КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО АМОРФНОГО КРЕМНИЯ С ПРИМЕНЕНИЕМ ФЕМТОСЕКУНДНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИМПУЛЬСОВ Володин В.А. Качко А.С. ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО РАН НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кремний-2010, 6-9 июля Нижний Новгород

Интерес Технологии LTPS Производство TFT матриц Подвижность электронов: poly-Si ~200 см 2 /В*сек, a-Si ~0.5 см 2 /В*сек T < 400°C Снижение энергопотребления и уменьшение габаритов при использовании LTPS технологий

Интерес PV. Солнечные батареи Управляющие транзисторы для жидкокристаллических дисплеев Развитие рынка возобновляемых источников энергии к 2013 году Развитие рынка Green IT к 2015 году

Эксперимент ПХО осаждение пленок a-Si:H на стекло из SiH4 T=250 ºC, Corning 7059, d= нм, H: 20 ат. % T=200 ºC, предметное стекло, d= нм, H: ат. % a-Si:Hpoly-Si 20 мкм

Лазерные обработки Изображение в оптический микроскоп кристаллизованных сканирующими обработками с шагом 50 микрометров областей и исходных областей плёнки первого типа (толщина 90 нм). Лазерная кристаллизация в poly-Si Сканирующие лазерные обработки перекрытие % Ti-Sapphire, λ=800 нм, t < 30 Ti-Sapphire

Спектры КРС плёнки первого типа (толщина 100 нм) – исходной и после фемтосекундных лазерных импульсных обработок, 2 и 8 импульсов, плотность энергии в импульсе 65 мДж на квадратный сантиметр. Лазерные обработки

Измерения КРС спектрометр T64000 HORIBA Jobin Yvon. Возбуждающий лазер: Ar +, λ=514.5 нм, J = 2-3 мВт

Спектры КРС плёнки первого типа (толщина 90 нм) – исходной и после фемтосекундных сканирующих лазерных обработок. Результаты. Пленки 1 типа.

Спектры КРС плёнки второго типа (толщина 128 нм) после фемтосекундных сканирующих лазерных обработок. Результаты. Пленки 2го типа.

Пленки 2го типа Пленка а-Si:H до обработки. Содержание водорода ~ 30 % Пленка а-Si:H после обработки фемтосекундными импульсами 20 мкм Изображение в оптический микроскоп кристаллизованных сканирующими обработками областей плёнки второго типа (толщина 128 нм).

Заключение Фемтосекундные лазерные обработки были успешно применены для кристаллизации аморфных гидрогенизированных плёнок кремния. Установлены режимы полной кристаллизации плёнок на стекле с толщинами до 100 нм, содержащих до 20 атомарных процентов водорода. При большем содержании водорода процесс кристаллизации неоднороден, наблюдается лазерная абляция некоторых областей плёнок. Развитый подход может быть использован для создания полупроводниковых поликристаллических плёнок на нетугоплавких подложках. Фемтосекундные лазерные обработки были успешно применены для кристаллизации аморфных гидрогенизированных плёнок кремния. Установлены режимы полной кристаллизации плёнок на стекле с толщинами до 100 нм, содержащих до 20 атомарных процентов водорода. При большем содержании водорода процесс кристаллизации неоднороден, наблюдается лазерная абляция некоторых областей плёнок. Развитый подход может быть использован для создания полупроводниковых поликристаллических плёнок на нетугоплавких подложках.

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. ИФП СО РАН Спасибо за внимание!

ВРЭМ poly-Si Электронно-микроскопическое изображение плёнки кремния первого типа, кристаллизованной фемтосекундными лазерными импульсами. Слева – область сканированная лазером; справа – область за фронтом кристаллизации.

КРС. КРС на кремнии hωshωs E ph, k ph hω0hω0 k0k0 ksks Стоксов процесс: hω s = hω 0 -E ph Частота Плотность состояний TO LO LA TA