СРАВНЕНИЕ НЕКОТОРЫХ СПЕКТРАЛЬНЫХ МЕТОДОВ АНАЛИЗА ЭОС РФС (ЭСХА) Динамический ВИМС Времяпролетный ВИМС Область применения Поверхность, частицы, анализ дефектов,

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
ВТОРИЧНЫЙ ИОННЫЙ МАСС-СПЕКТРОМЕТР PHI-6600 фирмы PERKIN ELMER Исследование элементного состава и распределения примесей по глубине основано на анализе.
Advertisements

1 ОЖЕ-ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ОЖЕ-ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ В.И. Троян, М.А. Пушкин, В.Д. Борман, В.Н. Тронин презентация к лекциям по курсу «Физические.
Растровая электронная микроскопия и элементный анализ Батурин А.С. 26 октября 2005 года.
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий ОЖЕ МИКРОАНАЛИЗАТОР JAMP – 9500 F Образец до травления Образец после.
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Лебедев Владимир « Химия » 206 группа.
Исследование спектра излучения плазмы в ВЧ эмиттере мощного атомарного инжектора Е.С.Гришняев, И.А.Иванов, А.А.Подыминогин, С.В. Полосаткин, И.В.Шиховцев.
Техника изотопного анализа. Основные системы масс-спектрометров и их назначение Получение ионов (источник) Получение ионов (источник) НагревНагрев Бомбардировка.
Электрический ток в полупроводниках работа по физике ученицы 10 «В» Заусской Анастасии.
1 Основные направления деятельности 1.Наномодифицированные полимерные композиционные материалы. 2. Защитные наноструктурированные покрытия нового поколения.
Фотоэмиссия и ее возможное применение. Схематическое сопоставление различных типов электронной спектроскопии (МО и АО – молекулярные и атомные орбитали)
Физические основы электронной техники Курс лекций: Основы Вакуумной Техники 2 лекция Типовые вакуумные технологии Деулин Евгений Алексеевич Титул МОСКОВСКИЙ.
2. Обзор наиболее важных процессов, происходящих в твердом теле при его бомбардировке заряженными частицами 2.1. Процессы, происходящие в веществе при.
УСТАНОВКА ЭЛЕКТРОННОЙ ОЖЕ СПЕКТРОСКОПИИ УСТАНОВКА ЭЛЕКТРОННОЙ ОЖЕ СПЕКТРОСКОПИИ Scanning Auger Nanoprobe PHI-680 Physical Electronics.
Техника изотопного анализа Юрий Александрович Костицын МГУ им. М. В. Ломоносова Геологический факультет Задачи (*.xlsx) и лекции.
Спецкурс «Методы элементного анализа твердых тел» Черныш Владимир Савельевич Основная литература. 1. Л. Фелдман, Д. Майер. Основы анализа поверхности и.
Федеральное агентство по образованию ФГОУ ВПО «Государственный технологический университет «Московский институт стали и сплавов» Научно-исследовательский.
Методика спектроскопии рассеяния ионов средних энергий.
Физические основы электронной техники Курс лекций: Основы Вакуумной Техники 2 лекция Типовые вакуумные технологии Деулин Евгений Алексеевич Титул МОСКОВСКИЙ.
Научное направление : Формирование, рост и транспортные свойства металл- полупроводниковых наногетероструктур ( Программа «НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ КВАНТОВЫЕ СТРУКТУРЫ»,
Транксрипт:

СРАВНЕНИЕ НЕКОТОРЫХ СПЕКТРАЛЬНЫХ МЕТОДОВ АНАЛИЗА ЭОС РФС (ЭСХА) Динамический ВИМС Времяпролетный ВИМС Область применения Поверхность, частицы, анализ дефектов, профилирование Поверхность органических и неорганических материалов, профилирование Профилирование остаточных и легирующих примесей, объемные материалы и тонкие пленки Поверхность органических и неорганических материалов, химическое картирование Анализируемые частицы Оже электроны Фотоэлектроны Вторичные ионы Вторичные ионы, атомы, молекулы Анализируемые элементы Li-ULi-U Валентная зона H-Uppb-ppmH-Uмолекулы Пределы детектирования 0,1-1 ат % Несколько монослоев 0,01-1 ат % Несколько монослоев ат/см ат/см 3 Несколько монослоев Глубина анализа 3 нм 2-20 нм (при профилировании) 1-10 нм 2-20 нм (при профилировании) 2-30 нм 1-3 монослоя Глубина профилирования До 1 мкм До 10 мкм До 3 мкм Получаемая информация Элементный Элементный и фазовый Элементный Элементный Молекулярный Получение изображения ВозможноВозможноВозможноВозможно

СРАВНЕНИЕ НЕКОТОРЫХ СПЕКТРАЛЬНЫХ МЕТОДОВ АНАЛИЗА ЭОС РФС (ЭСХА) Динамический ВИМС Времяпролетный ВИМС Латеральное разрешение Более 10 нм 10 мкм-2 мм Более 20 мкм 1-5 мкм (для изображения) Более 200 нм Анализирующий зонд Электроны 10 нм Рентгеновские фотоны >10 мкм Ионы (Cs, O 2, N) 5 мкм Ионы (Ga, Cs, O 2, In) 100 нм Разрушение образца Только при профилировании РазрушающийРазрушающий Преимущества метода Элементный анализ нанообъектов Фазовый полуколичественный анализ Глубинное профилирование, детектирование остаточных примесей Комплексный химический и молекулярный анализ Тип образцов Неорганические материалы, металлы, проводники Органические и неорганические материалы, диэлектрики Неорганические материалы, металлы, проводники Органические и неорганические материалы, диэлектрики ОграниченияПроводимостьКоличествоКоличество Области приложения Полупроводники металлургия Все области Полупроводники имплантация покрытияПолимеры

ЭОСAES ЭОС – электронная Оже-спектроскопия (AES – Auger Electron Spectroscopy) РФС/ЭСХА XPS/ESCA РФС/ЭСХА – Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия/Электронная спектроскопия для химического анализа (XPS/ESCA – X-ray Photoelectron Spectroscopy/Electron Spectroscopy for Chemical Analysis) ВИМСSIMS ВИМС – Вторичная ионная масс-спектрометрия (SIMS – Secondary Ion Mass-Spectrometry) Времяпролетный ВИМС TOF-SIMS Времяпролетный ВИМС – Времяпролетная вторичная ионная масс-спектрометрия (TOF-SIMS – Time Of Flight Secondary Ion Mass-Spectrometry)