Типы пространственных решёток некоторых металлов А) – объёмно-центрированная кубическая (ОЦК); б) – гранецентрированная кубическая (ГЦК); в) – гексагонально.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Обработка металлов давлением. Физические основы пластической деформации а – деформация различно ориентированных зерен б – скольжение зерен в направлении.
Advertisements

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ. ТЕХНОЛОГИЯ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ Лекций – 8 часов Практические занятия – 4 часа Контрольная работа – 1 Самостоятельная работа –
Основы металловедения Свойства металлов Кристаллическое строение металлов Дефекты кристаллического строения Кристаллизация Деформация и разрушение.
Методы формообразования деталей ЭВС Формообразование деталей ЭВС методами удаления материала Лекция 6 от
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ. ТЕХНОЛОГИЯ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ Часть 2 4-ый семестр 4-ый семестр Лекций – 48 часов Лекций – 48 часов Лабораторных работ – 16 часов.
ЛЕКЦИЯ 14 Электронная микроскопия. Принципиальная схема просвечивающего электронного микроскопа 1 - источник излучения; 2 - конденсор; 3 - объект; 4 -
Механические свойства твёрдых тел. План урока Кристаллические и аморфные тела Виды деформаций Деформация и напряжение Диаграмма растяжений Решение задач.
ДИСЛОКАЦИИ И ДЕФОРМАЦИОННОЕ ПОВЕДЕНИЕ МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ юбилейно-пасхальная лекция по мотивам курса для магистров и аспирантов в популярной форме не претендующая.
Кристаллические и аморфные тела. Кристаллическими считаются вещества, атомы которых расположены в строго определенном порядке, так что образуют правильную.
ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ Введение Раздел 1. Строение и свойства материалов.
Лекция 2: Структура, методы роста и исследования полупроводников. Строение идеальных кристаллов. Кристаллы, анизотропия их физических свойств. Трансляционная.
ПРЕЗЕНТАЦИЯ на тему: «Кристаллическое строение металлов» 1/13.
Томский политехнический университет Курс лекций для студентов направления электромеханика и электротехника по дисциплине Технология конструкционных материалов.
Трансформация потенциального барьера вблизи поверхности металла под действием электрического поля: а – без поля, б – в поле (F), величиной 10 8 В/см, в.
Двухуровневая модель для описания упруговязкопластического деформирования ОЦК-поликристаллов Выполнила ст. гр. ММ-10 Е.Д. Фархутдинова Научный руководитель:
Электронная и туннельная микроскопия Подготовила : Лаврентьева Екатерина У4-01.
Познакомить учащихся с разными видами твердых тел, разновидностью кристаллических решеток. Рассмотреть основные свойства и характеристики твердых тел.
Подготовила: Синицына Алла 10а. 1. Что такое «монокристаллы»? 2. Получение монокристаллов 3. Дефекты монокристаллов 4. Кристаллизация в невесомости.
Порошковая металлургия ВЫПОЛНИЛ ИЛЬЯ НЕСТЕРОВ. Порошковая металлургия область техники, охватывающая совокупность методов изготовления порошков металлов.
Sp 3 –гибридизация. Углерод Дефекты в кристаллах.
Транксрипт:

Типы пространственных решёток некоторых металлов А) – объёмно-центрированная кубическая (ОЦК); б) – гранецентрированная кубическая (ГЦК); в) – гексагонально плотно упакованная

ОМД Прокатка ПрессованиеЛистовая штамповка ШтамповкаВолочениеКовка

Схемы прокатки а) – продольная прокатка; б) – поперечная прокатка; в) – винтовая прокатка 1 - правый валок; 2 - заготовка; 3 – левый валок; 4 гильза; 5- оправка; 6 штанга (стержень)

Схема процесса волоченияСхема процесса прессования

Схема штамповки Схема листовой штамповки 1 - верхняя часть штампа; 2 - нижняя часть штампа; 3 - изделие; 4- облой (заусенец) 1 - пуансон; 2 - прижим; 3 - матрица; 4 - изделие

Схема пластического скольжения при деформации монокристалла

а) – расстояние между атомными рядами; б) – расстояние между атомами в ряду Схема скольжения атомов в упрощённой модели кристаллической решётки

Схема перемещения винтовой дислокации

Схема к определению усилий прокатки в разных проекциях Схема к определению рабочих напряжений при осадке

Классификация консолидированных наноматериалов по составу, Распределению и форме структурных составляющих

Микрофотографии наноструктуры а - компакт Р d ; б - компакт TiN ; в - излом пленки TiN ; г – поверхность пленки TiN

Микрофотографии наноструктуры д - многослойная пленка (сверхрешетка) Мо V; е закаленный из жидкого состояния сплав А1РЬ (10%); ж, з соответственно ячеистая и дендритно-ячеистая структура сплава F е Si, закаленного из жидкого состояния

Различные масштабные уровни, методы изучения структуры на этих масштабных уровнях и требуемые степени увеличения.

Схема ионно-плевого микроскопа Изображение наконечника вольфрамовой иглы, полученное в ионно-полевом микроскопе

Основные системы оптического микроскопа отражённого света

Схема работы просвечивающего электронного микроскопа

Принципы методов интенсивной пластической деформации а – кручение под высоким давлением; б – РКУ прессование

Принципы РКУ прессования а – Ψ = 0; б – Ψ = φ – π; в – Ψ находится в интервале а - б Варианты РКУ прессования а – маршрут А; б – маршрут В с закручиванием на 90°; в – маршрут С с закручиванием на 180°

Направления сдвига при РКУ прессованием Режимы простого сдвига при РКУ прессованием а– одноцикловое деформирование; б – многоцикловое деформирование режим А; в – режим С а – маршрут А; б – маршрут В; в – маршрут С

а светлопольное изображение совместно с дифракционной картиной; 6 темнопольное изображение Структуры в Cu, подвергнутой ИПД кручением, наблюдаемые в электронном микроскопе

Структура стали У12 (электронная микроскопия) а- в исходном, нормализованном состоянии; б - после ИПД кручением при комнатной температуре (Р = 6ГПа, е = 7)

Микроструктура и дифракционные картины чистого Al после одного прохода при РКУ - прессовании.

Микроструктура и дифракционные картины чистого Al после четырёх проходов при РКУ – прессовании по маршруту А

Электронно-микроскопическое изображение типичного зерна в сплаве А l -3% М g, подвергнутом ИПД Изображение атомных плоскостей при увеличении участков А и Б

Схема взаимосвязи внутрезёренных и зернограничных дислокаций Получение границ зёрен путём мысленных разрезов а - 6 получение равновесной границы (берега разреза склеиваются без деформации); в – г и а - е получение неравновесных границ (при стыковке кристаллов необходима их деформация изгиб и растяжение-сжатие соответственно); о, ж схемы комплексов ЗГД, создающих такой же характер упругих скажений, как на рис. г, е