ГОСТы и обозначения ГОСТы и обозначения

Работу выполнил Работу выполнил Мищериков М.Г. Мищериков М.Г.

ГОСТЫ Графические обозначения Графические обозначения Графические обозначения Графические обозначенияКлассификации: Российская РоссийскаяРоссийская Зарубежная ЗарубежнаяЗарубежная

Историческая справка Для унификации обозначений и стандартизации параметров полупроводниковых приборов используется система условных обозначений. Эта система классифицирует полупроводниковые приборы по их назначению, основным физическим и электрическим параметрам, конструктивно технологическим свойствам, виду полупроводниковых материалов. Система условных обозначений отечественных полупроводниковых приборов базируется на государственных и отраслевых стандартах. Первый ГОСТ на систему обозначений полупроводниковых приборов ГОСТ был введен в 1964 году. Затем по мере возникновения новых классификационных групп приборов был изменен на ГОСТ , а затем на отраслевой стандарт ОСТ и ОСТ При этой модификации основные элементы буквенно-цифрового кода системы условных обозначений сохранились. Данная система обозначений логически выстроена и позволяет дополнять себя по мере дальнейшего развития элементной базы. Для унификации обозначений и стандартизации параметров полупроводниковых приборов используется система условных обозначений. Эта система классифицирует полупроводниковые приборы по их назначению, основным физическим и электрическим параметрам, конструктивно технологическим свойствам, виду полупроводниковых материалов. Система условных обозначений отечественных полупроводниковых приборов базируется на государственных и отраслевых стандартах. Первый ГОСТ на систему обозначений полупроводниковых приборов ГОСТ был введен в 1964 году. Затем по мере возникновения новых классификационных групп приборов был изменен на ГОСТ , а затем на отраслевой стандарт ОСТ и ОСТ При этой модификации основные элементы буквенно-цифрового кода системы условных обозначений сохранились. Данная система обозначений логически выстроена и позволяет дополнять себя по мере дальнейшего развития элементной базы.

Историческая справка Основные термины, определения и буквенные обозначения основных и справочных параметров полупроводниковых приборов приведены в ГОСТах: Основные термины, определения и буквенные обозначения основных и справочных параметров полупроводниковых приборов приведены в ГОСТах: – Диоды полупроводниковые – Диоды полупроводниковые – Транзисторы полевые – Транзисторы полевые – Транзисторы биполярные – Транзисторы биполярные – Тиристоры – Тиристоры.

Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов Систему обозначений полупроводниковых приборов по ОСТ «Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений», которая состоит из 5 элементов. В основу системы обозначения положен буквенно-цифровой код. Систему обозначений полупроводниковых приборов по ОСТ «Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений», которая состоит из 5 элементов. В основу системы обозначения положен буквенно-цифровой код. Первый элемент. Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупроводникового материала. Первый элемент. Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупроводникового материала. Для приборов специального применения (более высокие требования при испытаниях, например выше температура,) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4. Для приборов специального применения (более высокие требования при испытаниях, например выше температура,) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4.

Первый элемент Исходный материал Германий или его соединения Германий или его соединения Кремний или его соединения Кремний или его соединения Соединения галлия (например арсенид галлия) Соединения галлия (например арсенид галлия) Соединения индия (например фосфид индия) Соединения индия (например фосфид индия) Условные обозначения Г или 1 Г или 1 К или 2 К или 2 А или 3 А или 3 И или 4 И или 4

Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов Второй элемент. Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия Второй элемент. Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия

Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов

Третий элемент в обозначении диодов, транзисторов и тиристоров определяет назначение прибора и обозначается цифрой. Третий элемент в обозначении диодов, транзисторов и тиристоров определяет назначение прибора и обозначается цифрой.

Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов

Четвертый элемент. Четвертый элемент – две либо три цифры, означает порядковый номер технологической разработки, и изменяется от 01 до 999. Четвертый элемент. Четвертый элемент – две либо три цифры, означает порядковый номер технологической разработки, и изменяется от 01 до 999. Пятый элемент. Пятый элемент – буква, в буквенно- цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами. Пятый элемент. Пятый элемент – буква, в буквенно- цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

Примеры обозначения полупроводниковых приборов 2Д204В – кремниевый выпрямительный диод с постоянным и средним значением тока 0,3…10 А, номер разработки 04, группа В. 2Д204В – кремниевый выпрямительный диод с постоянным и средним значением тока 0,3…10 А, номер разработки 04, группа В. КС620А – кремниевый стабилитрон мощностью 0,5…5 Вт, с номинальным напряжением стабилизации более 100 В, номер разработки20, группа А. Приборы, разработанные в период с 1964 до 1973 г. имеют сходную маркировку. Приборы, разработанные до 1964 г., имеют маркировку, состоящую из двух или трех элементов. Приборы, разработанные до 1964 г., имеют маркировку, состоящую из двух или трех элементов. Первый элемент: Д диоды, П плоскостные транзисторы, С точечные транзисторы. Первый элемент: Д диоды, П плоскостные транзисторы, С точечные транзисторы.

Примеры обозначения полупроводниковых приборов КТ937А – кремниевый биполярный транзистор, большой мощности, высокочастотной (с граничной частотой более 30 МГц), номер разработки 37, группа А. КТ937А – кремниевый биполярный транзистор, большой мощности, высокочастотной (с граничной частотой более 30 МГц), номер разработки 37, группа А. КП310А – кремниевый транзистор малой мощности, с граничной частотой более 30 МГц, номер разработки 10, группа А. КП310А – кремниевый транзистор малой мощности, с граничной частотой более 30 МГц, номер разработки 10, группа А.

Графические обозначения Транзисторы Транзисторы Транзисторы Тиристоры Тиристоры Тиристоры Диоды Диоды Диоды Оптоприборы Оптоприборы Оптоприборы

Биполярные транзисторы. Структура активной области может быть как "pnp", так и "npn". Структура активной области может быть как "pnp", так и "npn". Возможные применения: это универсальные усилительные приборы, предназначенные для применения в схемах усиления, генерации и преобразования сигналов. Возможные применения: это универсальные усилительные приборы, предназначенные для применения в схемах усиления, генерации и преобразования сигналов. В обозначении марки транзистора третий элемент (цифра) характеризует подклассы приборов по значениям рассеиваемой ими мощности и предельной частоты. В обозначении марки транзистора третий элемент (цифра) характеризует подклассы приборов по значениям рассеиваемой ими мощности и предельной частоты.

Транзисторы

Полевые транзисторы. Полевые транзисторы можно разделить на две большие группы: полевые транзисторы с управляющим pn - переходом и полевые транзисторы со структурой металл- диэлектрик полупроводник (МДП). Поскольку в качестве диэлектрика часто используется окисел кремния, поэтому транзисторы этого типа называют еще МОП - транзисторами (по первым буквам сочетания слов: металл - окисел - полупроводник). Для обозначения подкласса полевых транзисторов используется буква П. Поскольку эти транзисторы выполняют те же функции, что и биполярные, для них в классификационном обозначении используется тот же элемент, что и для биполярных транзисторов. Так например, полевые транзисторы могут имеет следующие марки*: КП101, КП201, КП301, КП901 и т.п. Полевые транзисторы можно разделить на две большие группы: полевые транзисторы с управляющим pn - переходом и полевые транзисторы со структурой металл- диэлектрик полупроводник (МДП). Поскольку в качестве диэлектрика часто используется окисел кремния, поэтому транзисторы этого типа называют еще МОП - транзисторами (по первым буквам сочетания слов: металл - окисел - полупроводник). Для обозначения подкласса полевых транзисторов используется буква П. Поскольку эти транзисторы выполняют те же функции, что и биполярные, для них в классификационном обозначении используется тот же элемент, что и для биполярных транзисторов. Так например, полевые транзисторы могут имеет следующие марки*: КП101, КП201, КП301, КП901 и т.п.

