Диффузия в кристаллах лекция 1Диффузия в кристаллах лекция 1.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Точечные дефекты Соединение АВ 1- вакансия в подрешётке А 2 - вакансия в подрешётке В 3 - межузельный атом А 4 - межузельный атом В 5 - примесный атом.
Advertisements

Дефекты в кристаллах Лекция 4 Ионная проводимость. Суперионные проводники. Диффузия и химические реакции.
Лекция 4 Расплавы электролитов. Твердые электролиты.
Атомные механизмы диффузии и дефекты кристаллов ВЫПОЛНИЛА: Хорошильцева Оксана студентка 554 группы.
Полупроводниковыми или электропреобразовательными называются приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. K полупроводникам.
Полупроводники Основы зонной теории твердых тел NaMg металл п/проводник или диэлектрик свободный электрон.
Электрофизические свойства проводниковых материалов Автор Останин Б.П. Эл. физ. свойства проводниковых материалов. Слайд 1. Всего 12 Конец слайда.
Лекция 6 Шагалов Владимир Владимирович Химическая кинетика гетерогенных процессов.
Электрический ток в различных средах. . Электрическим током называют всякое упорядоченное движение электрических зарядов. Электрический ток может проходить.
Основы теории электролитической диссоциации Аррениуса Предпосылки создания теории Для электролитов повышение температуры кипения, понижение температуры.
Сверхпроводимость Высокотемпературная проводимость.
ОБРАЗОВАНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ.
Лекция 6. Кинетические явления в полупроводниках Применимость зонной теории в слабых электрических полях. Приближение эффективной массы. Блоховские колебания.
2.1. Диффузионно-адсорбционная поляризация 2.2. Естественная окислительно-восстановительная поляризация 2.3. Вызванная электрическая поляризация.
А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ1 Электропроводность твердых тел.
Химия 2 Химия Химия – наука о веществах, их свойствах, взаимных превращениях, и процессах, их сопровождающих. одна из естественных наук.
Кристаллизации металлов. Методы исследования металлов.
Идеальных кристаллов, в которых все атомы находились бы в положениях с минимальной энергией, практически не существует. Отклонения от идеальной решетки.
Основные положения МКТ. В XVIII начала развиваться молекулярно-кинетическая теория. Цель молекулярно-кинетической теории: объяснение свойств макроскопических.
Презентация к уроку по химии (11 класс) на тему: Презентация к уроку "Скорость химических реакций"
Транксрипт:

Диффузия в кристаллах лекция 1

Точечные дефекты Соединение АВ 1- вакансия в подрешётке А 2 - вакансия в подрешётке В 3 - межузельный атом А 4 - межузельный атом В 5 - примесный атом замещения 6 - примесный атом внедрения 7,8 – антиструктурные дефекты

Собственные точечные дефекты Собственные точечные дефекты – вакансии и межузельные атомы. Тепловые дефекты Обмен кристалла теплом с внешней средой приводит к образованию вакансий и межузельных атомов в результате тепловых флуктуаций. При Т=0 К тепловых дефектов нет. Максимальная концентрация тепловых дефектов вблизи температуры плавления (С ~ – ). Причины образования Дефекты нестехиометрии и дефекты, обусловленные присутствием примесных атомов. Обмен кристалла веществом с внешней средой приводит к изменению химического состава кристалла. Отклонение химического состава от стехиометрического приводит к образованию вакансий и межузельных атомов - дефектов нестехиометрии. Присутствие в кристалле примесных атомов также может вызывать образование вакансий и межузельных атомов.

Тепловые точечные дефекты Механизмы образования тепловых точечных дефектов Беспорядок по Френкелю – образование вакансии и межузельного атома. Беспорядок по Шоттки – образование вакансий.

Ионные соединения По ШотткиПо Френкелю в катионной подрешёткев анионной подрешётке Эффективный заряд – заряд дефекта по отношению к заряду структурного элемента бездефектного кристалла на месте которого этот дефект локализован. В идеальном кристалле каждый узел и междоузлие имеют нулевой заряд. Эффективный заряд вакансии равен по величине и противоположен по знаку заряду покинувшего узел иона. Эффективный заряд межузельного иона совпадает по знаку и по величине с зарядом вошедшего в междоузлие иона.

Недостаток металла – внедрение кислорода. M 1-x O Образование катионных вакансий ½ O 2 O x O + V M + 2 h Примеры оксидов: Cu 2 O, CoO, NiO, TiO, NbO. MO 1+x Образование междоузельного кислорода ½ O 2 O i + 2 h Примеры оксидов: UO 2, CeO 2, ThO 2, La 2 O 3. Избыток металла – выделение кислорода. MO 1-x Образование анионных вакансий «O» ½ O 2 + V O + 2 e Примеры оксидов: TiO, TiO 2, CuO, NbO, Nb 2 O 5. M 1+x O Образование междоузельного металла «O» ½ O 2 + M i + 2 e Примеры оксидов: CdO, ZnO, Fe 2 O 3. Различные варианты нестехиометрии (на примере оксидов металлов)

O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M OOOO Образование катионных вакансий O 2 2O x O + 2V M + 4 h Примеры оксидов: CoO, NiO, TiO, NbO.

