Механизмы электронного транспорта в контактах металл- полупроводник. Подготовил Королёв Сергей.

Где используются контакты металл- полупроводник? Контакты для соединения металлического провода и полупроводника Диоды Вольфрам Кремний Омический контакт ?

Дрейфово-диффузионная теория. Исследуемый образец. Cu O2O2 n + -Cu 2 O n-Cu 2 O S-слой I-слой Metal

Дрейфово-диффузионная теория. Формирование барьера. +V+V0-V-V0

Дрейфово-диффузионная теория. Приближения. – малы Дрейфово-диффузионное приближение 1 Одномерный случай: x 2 3 Соотношение Эйнштейна:

Дрейфово-диффузионная теория. Приближения. Выражение для тока. 0d 4

Дрейфово-диффузионная теория. Сопротивление. Сравнение с экспериментом.

Область применимости дрейфово- диффузионной теории. Дрейфово-диффузионное приближение справедливо, когда Сu-Cu 2 O-n + Cu 2 O: для модели Мотта Metal-GaAs-n + GaAs:

Термоэмиссионная теория.

Промежуточный итог Параметры реальных диодов

Эффект сил изображения. + - сила изображения (фактор неидеальности)

Выражение для тока с учётом эффекта сил изображения. – определяются из эксперимента

Отражение от границы. Квантовое отражение (f q ); Рассеяние на фононе (f p ). fqfpfqfp

Контакт с барьером Шоттки. металл легированный полупроводник

Туннелирование через барьер. Максимум распределения по энергиям. надбарьерное прохождение d эффекты туннелирования E 0 1 Thermionic emission

Туннелирование через барьер. Выражение для тока. полевая эмиссия термополевая эмиссия термоэмиссия

Туннелирование через барьер. Зависимость фактора неидеальности и максимума распределения по энергиям от температуры.

Туннелирование через барьер. Дискретность пространственного заряда.

Омические контакты.

Ещё эффекты. Генерация и рекомбинация носителей в обеднённой области. Инжекция дырок. Переходные эффекты. Эффект граничного слоя. T 0 -эффект. Другие…