Нанотехнологии в электронике и технике Выполнили : Калинин Дмитрий и Банников Дмитрий ученики 8 «А» класса,МАОУ СОШ 25 Руководитель: Семененко Н.М., учитель.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Выполнила : Диканская Юлия,9 класс, МАОУСош 25. г. Томск Руководитель : Семененко Н. М., учитель физики, МАОУСОш 25. г. Томск.
Advertisements

Ученика 9 Г класса средней школы 1 Ханбикова Альберта Руководитель: учитель физики Елена Анатольевна.
Нанотехнологии Виктория Сойко TVTB17. Общее понятие Нанотехноло́гия междисциплинарная область фундаментальной и прикладной науки и техники, имеющая дело.
Презентация по информатике на тему: Поколение третье. Интегральные схемы. Работу выполняла Ученица 8 класса «Б» Школы 1317 Мутиева Макка.
Наноматериалы Материалы, разработанные на основе наночастиц с уникальными характеристиками, вытекающими из микроскопических размеров их составляющих.
Как вы представляете свое будущее через лет ?
Что Вы знаете об истории ПК Авторы: Пестрякова А. гр.23 – С Салтыков А. гр.23– С Руководитель: Мастер п/о ПЛ 8 А.П. Есина Мастер п/о ПЛ 8 А.П. Есина.
Информатика как наука и учебный предмет в средней школе Информатика – это область человеческой деятельности, связанная с процессами преобразования информации.
Появление ИС означало подлинную революцию в вычислительной технике. Ведь она одна способна заменить тысячи транзисторов, каждый из которых в свою очередь.
Наноматериалы и их свойства Выполнил: Ученик 11 А класса МОУ СОШ 117 Кулигин Владислав.
Т РЕТЬЕ ПОКОЛЕНИЕ ЭВМ. В 1958 ГОДУ Д ЖОН К ИЛБИ ВПЕРВЫЕ СОЗДАЛ ОПЫТНУЮ ИНТЕГРАЛЬНУЮ СИСТЕМУ.
Лекция 15. Проблемы и предельные параметры планарной технологии. Наноэлектроника. Масштабирование при уменьшении планарных размеров. Диэлектрики с высокой.
«Опасны ли нанотехнологии?». Цели 1. Ознакомить участников конференции с основными достижениями и проводимой исследовательской работой в области нанотехнологий.
Третье поколение ЭВМ ( гг.) В 70-х годах возникают и развиваются ЭВМ третьего поколения. В нашей стране это ЕС ЭВМ, АСВТ, СМ ЭВМ. Данный этап.
Нанотехнологии.Нанотехнология даёт возможность создавать новые материалы с заданными свойствами из атомов. даёт возможность создавать новые материалы с.
Молекула: путешествие из глубины веков Начала Вселенной атомы и пустота. Всё же остальное существует лишь во мнении. Демокрит.
КАФЕДРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И МИКРОСИСТЕМ. МЕЖДИСЦИПЛИНАРНЫЕ КУРСОВЫЕ ПРОЕКТЫ 1.«Твердотельная электроника», «Маршруты СБИС», «Моделирование маршрутов»
Графит Графит Графен Графен Графан Графан. 1.ГРАФИТ.
Выполнили: Миков А.Г., Пронин Е.Х. Руководитель: Гуртов В.А. Полевые Транзисторы 01 Старт !
1 Профиль «Физическое материаловедение» кафедра экспериментальной физики по направлению подготовки ФИЗИКА Квалификация (степень) Бакалавр.
Транксрипт:

Нанотехнологии в электронике и технике Выполнили : Калинин Дмитрий и Банников Дмитрий ученики 8 «А» класса,МАОУ СОШ 25 Руководитель: Семененко Н.М., учитель физики,МАОУСОШ 25 Руководитель: Семененко Н.М., учитель физики,МАОУСОШ 25

Наноэлектроника Электроника и наноэлектроника – это область науки и техники, которая включает совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной на теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование, технологию производства, использование и эксплуатацию материалов, компонентов, электронных приборов, устройств, установок вакуумной, плазменной, твердотельной, микроволновой, оптической, микро- и наноэлектроники различного функционального назначения. Наноэлектроника это современный, четвертый этап развития электроники, уровень развития которой определяет облик современной цивилизации.