O M O M OO M O MM O M O M OO M O MM OOOOOOO Образование межузельного кислорода O 2 2O i + 4 h Примеры оксидов: UO 2, CeO 2, ThO 2, La 2 O 3.

O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M OO Образование анионных вакансий «O» O 2 + 2V O + 4 e Примеры оксидов: TiO, TiO 2, CuO, NbO, Nb 2 O 5.

O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M O M OO M Образование межузельного металла «O» O 2 + 2M i + 4 e Примеры оксидов: CdO, ZnO, Fe 2 O 3.

A Б В Основные механизмы диффузии в кристаллах А – вакансионный (наиболее распространенный ) Б – прямой межузельный ( пример: С в Fe) В – непрямой межузельный ( пример: Аg Ag в AgBr)

Diffusio (лат.) – распространение – А. Фик получил закон, связывающий поток частиц с градиентом концентрации при исследовании растворов соли в воде. D – коэффициент диффузии. Характерные величины, см 2 /c: Газы Жидкости Твёрдые вещества < Первое сообщение о диффузии в твёрдом теле – 1896 Р. Аустен, диффузионная пара Pb+Au, 200 o C, 10 дней.

s

Одномерный случай - равная вероятность прыжка вправо и влево. s - длина прыжка. Позиция после первого прыжка x 1 = 0 ± s. Средняя позиция Средняя квадратичная позиция Позиция после второго прыжка x 2 = x 1 ± s. Средняя квадратичная позиция Средняя квадратичная позиция после N прыжков Диффузионный путь Хаотическая диффузия

Броуновское движение Соотношение Смолуховского-Энштейна А. Энштейн «О движении взвешенных в покоящейся жидкости частиц, требуемом молекулярно-кинетической теорией теплоты» Annalen der Physik, 1905 Броун, 1827

Выражения для коэффициента диффузии. Вакансионный механизм H m Коэффициент диффузии вакансии о - частота колебаний атомов ( о =10 13 с -1 выше температуры Дебая); s– длина прыжка (например, для ГЦК решётки, где а - параметр ячейки).

Коэффициент диффузии атома [V] – концентрация вакансий; f – корреляционный фактор (определяет неравноценность позиций в решётке для прыжков атома). f = 1-2/Z. 1)Металлы 2) Ионные кристаллы АХ

Выражения для коэффициента диффузии. Межузельный механизм H m [V i ] – концентрация незанятых междоузлий. Пример: атомы внедрения в металлах (H, C, B в Ta, Mo, V, Fe).

металл H m, кДж/моль H D, кДж/моль T пл, К Al Ag Cu W Энтальпия активации дифузии ОЦК, ГЦК, ГПУ металлы, галогениды щелочных металлов, оксиды со структурой NaCl (CaO, MgO, CoO, FeO, NiO и т.д.), карбиды и бориды металлов D – 1 см 2 /c, H D = RT пл, D(T пл ) = – см 2 /с Вещества со структурой алмаза D см 2 /c, H D = 35 RT пл, D(T пл ) = см2/с

Направленная диффузия - электрохимический потенциал - суммарный поток

Диффузия в градиенте концентрации – первый закон Фика PbAu

Диффузия в градиенте давления – эффект Горского Ω – атомный объём сжатие растяжение P C h h h сжатие растяжение

Диффузия в электрическом поле – ионная проводимость -закон Ома, σ – удельная электропроводность (Ом -1 ·см -1 ) - подвижность частицы- соотношение Нерста-Энштейна - число переноса

В нестехиометрических соединениях преобладает электронная проводимость (по e или h ), а в стехиометрических – ионная проводимость (вакансии или междоузельные атомы). Температурная зависимость ионной удельной электропроводности имеет вид: Из измерений ионной проводимости, можно получить информацию о концентрации дефектов и их подвижности.

Диффузия в кристаллах лекция 2

Участок 1 - собственная проводимость. При температурах близких к температуре плавления в кристалле преобладают тепловые дефекты. «О» V Na + V Cl В этом случае концентрация носителей заряда – катионных вакансий определяется выражением и проводимость равна: Тангенс угла наклона первого участка будет равен – (H m +H Ш /2)/R. Участок 2 - примесная проводимость. Наличие CaCl 2 приводит к образованию катионных вакансий CaCl 2 Ca Na + V Na + 2 Cl x Cl При понижении температуры количество вакансий, образовавшихся в результате введения примесных атомов, может превысить концетрацию собственных тепловых точечных дефектов. В этом случае [n]=[Ca 2+ ] и Тангенс угла наклона второго участка будет равен – H m /R.

