Фотоприёмники

Определение Фотоприёмники- полупроводниковые приборы, регистрирующие оптическое излучение и преобразующие оптический сигнал на входе в электрический сигнал на выходе фотодетектора. Основные фотоприемники: 1)Фоторезисторы 2)Фотодиоды 3)Фототранзисторы 4)ФПЗС

Фоторезисторы Это п/пр устройства изменяющие своё электрическое сопротивление под действием оптического излучения. Это п/пр устройства изменяющие своё электрическое сопротивление под действием оптического излучения. При освещении фоторезистора возрастает концентрация основных носителей в п/пр, и как следствие этого возрастает величина удельной проводимости. При освещении фоторезистора возрастает концентрация основных носителей в п/пр, и как следствие этого возрастает величина удельной проводимости. Δσ0 = q(Δnμn + Δpμp) = qΔpμp(1 + b),

Спектральные характеристики фоторезистора Частотные характеристики фоторезистора

Световая характеристика фоторезистора Для фоторезисторов характерны стабильность фотоэлектрических характе- ристик во времени, малая инерционность, простота устройства, допускающая различные конструктивно-технологические решения. Выбор полупроводникового материала позволяет получить избирательную фоточувствительность. Фоторе- зисторы на основе CdS и CdSe чувствительны к видимому и УФ-излучению, а фоторезисторы на основе InSb и СdHgTe к длинноволновому ИК-излучению.

Фотодиоды При попадании кванта света, с энергией hV в полосе собственного поглощения в полупроводнике возникает пара неравновесных носителей – электрон и дырка. При регистрации электрического сигнала необходимо зарегистрировать изменение концентрацией носителей. Очевидно, что при прочих равных условиях зарегистрировать изменение концентрации неосновных носителей проще. При попадании кванта света, с энергией hV в полосе собственного поглощения в полупроводнике возникает пара неравновесных носителей – электрон и дырка. При регистрации электрического сигнала необходимо зарегистрировать изменение концентрацией носителей. Очевидно, что при прочих равных условиях зарегистрировать изменение концентрации неосновных носителей проще. Так, например, в NGaAs с легирующей концентрацией 10 14, концентрация основных носителей электронов составляет (sm -3 ), а концентрация неосновных носителей – дырок – 1(sm -3). Поэтому, если при оптическом поглощении в фотоприемнике на основе GaAs возникает неравновесных носителей, то проще зарегистрировать изменение концентрации неосновных носителей. Так, например, в NGaAs с легирующей концентрацией 10 14, концентрация основных носителей электронов составляет (sm -3 ), а концентрация неосновных носителей – дырок – 1(sm -3). Поэтому, если при оптическом поглощении в фотоприемнике на основе GaAs возникает неравновесных носителей, то проще зарегистрировать изменение концентрации неосновных носителей. В фотодиодах на основе p-n переходов как раз и реализован принцип регистрации изменения концентрации неосновных носителей под влиянием внешнего излучения. В фотодиодах на основе p-n переходов как раз и реализован принцип регистрации изменения концентрации неосновных носителей под влиянием внешнего излучения.

Особенности: простота технологии изготовления и структур сочетание высокой фоточувствительности и быстродействия малое сопротивление базы малая инерционность

Параметры и характеристики токовая чувствительность по световому потоку вольтовая чувствительность по энергетическому потоку Полный ток в фотодиоде JФ = q ηαLpΦ. фототок.

Кривые спектральной чувствительности: Кривые спектральной чувствительности: 1) германиевого, 2) кремниевого фотодиодов. 1) германиевого, 2) кремниевого фотодиодов.

Структурная схема фотодиода. 1 кристалл полупроводника; 2 контакты; 3 выводы; Ф поток электромагнитного излучения; Е источник постоянного тока; RH нагрузка.