Транзисторы

Тиристоры. Структура активной области: "pnpn". Структура активной области: "pnpn". Это - активный прибор, предназначенный для работы в качестве быстродействующего электронного ключа. В выключенном состоянии (off) тиристор обладает большим сопротивлением и ток через него чрезвычайно мал, во включенном состоянии сопротивление тиристора мало и проходящий через него ток может быть большим. Это - активный прибор, предназначенный для работы в качестве быстродействующего электронного ключа. В выключенном состоянии (off) тиристор обладает большим сопротивлением и ток через него чрезвычайно мал, во включенном состоянии сопротивление тиристора мало и проходящий через него ток может быть большим. Тиристоры могут быть диодные (два электрода) и триодные (три электрода). Они могут иметь симметричную и несимметричную характеристику. Триодные тиристоры могут быть запираемые и незапираемые. Тиристоры могут быть диодные (два электрода) и триодные (три электрода). Они могут иметь симметричную и несимметричную характеристику. Триодные тиристоры могут быть запираемые и незапираемые. В обозначении марки тиристора вторым элементом является буква, для диодных тиристоров - Н, для триодных У, третий элемент, как и у транзисторов - цифра, которая характеризует подклассы приборов по значениям рассеиваемой ими мощности и возможности запирания. В обозначении марки тиристора вторым элементом является буква, для диодных тиристоров - Н, для триодных У, третий элемент, как и у транзисторов - цифра, которая характеризует подклассы приборов по значениям рассеиваемой ими мощности и возможности запирания.

Графические обозначения тиристоров: 1 - тиристор диодный (динистор), 2 - тиристор незапираемый триодный с управлением по аноду, 3 - тиристор незапираемый триодный с управлением по катоду, 4 - тиристор запираемый с управлением по аноду, 5 - тиристор запираемый с управлением по катоду. 1 - тиристор диодный (динистор), 2 - тиристор незапираемый триодный с управлением по аноду, 3 - тиристор незапираемый триодный с управлением по катоду, 4 - тиристор запираемый с управлением по аноду, 5 - тиристор запираемый с управлением по катоду. Примеры маркировки тиристоров: 2Н102 - маломощные незапираемые тиристоры, 2У208 - незапираемые триодные тиристоры средней мощности. Примеры маркировки тиристоров: 2Н102 - маломощные незапираемые тиристоры, 2У208 - незапираемые триодные тиристоры средней мощности.

Графические обозначения тиристоров:

Диоды Структура активной области: "pn". Структура активной области: "pn". Возможные применения: выпрямление переменного тока, преобразование и генерация сигналов. Основные разновидности диодов приведены в таблице : Возможные применения: выпрямление переменного тока, преобразование и генерация сигналов. Основные разновидности диодов приведены в таблице : По более ранней системе обозначений плоскостные германиевые диоды обозначаются Д7. По более ранней системе обозначений плоскостные германиевые диоды обозначаются Д7.

Диоды

Оптоприборы

Зарубежная классификация М АРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ И ДИОДОВ - Е ВРОПЕЙСКАЯ СИСТЕМА PRO-ELECTRON М АРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ И ДИОДОВ - Е ВРОПЕЙСКАЯ СИСТЕМА PRO-ELECTRON А МЕРИКАНСКАЯ СИСТЕМА JEDEC ОБОЗНАЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Я ПОНСКАЯ СИСТЕМА JIS ОБОЗНАЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

PRO-ELECTRON Код маркировки представляет собой буквенно-цифровую запись. Первая буква в этом коде указывает на материал на основе которого сделан полупроводник: кремний, германий и т.п. Наиболее распространен материал - кремний, с обозначением буквой "B". Затем идет буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, т.е. туннельный диод или генератор Холла. Далее ставится серийный номер продукта. У серийного номера есть несколько диапазонов, так например если номер вкладывается в значения , то это приборы общего назначения, если номер состоит из буквы и цифры Z10..A99, то это приборы промышленного и специального применения. Иногда к общей маркировке может еще добавляться дополнительная буква модификации прибора, она уже определяется конкретно производителем полупроводника. В таблице ниже приведены общие значения сегментов маркировки. Так например по таблице можно определить что за полупроводник обладает кодом BL153, первая буква B указывает на то, что прибор сделан из кремния, вторая буква L говорит нам, что этот прибор - мощный высокочастотный транзистор, далее идет серийный номер, который укладывается в диапазон приборов общего применения. Код маркировки представляет собой буквенно-цифровую запись. Первая буква в этом коде указывает на материал на основе которого сделан полупроводник: кремний, германий и т.п. Наиболее распространен материал - кремний, с обозначением буквой "B". Затем идет буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, т.е. туннельный диод или генератор Холла. Далее ставится серийный номер продукта. У серийного номера есть несколько диапазонов, так например если номер вкладывается в значения , то это приборы общего назначения, если номер состоит из буквы и цифры Z10..A99, то это приборы промышленного и специального применения. Иногда к общей маркировке может еще добавляться дополнительная буква модификации прибора, она уже определяется конкретно производителем полупроводника. В таблице ниже приведены общие значения сегментов маркировки. Так например по таблице можно определить что за полупроводник обладает кодом BL153, первая буква B указывает на то, что прибор сделан из кремния, вторая буква L говорит нам, что этот прибор - мощный высокочастотный транзистор, далее идет серийный номер, который укладывается в диапазон приборов общего применения.