Нанотехнологии в электронике получили мощный импульс за счет использования углеродных нанотрубок.

III.Разработка самих приборов и технологий их изготовления; IV.Разработка интегральных схем с нанометровыми технологическими размерами и изделий электроники на основе наноэлектронной элементной базы. Основные задачи наноэлектроники: I.Разработка физических основ работы активных приборов с нанометровыми размерами, в первую очередь квантовых; II.Разработка физических основ технологических процессов;

Нанотрубки более подвижны и не задерживают свет в тонком слое, так что опытные матрицы с интегральными схемами можно изгибать без потери электронных свойств. Оптимисты предсказывают, что не за горами день, когда ноутбук можно будет носить в заднем кармане джинсов, потом, сев на скамейку, развернуть до размера газеты, причем вся его поверхность станет экраном высокого разрешения, а после этого снова свернуть и, скажем, превратить в браслет на запястье. Нанотехнологии в электронике получили мощный импульс за счет использования углеродных нанотрубок (графен, - прим. "Нано Дайджест"). Углеродные нанотрубки не только могут преодолеть барьер уменьшения транзисторов, но и придать электронным схемам революционные механические и оптические свойства, или, говоря простым языком, сделать электронику гибкой и прозрачной. Углеродные нанотрубки

Методы очистки, распутывания, выпрямления и сортировки нанотрубок гораздо сложнее, чем методы выращивания кремниевых кристаллов. А создание электрических цепей на их основе – огромная техническая проблема, которую сейчас решают ученые и инженеры. Гораздо проще работать с кремниевыми нанопроводами (нано-стержнями, или квантовыми проводами), которые являются следующим этапом развития кремниевой электроники. Как и нанотрубки, нанопровода могут образовывать сложные конфигурации из сверх­малых транзисторов, но они не обладают сверхвысокой прочностью нанотрубок. Нанопровода могут образовывать сложные системы с другими материалами. Кремниевые нанопровода научились делать благодаря огромным успехам современных электронных технологий. Дело в том, что ученые и инженеры могут контролировать их структуру и свойства так же, как делали это на протяжении многих лет. Использование нанопроводов

Другая область применения нанотехнологий в электронике – создание жестких дисков нового типа. В 2007 году нобелевская премия по физике была присуждена Питеру Грюнбергу и Альберту Ферту за открытие эффекта гигантского магнетосопротивления, или, как иногда пишут, GMR-эффекта. Это квантовомеханический эффект, который происходит в тонких металлических плёнках, состоящих из чередующихся ферромагнитных и проводящих немагнитных слоёв. При изменении взаимного направления намагниченности соседних магнитных слоёв происходит значительное изменение электрического сопротивления такой структуры. С помощью внешнего магнитного поля направлением намагниченности можно управлять. На базе этого эффекта можно создавать датчики магнитного поля такой точности считывания, что информацию можно будет записывать на жесткий диск буквально с атомарной плотностью. Создание жестких дисков

Нанотранзисторы Современные микропроцессоры содержат миллиард транзисторов на чипе.Это означает, что расстояние между двумя транзисторами составляет одну десятитысячную толщины человеческого волоса.

Структура транзисторов

Заключение На жизни нынешнего молодого еще поколения произойдет переход от ныне существующих планарных структур к объемным наномикросхемам, размеры активных элементов уменьшатся до размеров молекул. Рабочие частоты компьютеров достигнут терагерцовых величин. Получат распространение схемные решения на нейроноподобных элементах (нейрочипах). Появится быстродействующая долговременная память на белковых молекулах, емкость которой будет измеряться сотнями терабайт. Станет возможным «переселение» человеческого интеллекта в компьютер. Прогнозируемый срок реализации: первая-вторая четверть XXI века.