Классификация p-i-n фотодиод В p-i-n структуре средняя i-область заключена между двумя областями противоположной проводимости. При достаточно большом напряжении оно пронизывает i-область, и свободные носители, появившееся за счет фотонов при облучении, ускоряются электрическим полем p-n переходов. Это дает выигрыш в быстродействии и чувствительности. Повышение быстродействия в p-i-n фотодиоде обусловлено тем, что процесс диффузии заменяется дрейфом электрических зарядов в сильном электрическом поле. Уже при Uобр0.1В p-i-n фотодиод имеет преимущество в быстродействии. В p-i-n структуре средняя i-область заключена между двумя областями противоположной проводимости. При достаточно большом напряжении оно пронизывает i-область, и свободные носители, появившееся за счет фотонов при облучении, ускоряются электрическим полем p-n переходов. Это дает выигрыш в быстродействии и чувствительности. Повышение быстродействия в p-i-n фотодиоде обусловлено тем, что процесс диффузии заменяется дрейфом электрических зарядов в сильном электрическом поле. Уже при Uобр0.1В p-i-n фотодиод имеет преимущество в быстродействии. Достоинства: Достоинства: 1) есть возможность обеспечения чувствительности в длинноволновой части спектра за счет изменения ширины i-области. 1) есть возможность обеспечения чувствительности в длинноволновой части спектра за счет изменения ширины i-области. 2) высокая чувствительность и быстродействие 2) высокая чувствительность и быстродействие 3) малое рабочее напряжение Uраб 3) малое рабочее напряжение Uраб Недостатки: Недостатки: сложность получения высокой чистоты i-области сложность получения высокой чистоты i-области Фотодиод Шоттки (фотодиод с барьером Шоттки) Структура металл-полупроводник. При образовании структуры часть электронов перейдет из металла в полупроводник p-типа.

Классификация Лавинный фотодиод В структуре используется лавинный пробой. Он возникает тогда, когда энергия фотоносителей превышает энергию образования электронно-дырочных пар. Очень чувствительны. Для оценки существует коэффициент лавинного умножения: В структуре используется лавинный пробой. Он возникает тогда, когда энергия фотоносителей превышает энергию образования электронно-дырочных пар. Очень чувствительны. Для оценки существует коэффициент лавинного умножения: Для реализации лавинного умножения необходимо выполнить два условия: Для реализации лавинного умножения необходимо выполнить два условия: 1) Электрическое поле области пространственного заряда должно быть достаточно большим, чтобы на длине свободного пробега электрон набрал энергию, большую, чем ширина запрещённой зоны: 1) Электрическое поле области пространственного заряда должно быть достаточно большим, чтобы на длине свободного пробега электрон набрал энергию, большую, чем ширина запрещённой зоны: 2) Ширина области пространственного заряда должна быть существенно больше, чем длина свободного пробега: 2) Ширина области пространственного заряда должна быть существенно больше, чем длина свободного пробега: W > > λ W > > λ Значение коэффициентов внутреннего усиления составляет M= в зависимости от типа фотодиодов. Значение коэффициентов внутреннего усиления составляет M= в зависимости от типа фотодиодов. Фотодиод с гетероструктурой Гетеропереходом называют слой, возникающий на границе двух полупроводников с разной шириной запрещённой зоны. Один слой р+ играет роль «приёмного окна». Заряды генерируются в центральной области. За счет подбора полупроводников с различной шириной запрещённой зоны можно перекрыть весь диапазон длин волн. Недостаток сложность изготовления. Гетеропереходом называют слой, возникающий на границе двух полупроводников с разной шириной запрещённой зоны. Один слой р+ играет роль «приёмного окна». Заряды генерируются в центральной области. За счет подбора полупроводников с различной шириной запрещённой зоны можно перекрыть весь диапазон длин волн. Недостаток сложность изготовления.

P-i-N-фотодиод PIN-диод разновидность диода, в котором между областями электронной (n) и дырочной (p) проводимости находится собственный (нелегированный, англ. intrinsic) полупроводник (i- область). p и n области как правило легируются сильно, так как они часто используются для омического контакта к металлу. Широкая нелегированная i-область делает pin- диод плохим выпрямителем (обычное применение для диода), но с другой стороны это позволяет использовать его в аттенюаторах (ослабителях сигнала), быстрых переключателях, фотодетекторах, а также в высоковольтной электронике. Как правило предназначен для работы в сантиметровом диапазоне волн (СВЧ).

Принцип работы Характерные качества pin-диода проявляются при работе в режиме сильной инжекции, когда i-область заполняется носителями заряда из сильнолегированных n+ и p+ областей, к которым прикладывается прямое смещение напряжения. pin- диод функционально можно сравнить с ведром воды с отверстием сбоку как только ведро наполняется до уровня отверстия оно начинает протекать. Точно так же и диод начинает пропускать ток, как только заполнится носителями заряда i-область. Из-за того, что в i-области очень низкая концентрация носителей заряда, там практически отсутствуют процессы рекомбинации во время инжекции. Но в режиме прямого смещения концентрация носителей заряда на несколько порядков превышает собственную концентрацию