Эффект Коха - Вагнера В AgBr ионный перенос происходит за счёт диффузии катионов. Катионы могут диффундировать как по вакансионному, так межузельному механизму. Каждый из этих диффузионных процессов вносит свой вклад в проводимость кристалла. Зависимость относительной ионной проводимости в кристаллах AgBr с увеличением концентрации введенной примеси CdBr 2 при постоянной температуре сначала убывает, достигает минимума, а затем начинает увеличиваться. Такая необычная зависимость ионной проводимости от концентрации примесных атомов называется эффектом Коха-Вагнера. Попытаемся объяснить наблюдаемую зависимость. Подвижность межузельного серебра выше подвижности катионной вакансии (χ i > χ V ). Поэтому в чистом веществе больший вклад в проводимость вносит диффузия межузельного серебра. Замещение ионов серебра ионами кадмия приводит к образованию вакансий серебра. CdCl 2 Cd Ag + V Ag + 2 Cl x Cl При этом концентрация межузельного серебра уменьшается. Начальное падение проводимости связано с тем, что увеличение вклада в проводимость связанное с повышением концентрации катионных вакансий не может компенсировать уменьшение проводимости, связанное с уменьшением концентрации межузельного серебра. Падение будет происходить до тех пор, пока вклад вакансионного потока в общую проводимость не станет доминирующим. Дальнейшее повышение концентрации примеси приводит к увеличению потока вакансий и общему росту проводимости.

1914 – Тубанд и Лоренц обнаружили резкое увеличение проводимости после βα превращения в AgI. T βα =146 o C

β-фаза P6 3 mc α-фаза Im3m wyck x/a y/b z/c S.O.F. I 2 a Ag1 12 d Ag2 24 h 0.385(7) 0.385(7) Cooper M. J., Sakata M. Acta Crystallographica A, 35(1979) Фазовый переход в AgI

Эффекты, обусловленные диффузией Эффект Киркендаля – перемещение границы раздела (пример:медь-латунь) Эффект Френкеля – образование пор (пример:никель-медь) V/V=0 V/V>0 J A > J B Диффузионная пара. Различие в диффузионной подвижности атомов приводит к накоплению вакансий в веществе с меньшей подвижностью.

Диффузия и химические реакции. Реакции твёрдое + газ. Окисление металлов катионы ионы кислорода электроны металлоксид

А. Оксид дефектен по Шоттки t э ~1, D O

Б. Оксид дефектен по Френкелю в катионной подрешётке t э ~1, D O

t э ~1, D O >>D M ZrO 2, CeO 2, ThO 2 Суммарное уравнение: ½ O 2 + M x Me O x O + M x M Скорость окисления определяется диффузией анионных вакансий к внешней поверхности. Окисление определяется диффузией кислорода. металл оксид ½ O 2 + V O + 2e O x O + M x M V O e M x Me M x M + V O + 2e

Диффузия и химические реакции. Реакции твёрдое +твёрдое. AO + B 2 O 3 AB 2 O 4 2 B AO AB 2 O 4 + 3A 2+ 3A B 2 O 3 3 AB 2 O B 3+ 3 A 2+ AO AB 2 O 4 B2O3B2O3 2 B 3+ 1) Противоположная диффузия катионов D A, D B >>D O A 2+ + O 2- + B 2 O 3 AB 2 O 4 A 2+ AO AB 2 O 4 B2O3B2O3 O 2- 2) Сопряженная диффузия A 2+ и O 2- D O, D A >>D B

Диффузия и химические реакции. Реакции твёрдое +твёрдое. AO + B 2 O 3 AB 2 O 4 AO + 2B O 2- AB 2 O 4 3 O 2- AO AB 2 O 4 B2O3B2O3 2 B 3+ 3) Сопряженная диффузия B 3+ и O 2- D B, D O >>D A

Диффузия и химические реакции. Реакции твёрдое +твёрдое. 3 Mg 2+ MgO MgFe 2 O 4 МgO + Fe 2 O 3 MgFe 2 O 4 T=1000 o C, P O2 =1 атм Fe 2 O 3 2 Fe 3+ 2 Fe MgO MgFe 2 O 4 + 3Mg 2+ 3Mg Fe 2 O 3 3 MgFe 2 O Fe

Диффузия и химические реакции. Реакции твёрдое +твёрдое. MgO MgFe 2 O 4 МgO + Fe 2 O 3 MgFe 2 O 4 T=1000 o C, P O2