Выполнила магистрантка Факультета Радиофизики и Компьютерных технологий Ванюшева Наталья Викторовна Научный руководитель: ст. преподаватель кафедры системного.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Основы надежности ЛА МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ НАДЕЖНОСТИ.
Advertisements

Межфакультетская магистерская программа «Математические модели, методы и программные системы современных компьютерных технологий» Основы прикладной теории.
УТКИН Денис Михайлович ЗОЛЬНИКОВ Владимир Константинович УТКИН Денис Михайлович МОДЕРНИЗИРОВАННАЯ МЕТОДИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ СЛОЖНЫХ БЛОКОВ ПРОГРАММНО-ТЕХНИЧЕСКИХ.
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ GaAs МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО Дипломная работа студентки 5-го курса Лаппо Евгении Васильевны Научный руководитель: Борздов.
ЭТАПЫ МАТЕМАТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ НА КОМПЬЮТЕРЕ Реализованная на компьютере математическая модель называется компьютерной математической моделью, а проведение.
Донецкий национальный технический университет Факультет вычислительной техники и информатики Кафедра компьютерных систем мониторинга Тема: СТАТИСТИЧЕСКИЙ.
Статистический анализ и прогнозирование быстроизменяющихся нестационарных эконометрических процессов на основе моделей марковской зависимости. ФАКУЛЬТЕТ.
1 РАЗРАБОТКА МЕТОДА ФИЗИЧЕСКОГО И МАТЕМАТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ТЕПЛОВОГО СОСТОЯНИЯ ОТСЕКОВ И СИСТЕМ, РАСЧЁТНЫХ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЯ.
Магистерская диссертация 2009 Журак И.К. 1 БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФАКУЛЬТЕТ ПРИКЛАДНОЙ МАТЕМАТИКИ и ИНФОРМАТИКИ Кафедра информационного.
ПРОБЛЕМЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ МЕХАНИЧЕСКОГО ПОВЕДЕНИЯ НАНОСТРУКТУРНЫХ И НАНОКРИСТАЛИИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ЧАСТЬ 3 Скрипняк Владимир Альбертович, доктор физико-математических.
Мат. моделирование в системе методов научного исследования 1 1. Понятие модели Модель – это упрощённое подобие реального объекта, используемое для его.
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино Кафедра Микро- и наноэлектроники В.С. Першенков ИСПОЛЬЗОВАНИЕ КОНВЕРСИОННОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ.
Модели – уравнения квантовой механики. Модели – уравнения квантовой механики. Методы численного исследования: метод функционала плотности, метод Хартри-Фока.
Предмет курса «Основные процессы и аппараты химической технологии» Классификация основных процессов и аппаратов химической технологии. Основы теории переноса.
Московский Энергетический институт (Технический университет) Кафедра ФЭМАЭК XVII Международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов Радиоэлектроника,
Модели теории логистики Модель «точно в срок». Аналитическая модель Профессор А. А. Смехов впервые рассматривает модель доставки грузов «точно в срок»,
Понятие о методах Монте-Карло. Расчет интегралов 2.5. Расчет интегралов методом Монте-Карло.
Разработка фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния с конкурентными на мировом рынке энергетическими и экономическими показателями.
Программа 27 Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов Проект Разработка научных основ получения наночастиц алюминия с.
РАЗРАБОТКА ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ КОНКУРЕНТНОГО РЫНКА НА КЛАСТЕРНЫХ СИСТЕМАХ Авторы: Е.В. Болгова, А.С. Кириллов, Д.В. Леонов Научный.
Транксрипт:

Выполнила магистрантка Факультета Радиофизики и Компьютерных технологий Ванюшева Наталья Викторовна Научный руководитель: ст. преподаватель кафедры системного анализа и компьютерного моделирования Молофеев Вячеслав Михайлович Минск 2013

* Цель работы Цель работы * Процесс электромиграции в тонкопленочной металлизации ИМС Процесс электромиграции в тонкопленочной металлизации ИМС * Виды диффузий и дефектов Виды диффузий и дефектов * Модель процесса электромиграции Модель процесса электромиграции * Разработанный алгоритм Разработанный алгоритм * Принципы построения имитационной модели Принципы построения имитационной модели * Расчетные выражения Расчетные выражения * Проверка адекватности Проверка адекватности * «Бамбуковый» эффект «Бамбуковый» эффект * Зависимости от параметров эксплуатационного режима Зависимости от параметров эксплуатационного режима * Изменение сопротивления тонкоплёночного образца Изменение сопротивления тонкоплёночного образца * Прогнозирование времени работы до отказа Прогнозирование времени работы до отказа * Результаты Результаты 2

Исследование протекания процесса электромиграции в тонкопленочной алюминиевой металлизации субмикронных интегральных микросхем и проверка адекватности построенного программного математического комплекса моделирования данного процесса. 3 проверка адекватности предложенной физико-статистической модели электромиграционного отказа по результатам вычислительного эксперимента; исследование изменения электрофизических характеристик тонкопленочной металлизации субмикронных интегральных микросхем при протекании процесса электромиграции методом имитационного моделирования; построение вероятностной модели времени работы до отказа тонкопленочных проводников субмикронных интегральных микросхем и исследование её характеристик.

Одной из основных причин сдерживающих уменьшение размеров металлизации СБИС является протекание процесса электромиграции a)зернограничная диффузия b)диффузия массы c)диффузия по поверхности 4

Замыкания соседних проводников вследствие образования наростов Обрыв вследствие образования пустот и трещин 5

* 6

формирование методом Монте-Карло стохастической зернограничной структуры тонкопленочного проводника; расчет величины электродиффузионного потока в сечениях тонкопленочного проводника; вычисление величины приращения трещины с учетом изменения сопротивления пленки и локальной температуры. 7

Доминирующий процесс – самодиффузия по границам зерен Процесс термоактивированный 8

Расчет локальной плотности тока Рост трещины 9

Расчет электросопротивления Расчет локальной температуры проводника o Уравнение теплообмена o Уравнение теплопередачи 10

Параметры структуры: 11

12 Параметры структуры и эксплуатационного режима:

Полученные зависимости хорошо согласуются с аналитической формулой Блэка, описывающей время работы до отказа. 13

14 Параметры структуры и эксплуатационного режима:

Функция плотности распределения 15

Зависимость параметров распределения от плотности тока: 16 Зависимость параметров распределения от температуры:

Исследована физико-статистическая модель процесса электромиграции, адекватность которой подтверждена экспериментальными данными, взятыми из литературных источников. Проведены исследования модели и получены зависимости времени работы до отказа тонкопленочных проводников от параметров эксплуатационного режима, таких как плотность тока и температура. Исследованы зависимости времени работы до отказа тонкопленочных проводников от параметров структуры Исследованы статистические гипотезы о законах распределения времени работы до отказа от параметров структуры и от параметров эксплуатационного режима. Получены оценки параметров вероятностных моделей. Создана электронная база тестовых структур.