Экситоны и трионы в прямозонных полупроводниках
Электрон-электронное взаимодействие рассматривается в следующем приближении: Учет только кулоновской части электрон-электронного взаимодействия Электрон в CB + электроны в VB = Электрон в CB+ дырка в VB Метод эффективной массы для экситонов Ванье
Экситоны Ванье-Мотта и экситоны Френкеля
Сравнение одноэлектронной и двухчастичной схемы
Изменение топологии изоэнергетических поверхностей вблизи конической точки. Сингулярности Ван Хова. Критические точки.
Экситонные эффекты в критических точках M 0
Поглощение света. Экситонные поляритоны.
Экситонные поправки к коэффициенту поглощения в точках M 0
Экситонные эффекты в критических точках M 3 Мнимая часть диэлектрической проницаемости вблизи критической точки (E = E 3 ).
Фотолюминесценция экситоных поляритонов (в сверхчистых образцах при низких температурах) Расчет населенности нижней поляритонной ветви (а) и спектры ФЛ, рассчитанные с двумя различными ДГУ (б).
Фотолюминесценция экситонов в объемных полупроводниках и в гетероструктурах с квантовыми ямами
Фотолюминесценция заряженных экситонов (трионов)
Излучательное время жизни экситонов и трионов x, T
Время нарастания фотолюминесценции экситонов
Кинетика фотолюминесценции экситонов и трионов
Сингулярности Ван Хова. Критические точки.
Summary: Поглощение света происходит благодаря процессам рассеяния поляритонов. Экситонные эффекты увеличивают коэффициент поглощения в точках M 0 и уменьшают в точках M 3. Оптически активными являются только экситоны и трионы с малыми векторами K (порядка k фотона). Излучательное время жизни экситонов и трионов пропорционально температуре образца.