Обозначения на чертежах и схемах элементов общего применения относятся к квалификационным, устанавливающим род тока и напряжения, вид соединения, способы регулирования, форму импульса, вид модуляции, электрические связи, направление передачи тока, сигнала, потока энергии и др. 1 транзистор структуры р-n-р в корпусе, общее обозначение, 2 транзистор структуры п-р-п в корпусе, общее обозначение, 3 транзистор полевой с p-n-переходом и п каналом, 4 транзистор полевой с p-n-переходом и р каналом, 5 транзистор однопереходный с базой п типа, б1, б2 выводы базы, э вывод эмиттера, 6 фотодиод, 7 диод выпрямительный, 8 стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) односторонний, 9 диод тепло-электрический, 10 тиристор диодный, стираемый в обратном направлении; 11 стабилитрон (диодолавинный выпрямительный) с двусторонней проводимостью, 12 тиристор триодный. 13 фоторезистор, 14 переменный резистор, реостат, общее обозначение, 15 переменный резистор, 16 переменный резистор с отводами, 17 построечный резистор-потенциометр, 18 терморезистор с положительным температурным коэффициентом прямого нагрева (подогрева), 19 варистор, 20 конденсатор постоянной емкости, общее обозначение, 21 конденсатор постоянной емкости поляризованный, 22 конденсатор оксидный поляризованный электролитический, общее обозначение, 23 резистор постоянный, общее обозначение, 24 резистор постоянный с номинальной мощностью 0, 05 Вт, 25 резистор постоянный с номинальной мощностью 0, 125 Вт, 26 резистор постоянный с номинальной мощностью 0, 25 Вт, 27 резистор постоянный с номинальной мощностью 0, 5 Вт, 28 резистор постоянный с номинальной мощностью 1 Вт, 29 резистор постоянный с номинальной мощностью рассеяния 2 Вт, 30 резистор постоянный с номинальной мощностью рассеяния 5 Вт, 31 резистор постоянный с одним симметричным дополнительным отводом, 32 резистор постоянный с одним несимметричным дополнительным отводом,

максимальные значения; постоянный I пр max или средний I вп.ср max выпрямленный ток; обратный ток I обр. max ; прямое падение напряжения U пр max ; амплитуда обратного напряжения U обр. max ; частота выпрямляемого напряжения.

Германиевые диоды имеют большой срок эксплуатации (десятки тысяч часов), выдерживают обратные напряжения до нескольких сотен вольт ( ), обеспечивают высокий КПД (до 0,98), работают в интервале рабочих температур – °С. Недостатки германиевых вентилей – чувствительность к перегрузкам, повышенной температуре, обратным напряжениям. Германиевые силовые диоды серии ДЗОО допускают максимальное обратное напряжение В. А мощные германиевые вентили ВГВ-200, ВГВ-500, ВГВ-1000 с водяным охлаждением допускают прямые токи: 200, 500 и 1000 А и допустимое обратное напряжение В. Падение напряжения на германиевых диодах составляет 0, 2...0,5 В. Германиевые диоды в основном используются в низковольтных выпрямительных устройствах.

Селеновые вентили выпускаются на алюминиевой основе в виде выпрямительных столбиков, собранных из элементов прямоугольной формы по определенной схеме выпрямления. Максимальный выпрямленный ток зависит от площади выпрямленного элемента и в среднем составляет 25 мА/см 2.

Кремниевые диоды по сравнению с германиевыми сложнее в изготовлении из-за трудности получения чистого кремния, но имеют ряд важных эксплуатационных преимуществ по сравнению с германиевыми: обратный ток I обр. значительно меньше; допустимое обратное напряжение U обр. max выше и достигает 1000 В; интервал рабочих температур шире и составляет – С; предельная рабочая частота выше в раза из-за меньшей собственной емкости кремниевых диодов. Недостатком кремниевых диодов является большое падение напряжения на диоде – в раза больше, чем у германиевых.

Тип диодаImax АU max ВF кГц Д202- Д2110,46001,00 Д226- А -Е0,36001,1 КД 102 –КД 1030, КД 1040, КД 1050,38001,0 КД 1060, КД 208- КД2091,58001,0 КД КД509 –КД5100,250 КД 5190,0330 КД 5200,0215

Промышленность выпускает кремниевые диоды на токи до 1250 А с допустимым обратным напряжением до 1500 В, а также «блоки, состоящие из нескольких диодов. Управляемые полупроводниковые кремниевые вентили – тиристоры допускают ток от 10 до 1000 А. Тиристор – это четырехслойный р-п-р-п кремниевый полупроводниковый прибор, проводимость которого управляется с помощью напряжения, подаваемого на управляющий электрод. Тиристор может находиться в двух устойчивых состояниях: открытом и закрытом. Открывается тиристор подачей на управляющий электрод короткого положительного импульса при положительном напряжении на аноде. Закрывается тиристор изменением полярности анодного напряжения или уменьшением тока удержания до значения меньше I уд. т. Более эффективное выпрямление тиристора происходит при пропускании через него обратного тока.