Программа Model Подготовка описания модели для программы MC6, MC7

2 ОКНО ПРОГРАММЫ MODEL

3 В таблицу данных заносят данные по току коллектора и напряжения база эмиттер в режиме насыщения.

4 Схема измерения ВАХ

5 Определение тока коллектора насыщения и соответствующего ему напряжения эмиттер-база насыщения (в эксперименте определяется ток базы насыщения)

6 Определение напряжения насыщения по заданному току базы насыщения.

7

8 Результат расчета после инициализации и оптимизации

9

10 Расчет поле двух введенных точек, ошибка расчета 4.5%

11 Следующее окно (горячие клавиши CTRL/->) Зависимость выходной проводимости от тока коллектора

12 Расчет ведется по выходной характеристике. Но можно задать напряжение Эрли и из геометрических построения на выходной характеристике. hoe=dIc/dVce dIc=1.040 mA dVce=2.595 V

13 Значения статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ, B как функция от тока коллектора Ic

14

15 Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора

16 Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора, при заданном отношении тока коллектора к току базы. Это (Ic/Ib) отношение определяется из выходных и входных характеристик.

17 Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора, при заданном отношении тока коллектора к току базы. Это (Ic/Ib) отношение определяется из выходных и входных характеристик.

18 Барьерная емкость перехода эмиттер-база. Таблица значений. В справочнике может быть приведено только одно значение. Примечание: Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.

19 Барьерная емкость перехода коллектор-база. Таблица значений. В справочнике может быть приведено только одно значение. Примечание: Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.

20 Барьерная емкость перехода эмиттер-база. Таблица значений. В справочнике может быть приведено только одно значение. Примечание: Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.

21 Таблица времени рассасывания от тока коллектора. При заданном отношении токов коллектор/база. Этот параметр может быть оценен по ориентировочно из технологических параметров транзистора.

22 Создание файла (*.lib) – текстового файла описания параметра модели. Создание файла (*.lbr) – двоичного файла описания параметра модели.

23 Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока Ft в схеме с ОЭ от тока коллектора. Этот параметр может быть оценен по приведенным в справочнике данных о частоте Fbeta