Графеновые слои большой площади Открывается возможность массового изготовления запатентованных и разрабатываемых графеновых приборов и материалов (графеновых полевых эмиттеров, нанодвигателей, газовых сенсоров, метаматериалов) Газовая фаза поступает в капилляр, образованный пленкой никеля и кремниевой пластиной. Слои Ni насыщаются при 900ºС углеродом, а при охлаждении со скоростью 10ºС в секунду происходит сегрегация углерода на поверхности Ni и рост графена Спектры комбинационного рассеяния света (верхний от краевой области а нижний от центральной) Массив оригинальных графеновых полевых эмиттеров для плоских экранов, источников света, рентгеновских аппаратов (исходная структура графен-Ni-Si-SiGe) (В.Я.Принц, С.В.Мутилин,С.В.Голод, Патент, 2010) Графеновые слои на пленке никеля (над центральной областью располагалась Si пластина) Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

Основные измеренные параметры матричного фотоприемника формата 640х512 элементов на основе ГЭС КРТ МЛЭ на подложке Si Примеры тепловых изображений, полученных с помощью матричного фотоприемника формата 640х512 элементов на основе ГЭС КРТ МЛЭ на кремниевой подложке Наименование параметра, единица измерении Полученное значение 1 Длина волны максимума спектральной чувствительности, мкм4,0 2 Длинноволновая граница спектральной чувствительности по уровню 0,1, 0,I, мкм 4,4 3 Формат, количество элементов640x512 4 Шаг фоточувствительных элементов (вдоль и поперек матрицы), мкм25x25 5 Величина относительного среднеквадратичного отклонения вольт-ваттной чувствительности от среднего значения. ( S макс. ), % 30 6 Средняя пороговая облученность P m (Т ф =300К,2 θ =300), Вт/см 2 не более3,1x Динамический диапазон (при отношении сигнал/шум 1), дБ, не менее 70 8 Частота, кадров/с. не менее50 9 Количество дефектных элементов. %, менее4,32 10 Время выхода на режим в НКУ. мин, не более5