлия (например, для арсенида галлия); И или 4 - для соединений индия (например, для фосфида индия). Диод выпрямительный Диод туннельный Диод Обращенный

Второй элемент обозначения - буква, определяющая подкласс (или группу) приборов. Для обозначения подклассов приборов используется одна из следующих букв: Д - диодов выпрямительных и импульсных; Ц - выпрямительных столбов и блоков; В – варикапов; И - туннельных диодов; А - сверхвысокочастотных диодов С - стабилитронов Г - генераторов шума Л - изучающих оптоэлектронных приборов О - оптопар Н - диодных тиристоров У - триодных тиристоров Третий элемент обозначения - цифра, определяющая основные функциональные возможности прибора. Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков приборов (их функциональных возможностей) используются следующие цифры применительно к различным подклассам приборов Варикапная сборка Светодиод Фотодиод

Диоды (подкласс Д) 1 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0.3 А 2 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока более 0.3А, но не свыше 10А 4 - для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500нс 5 - для импульсных диодов с временем восстановления более 150нс, но не более 500нс 7 - для импульсных диодов с временем восстановления 5..30нс 8 - для импульсных диодов с временем восстановления 1..5нс 9 - для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1нс

Варикапы (подкласс В) 1 - для подстроечных варикапов 2 - для умножительных варикапов Туннельных диоды (подкласс И) 1 - для усилительных туннельных диодов 2 - для генераторных туннельных диодов 3 - для переключательных туннельных диодов 4 - для обращенных диодов Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А) 1 - для смесительных диодов 2 - для детекторных диодов 3 - для усилительных диодов 4 - для параметрических диодов 5 - для переключательных и ограничительных диодов 6 - для умножительных и настроечных диодов 7 - для генераторных диодов 8 - для импульсных диодов Тиристор триодный, запир. в обр. напр. с упр. по аноду Тиристор триодный, запир. в обр. напр. с упр. по катоду Тринистор триодный, запир. в обр. напр.,выкл с упр. по аноду

Стабилитроны (подкласс С) 1 - для стабилитронов мощностью не более 0.3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10В 2 - для стабилитронов мощностью не более 0.3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее В 3 - для стабилитронов мощностью не более 0.3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100В 4 - для стабилитронов мощностью Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10В 5 - для стабилитронов мощностью Вт с номинальным напряжением стабилизации менее В 6 - для стабилитронов мощностью Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100В 7 - для стабилитронов мощностью Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10В 8 - для стабилитронов мощностью 5..10Вт с номинальным напряжением стабилизации менее В 9 - для стабилитронов мощностью 5..10Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100В Стабилитрон; стабистор Стабилитрон с двусторонней проводимостью Варактор

Диодные тиристоры (подкласс Н) 1 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0.3А 2 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0.3А, но не свыше 10А Триодные тиристоры (подкласс У) Незапираемые тиристоры: 1 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0.3А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15А 2 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии а или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии А 7 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100А Тринистор триодн., запир. в обр. напр.,выкл с упр. по катоду Тиристор диодный симетричный Двухполярный/двухцветный диод

Запираемые тиристоры: 3 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии А 8 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100А Симметричные тиристоры: 5 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 0.3А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открыто состоянии не более 15А 6 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии А 9 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100А

Четвёртый элемент - число обозначающее порядковый номер разработки технологического типа Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трехзначное число от 101 до 999 Пятый элемент- буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии. В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э) В качестве дополнительных обозначения используют следующие символы цифры 1-9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров букву С для обозначения сборок - наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами цифры, написанных через дефис для обозначений следующих модификаций конструирования исполнения бескорпусных приборов

Примеры обозначений приборов: 2Д921А - кремниевый импульсный диод с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1нс, номер разработки 21, группа А 3И203Г - арсенидогаллиевый туннельный генераторный диод, номер разработки 3, группа Г АД103Б - арсенидогаллиевый излучающий диод инфракрасного диапазона, номер разработки 3, группа Б. Оптопара диодная Тиристор диодный симетричный Тиристор диодный,запираемый в обратном напрвлении

Транзисторы Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит свое отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с появлением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ и базируется на ряде классификационных признаков. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код. Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор. Для обозначения исходного материала используются следующие символы: Г и 1 - для германия и его соединений; К и 2 - для кремния и его соединений; А или 3 - для соединений галлия (например, для арсенида галлия); И или 4 - для соединений индия (например, для фосфида индия).

Второй элемент обозначения - буква, определяющая подкласс (или группу) транзисторов. Для обозначения подклассов используется одна из двух букв; Т - для биполярных и П - для полевых транзисторов. Третий элемент - цифра, определяющая основные функциональные возможности транзисторов (допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную рабочую частоту) Для обозначения характерных эксплуатационных признаков транзисторов применяются следующие цифры Для транзисторов малой мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, не более 0.3Вт) 1 - с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее граничной частотой) не более 3МГц. 2 - с граничной частотой более 3, но не более 30МГц, 3 - с граничной частотой болеее 30МГц Транзистор безкорпусной структуры n-p-n Транзистор безкорпусной структуры n-p-n с несколькими эмитерами Транзистор n-p-n в корпусе

Для транзисторов средней мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, более 0.3, но не более 1.5Вт) 4 - с граничной частотой не более 3МГц 5 - с граничной частотой более 3, но не более 30МГц 6 - с граничной частотой более 30МГц Для транзисторов большой мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, более 1.5Вт) 7 - с граничной частотой не более 3МГц 8 - с граничной частотой более 3, но не более 30МГц 9 - с граничной частотой более 30 МГц Четвёртый элемент - число обозначающее порядковый номер разработки технологического типа. Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трехзначное число от 101 до 999. р-канальный однопереходный транзистор Транзистор n- p-n база соединена с корпусом Транзистор n-p-n коллектор соединен с корпусом

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии. В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э) В качестве дополнительных обозначения используют следующие символы цифры 1-9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров. Букву С для обозначения сборок - наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами. Цифры, написанных через дефис для обозначений следующих модификаций конструирования исполнения бескорпусных приборов. Транзистор n-p-n с отдельным выводом от корпуса Транзистор лавинный структуры n-p-n n-канальный однопереходный транзистор

Примеры обозначения некоторых транзисторов: КТ604А - кремниевый биполярный, средней мощности, низкочастотный, номер разработки 04, группа А 2Т920 - кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А 2ПС202А-2 - набор маломощных кремниевых полевых транзисторов средней частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе. Полевой транз. с управл. p-n переходом и n-каналом Полевой транз. с управл. p-n переходом и р- каналом Транзистор полевой структ. МОП с р- канал. работающ. в реж. обеднения Транзистор полевой структ. МОП с n-канал. работающ. в реж. обогощения Транзистор полевой структ. МОП с р-канал. работающ. в реж. обеднения Транзистор полевой структ. МОП с n-канал. работающ. в реж. обеднения

Основные ГОСТы: ГОСТ Приборы полупроводниковые. Термины и определения ОСТ , Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений. ГОСТ 2, Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые ГОСТ Приборы полупроводниковые. Основные размеры ГОСТ Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. ГОСТ Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. ГОСТ Приборы полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры. ГОСТ Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.