РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий ОЖЕ МИКРОАНАЛИЗАТОР JAMP – 9500 F Образец до травления Образец после.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий СКАНИРУЮЩИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП JSM-6390LV Скан образца строительного.
Advertisements

РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий Сканирующий высоковакуумный зондовый микроскоп атомарного разрешения.
ВТОРИЧНЫЙ ИОННЫЙ МАСС-СПЕКТРОМЕТР PHI-6600 фирмы PERKIN ELMER Исследование элементного состава и распределения примесей по глубине основано на анализе.
Области применения: Физика твердого тела Микроэлектроника Оптика Тонкопленочные технологии Нанотехнологии Полупроводниковые технологии Микро- и нанотрибология.
Разработка технологий повышения эксплуатационных свойств циркониевых конструкционных элементов ядерных энергетических реакторов Б.В. Бушмин, В.С. Васильковский,
Растровая электронная микроскопия и элементный анализ Батурин А.С. 26 октября 2005 года.
1 Основные направления деятельности 1.Наномодифицированные полимерные композиционные материалы. 2. Защитные наноструктурированные покрытия нового поколения.
Растровый микроскоп Подготовил: Воробьев Н.В. Схема растрового электронного микроскопа.
ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ С ЗАМКНУТЫМ ДРЕЙФОМ ЭЛЕКТРОНОВ. КТО МЫ? Команда разработчиков и производителей оборудования для технологий вакуумного ионно-плазменного.
Программа Президиума РАН Отделение нанотехнологий и информационных технологий Проект 27.4 «Физические основы электронно-пучковой наноструктуризации металлов.
1 ОЖЕ-ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ОЖЕ-ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ В.И. Троян, М.А. Пушкин, В.Д. Борман, В.Н. Тронин презентация к лекциям по курсу «Физические.
Формирование и исследование наноразмерных объектов с помощью экспериментальных методик развитых в НИИЯФ МГУ Автор: Черн ых Павел Николаевич..
Плазменные установки. Плазменный нагрев Дуга, свободно горящая в воздухе, имеет температуру столба К. Если сжать ее потоком газа, то температура.
Применение IT в модернизации Smart-cut метода формирования структру Кремний-на-изоляторе Выполнил: Козлов Андрей Викторович Руководитель: к.ф.-м.н. Чваркова.
Лекционный курс «Физические основы измерений» Раздел ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ НАНОТЕХНОЛОГИЙ Тема ЗОНДОВЫЕ МИКРОСКОПЫ. 1. СКАНИРУЮЩИЙ (РАСТРОВЫЙ) ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП.
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий Сканирующий зондовый микроскоп NanoEducator (СЗМ) Контактная литография.
Лекция 23Слайд 1 Темы лекции 1.Принцип действия растрового электронного микроскопа. 2.Схема РЭМ. 3.Понятие увеличения в РЭМ. 4.Детектор электронов.
Сканирующая электронная микроскопия. Растровый электронный микроскоп прибор, предназначенный для получения изображения поверхности объекта с высоким (до.
СРАВНЕНИЕ НЕКОТОРЫХ СПЕКТРАЛЬНЫХ МЕТОДОВ АНАЛИЗА ЭОС РФС (ЭСХА) Динамический ВИМС Времяпролетный ВИМС Область применения Поверхность, частицы, анализ дефектов,
Министерство образования и науки Российской Федерации Калужский филиал федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального.
Транксрипт:

РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий ОЖЕ МИКРОАНАЛИЗАТОР JAMP – 9500 F Образец до травления Образец после травления Результат профилирования многослойной структуры

Диаметр пучка в режиме Оже, не более ( в режиме 25кВ, ток пучка 1 нА) 8 нм Разрешение во вторичных электронах, не хуже ( в режиме 25 кВ, ток пучка 1пА) 3 нм Увеличение25 – крат – А. Ускоряющее напряжение0,5 – 30 кВ Разрешение в режиме Оже по энергиям 0,05 - 0,6% Система откачкибезмасляная Предельное давление в камере образцов, не более 5 х Па ОтжигВстроенный нагреватель или автоматический отжиг Температура отжига, не менее150 0 С Установка предназначена для изучения и анализа поверхности образцов различного происхождения, устойчивых в условиях сверхвысокого вакуума, получения информации о химическом составе, концентрации и химическом состоянии исследуемого соединения в сверхмалой области образца, как на поверхности, так и в малой приповерхностной области. Технические характеристики Электронно-оптическая система: Вакуумная система: Ионная пушка: Энергия ионов0, кэв Ток ионного пучка, не менее2 мкА при 3 кэв 0,03 мкА при 10 эв Скорость травления, не менее200 нм/мин при 3кэв 10 нм/мин при 10 эв. Диаметр ионного пучка, не более200 мкм