европейской система PRO-ELECTRON

Цветовая маркировка диодов по европейской системе

Американская система JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) Система обозначений JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), принята объединенным техническим советом по электронным приборам США. По этой системе приборы обозначаются индексом (кодом, маркировкой). Система обозначений JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), принята объединенным техническим советом по электронным приборам США. По этой системе приборы обозначаются индексом (кодом, маркировкой). Фирма-изготовитель, приборы которой по своим параметрам подобны приборам, зарегистрированным EIA, может представлять свои приборы с обозначением, принятым по системе JEDEC. Фирма-изготовитель, приборы которой по своим параметрам подобны приборам, зарегистрированным EIA, может представлять свои приборы с обозначением, принятым по системе JEDEC. Пример: 2N2221A, 2N904. Пример: 2N2221A, 2N904.

Цветовая маркировка полупpоводниковых диодов по системе JEDEC пеpвая цифpа 1 и вторая буква N в цветовой маpкиpовке опущены; пеpвая цифpа 1 и вторая буква N в цветовой маpкиpовке опущены; номера из двух цифр обозначаются одной черной полосой и двумя цветными; номера из двух цифр обозначаются одной черной полосой и двумя цветными; дополнительная четвертая полоса - буква; дополнительная четвертая полоса - буква; номера из трех цифр обозначаются тремя цветными полосами; номера из трех цифр обозначаются тремя цветными полосами; дополнительная четвертая полоса - буква; дополнительная четвертая полоса - буква; номера из четырех цифр обозначаются четырьмя цветными полосами и пятой черной или цветной, обозначающей букву; номера из четырех цифр обозначаются четырьмя цветными полосами и пятой черной или цветной, обозначающей букву; цветные полосы находятся ближе к катоду или пеpвая от катода - широкая; цветные полосы находятся ближе к катоду или пеpвая от катода - широкая; тип диода читается от катода. тип диода читается от катода.

Японская система JIS (Japanese Industrial Standard) По существующей в настоящее время в Японии системе стандартных обозначений (стандарт JIS-C-7012, принятый ассоциацией EIAJ-Electronic Industries Association of Japan) можно определить класс прибора, его назначение, тип проводимости. Вид полупроводникового материала в этой системе не отражается. Условное обозначение состоит из пяти элементов: По существующей в настоящее время в Японии системе стандартных обозначений (стандарт JIS-C-7012, принятый ассоциацией EIAJ-Electronic Industries Association of Japan) можно определить класс прибора, его назначение, тип проводимости. Вид полупроводникового материала в этой системе не отражается. Условное обозначение состоит из пяти элементов:

JIS

JIS В японской системе как и в европейской все довольно просто. Первая цифра указывает на тип прибора по функциональности, т.е. 0 - фотодиод или 3 - тиристор. Буква S ставится на всех полупроводниках, скорее для обозначения типа элемента, следующая буква указывает на тип прибора по исполнению, т.е. А - высокочастотный PNP транзистор и т.д. далее идет серийный номер элемента ( ) и модификация прибора. Например 1SQ255, цифра 1 указывает нам на диод, S опускаем, т.к. мы уже знаем, что это полупроводник, Q - дополняет, что это светоизлучающий диод (светодиод), ну и его серийный номер 255 В японской системе как и в европейской все довольно просто. Первая цифра указывает на тип прибора по функциональности, т.е. 0 - фотодиод или 3 - тиристор. Буква S ставится на всех полупроводниках, скорее для обозначения типа элемента, следующая буква указывает на тип прибора по исполнению, т.е. А - высокочастотный PNP транзистор и т.д. далее идет серийный номер элемента ( ) и модификация прибора. Например 1SQ255, цифра 1 указывает нам на диод, S опускаем, т.к. мы уже знаем, что это полупроводник, Q - дополняет, что это светоизлучающий диод (светодиод), ну и его серийный номер 255