Моделирование совмещенных МОП приборов с нанометровыми размерами В. В. Ракитин ФГУП НИИ физических проблем им. Ф. В. Лукина.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА И ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВОГО ДМОП ТРАНЗИСТОРА С УЧЕТОМ ЭФФЕКТА САМОРАЗОГРЕВА И.С. МАРТЕМЬЯНОВ, В.О. ТУРИН, В.В. ИВАНОВА,
Advertisements

Доклад на тему Полевые транзисторыПолевые транзисторы Выполнил: студент 3-го курса ФТФ гр Крюков Дмитрий Сергеевич.
Устройство полевого транзистора Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей,
Типы полевых транзисторов 1. с изолированным затвором - МДП - транзисторы - МНОП – элементы памяти - МДП – транзисторы с плавающим затвором - Приборы.
Технологическое моделирование (TCAD) Лабораторная работа 1.
Переходные характеристики МДП транзистора Разгуляев О. А.
Полевые транзисторы. Оглавление 1. Полевые транзисторы. 2. Оглавление. 3. Схемы МДП-транзисторов. 4. Цифровые фотографии полевого транзистора.
МДП транзисторы Выполнил студент группы : Тетерюк И.В.
Лекция 3 Силовые транзисторы Основные классы силовых транзисторов Транзистор – это полупроводниковый прибор, содержащий два или более p-n переходов и работающий.
Компьютерная электроника Лекция 19. Полевые транзисторы.
Компьютерная электроника Лекция 8. Устройство биполярного транзистора.
МДП транзисторы Стефанович Т.Г.
Проходные и переходные характеристики МДП- транзистора Трифонова Н. Харлукова О. гр
МДП транзисторы. МДП транзистор Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении.
Выполнили: Миков А.Г., Пронин Е.Х. Руководитель: Гуртов В.А. Полевые Транзисторы 01 Старт !
Полевые транзисторы Мытарев А.В. Мытарев А.В. Яковлева Д.А. гр
РЕПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ МДП - ТРАНЗИСТОРОВ.
Биполярный транзистор. Процессы в биполярном транзисторе.
Масштабирование, микроминиатюризация и физические ограничения в полупроводниковой микроэлектронике.
Полевые транзисторы Выполнили: Зуев А.П., Терёхин М.С. Терёхин М.С.
Транксрипт:

Моделирование совмещенных МОП приборов с нанометровыми размерами В. В. Ракитин ФГУП НИИ физических проблем им. Ф. В. Лукина

Содержание: ВВЕДЕНИЕ ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ И КОНСТРУКЦИЯ СМОП МОДЕЛЬ НАНОМЕТРОВОГО СМОП РЕЗУЛЬТАТЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ МОДЕЛИРОВАНИЕ СЛОЖНЫХ ВЕНТИЛЕЙ ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Конструкция СМОП Общий сток Общий исток Двухзатворный вертикальный СМОП Напряжение питания: n+ исток0.0 В p+ исток0.6 В Входзатворы ВыходОбщий сток

Модель двухзатворного СМОП с p-n переходами Толщина SiO2 1 нм Толщина Si10 нм Длина затвора40 нм Концентрация +1е19 см 3 Время жизни носителей10 мс Скорость пов. рекомбинации1е3 см/c

Распределение носителей Vg=0.6 В электроны дырки

Распределение плотности токов Ток электронов Vg=0.6ВТок дырок Vg=0 В

Входная характеристика

Выходная характеристика

Передаточная характеристика

Выходные характеристики н-СМОП

Передаточные характеристики н СМОП

Переходные процессы

Многозатворные СМОП

Токи в мажоритарном инверторе

Заключение Моделирование нанометровых СМОП показало: -- работоспособность при низковольтовом питании (вплоть до 0.1 В); -- достаточно высокое быстродействие; -- большие функциональные возможности.

Спасибо за внимание!