На низких частотах для pin-диода справедливы те же уравнения, что и для обычного. На высоких частотах pin-диод ведет себя как практически идеальный резистор его вольт-амперная характеристика (ВАХ) линейна даже для очень большого значения напряжения. На высоких частотах в i-области находится большое количество накопленного заряда, который позволяет диоду работать. На низких частотах заряд в i-области рекомбинирует и диод выключается. Высокочастотное сопротивление обратно пропорционально постоянному току, протекающему через pin-диод. Таким образом, можно варьировать значение сопротивления в широких пределах от 0.1 Ом до 10КОм меняя постоянную составляющую тока. Большая ширина i-области также означает, что pin-диод имеет небольшую ёмкость при обратном смещении. Области пространственного заряда (ОПЗ) в pin-диоде практически полностью находятся в i-области. По сравнению с обычными, pin-диод имеет значительно большую ОПЗ, границы которой незначительно меняются в зависимости от приложенного обратного напряжения. Таким образом увеличивается объем полупроводника, где могут быть образованы электронно дырочные пары под воздействием излучения (например, оптического фотона)

Лавинные фотодиоды Лавинные фотодиоды, ЛФД (avalanche photodiode (APD)) это высокочувствительные полупроводниковые приборы, преобразующие свет в электрический сигнал за счёт фотоэффекта. Их можно рассматривать в качестве фотоприёмников, обеспечивающих внутреннее усиление посредством эффекта лавинного умножения. С функциональной точки зрения они являются твердотельными аналогами фотоумножителей. Лавинные светодиоды обладают большей чувствительностью по сравнению с другими полупроводниковыми фотоприёмниками, что позволяет использовать их для регистрации малых световых мощностей ( 1 нВт). Структура лавинного фотодиода на основе кремния: 1 - омические контакты, 2 - антиотражающее покрытие

При подаче сильного обратного смещения (близкого к напряжению лавинного пробоя, обычно порядка нескольких сотен вольт для кремниевых приборов), происходит усиление фототока (примерно в 100 раз) за счёт ударной ионизации ( лавинного умножения) генерированных светом носителей заряда. Суть процесса в том, что энергия образовавшегося под действием света электрона увеличивается под действием внешнего приложенного поля и может превысить порог ионизации вещества, так что столкновение такого "горячего" электрона с электроном из валентной зоны может привести к возникновению новой электрон-дырочной пары, носители заряда которой также будут ускоряться полем и могут стать причиной образования всё новых и новых носителей заряда. Исходя из того, что в общем случае с возрастанием обратного напряжения растёт и коэффициент усиления, существует ряд технологий, позволяющих повысить напряжение пробоя до более чем 1500 вольт, и получить таким образом усиление более чем в 1000 раз. Следует иметь ввиду, что простое повышение напряженности поля без предприятия дополнительных мер может привести к увеличению шумов. L - длина обрасти пространственного заряда, а α коэффициент умножения для электронов (и дырок). Этот коэффициент сильно зависит от приложенного напряжения, температуры и профиля легирования. Отсюда возникает требование хорошей стабилизации питающего напряжения и температуры, либо учёт температуры задающей напряжение схемой.

Технологии изготовления Для создания данного класса приборов может быть использован широкий круг полупроводников: Для создания данного класса приборов может быть использован широкий круг полупроводников: Кремний используется для работы в ближнем ИК-диапазоне, при этом имеет малые шумы, связанные с умножением носителей. Германий принимает инфракрасные волны длиной до 1.7 мкм, но приборы на его основе имееют заметные шумы. InGaAs обеспечивает приём волн длиной от 1.6 мкм, при этом имея меньшие нежели у германия шумы. Обычно этот материал используется для изготовления лавинных фотодиодов на гетероструктурах, также включающих InP в качестве подложки и второго компонента для создания гетероструктуры.Эта система имеет рабочий диапазон в пределах 0,9 0,7 мкм. У InGaAs высокий коэффициент поглощения на длинах волн, используемых в телекоммуникации через волоконно-оптические линии связи, таким образом достаточно даже микронных слоёв InGaAs для полного поглощения излучения. Эти материалы обеспечивают небольшие задержки и малые шумы, что позволяет получить устройства с полосой частот более 100 ГГц для простой InP / InGaAs системы и до 400 ГГц для InGaAs на кремнии. Это делает возможным передачу данных на скоростях, превышающих 10 Гбит/с Зонная диаграмма лавинного фотодиода на сверхрешетке. Нитрид галлия используется для работы с ультрафиолетовым светом

Фототранзистор Фототранзи́стор оптоэлектронный полупроводниковый прибор, вариант биполярного транзистора. Отличается от классического варианта тем, что область базы доступна для светового облучения, за счёт чего появляется возможность управлять усилением электрического тока с помощью оптического излучения. Фототранзистор имеет структуру n-p-n или p-n-p транзистора и может усиливать ток. Дырки электронно-дырочных пар, рождённых излучением, находятся в базе, а электроны переходят в эмиттер или коллектор. При увеличении положительного потенциала базы происходит усиление фототока за счёт инжекции электронов из эмиттера в базу.