САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОМУ ГОСУДАРСТВЕННОМУ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОМУ УНИВЕРСИТЕТУ «ЛЭТИ» История великих людей

Писаревский Николай Григорьевич ( ) Организатор и первый директор технического училища почтово- телеграфного ведомства ( ). Директор Электротехнического института ( ).

Попов Александр Степанович ( ) Изобретатель радио. Почетный инженер-электрик. Первый выборный директор Электротехнического Института Императора Александра III ( ).

Первое здание ЭТИ

Второе здание ЭТИ

Сименс Фридрих Карл ( ) Предприниматель, промышлен- ник, глава СПб электро- технической фирмы «Сименс и Гальске» ( ) и немецкого концерна «Сименс АГ» ( ). Почетный инженер-электрик ЭТИ (1899) – 1882 гг. – построил в Спб крупнейший кабельный завод, потребляющий кавказскую медь г. – построил плавучую электростанцию и обеспечил электрическое оснащение Невского пр. и Б. Морской улицы.

Шателен Михаил Андреевич ( ) Первый профессор электротехники России. В 1893г. был избран профессором первой в России кафедры электротехники в ЭТИ и занимал ее до 1901 года. В 1910г. Организовал лабораторию высокого напряжения (до 400 кВ) и опытную линию электропередачи высокого напряжения. В 1919г. был избран ректором Политехнического института.

Графтио Генрих Осипович ( ) Один из пионеров отечественного гидроэнергостроительства гг. директор ЭТИ.

Гаккель Яков Модестович ( ) Зав. каф. электрической тяги ( ). Один из организаторов трамвайного движения в СПб.

Дмитриев Владимир Владимирович ( ) Создатель научной школы теплоэнергетики. Основатель и зав. первой в России кафедры тепловых электрических станций.

Вологдин Валентин Петрович ( ) Основоположник техники высоких частот в России.

Соколов Сергей Яковлевич ( ) Основатель и заведующий первой в мире кафедры электроакустики.

Фрейман Имант Георгеевич ( ) Один из основателей отечественной радиотехники.

Ринкевич Сергей Александрович ( ) Основатель отечественной школы электропривода.

Берг Аксель Иванович ( ) Берг Аксель Иванович, выдающийся советский радиотехник, инженер- адмирал, академик АН СССР (1946; член-корреспондент 1943), Герой Социалистического Труда (1963). В качестве штурмана подводной лодки принимал участие в 1-й мировой войне , В заместитель наркома электропромышленности, в заместитель председателя Совета по радиолокации, в заместитель министра обороны. Награжден 3 орденами Ленина. За работы по радиотехнике награжден АН СССР в 1951 золотой медалью им. А. С. Попова.

Богородицкий Николай Петрович (1902 – 1967) Выдающийся ученый в области электротехнических материалов, один из основателей производства и применения в СССР радиокерамики и ВЧ (высокочастотных) диэлектрических материалов. Заведующий кафедрой диэлектриков и полупроводников ( ) - первой в СССР и одной из первых в мире кафедр, готовивших специалистов по твердотельной электронике. Лауреат Государственных премий (1942, 1952, 1952), Заслуженный деятель науки и техники РСФСР (1963). Ректор ЛЭТИ ( ).

Алферов Жорес Иванович Жоре́с Ива́нович Алфёров (род. 15 марта 1930) советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года за разработку полу- проводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов, академик РАН. В годах вице-президент АН СССР, Академик АН СССР (1979), затем РАН, почётный академик Российской академии образования. Вице-президент РАН, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН. Главный редактор «Писем в Журнал технической физики».

Научные школы: Научная школа в области физики твердого тела. Научная школа в области оптико-электронных систем. Научная школа в области сверхвысокочастотной микро- и наноэлектроники. Научная школа в области вакуумной и плазменной электроники. По итогам всероссийского конкурса научные школы факультета ЕЖЕГОДНО входят в 100 ведущих научных школ России, финансируются правительством РФ. Ежегодные гранты президента РФ для молодых ученых. Ежегодные государственные контракты и гранты на проведение научных исследований, финансируемые Минобрнауки РФ, РФФИ, Правительством США, ЕС, Международным научно-техническим центром, LG electronics, Samsung и тд. За последние 3 года факультет заработал 1 млрд. руб. научными исследованиями и вложил 400 млн. руб. в техническое переоснащение научных лабораторий. Более 100 научных публикаций и 10 патентов ежегодно. Мы публикуемся в: Nature, Physical Review, Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters, Integrated ferroelectrics, Semiconductor Science Technology, Журнал Технической Физики, Физика Твердого Тела, Физика Полупроводников и тд. ЛЭТИ сегодня факультет электроники

Индекс цитирования научных работ: по данным ЛЭТИ занимает 4 место в рейтинге цитирования научных работ среди технических ВУЗов РФ Суммарный индекс цитирования ЛЭТИ составляет 7731

Технология монокристаллического карбида кремния (метод ЛЭТИ). Технология монокристаллических высокотемпературных сверхпроводников. Государственная премия СССР за работу в области спинволновой электроники сверхвысоких частот. Государственная премия РФ за работу в области технологии производства мощных генераторных ламп. Премия правительства США "100 лучших работ в области научно- технической деятельности" (Research&Development 100 Award) за работу в области сегнетоэлектричества. Впервые в мире разработана спектральная аппаратура для дистанционного зондирования окружающей среды из космоса. ЛЭТИ сегодня факультет электроники

ЛЭТИ сегодня НАНОТЕХНОЛОГИИ ЦЕНТР МИКРОТЕХНОЛОГИИ И ДИАГНОСТИКИ: Единственный на северо-западе РФ по технической оснащенности научно- исследовательский и учебный центр мирового уровня в области микро- и наносистемной техники, обладающий более чем 20-летним опытом работы в области микро- и нанотехнологий. Ежегодный объем научных исследований ЦМИД составляет более 200 млн. руб.

Учебные заведения, признанные респондентами мировыми лидерами в области нанотехнологий Название учебного заведения Доля от числа респондентов, ответивших на вопрос Массачусетсткий технологический институт26% Московский государственный университет им.Ломоносова26% Московский институт электронной техники (МИЭТ)13% Стэнфордский университет13% Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ) 10% Московский институт стали и сплавов (МИСИС)10% Калифорнийский университет в Беркли6% Корнельский университет6% Институт Дрекслера3% Калифорнийская академия нанотехнологий3% Университет Иллинойса3% РНЦ «Курчатовский институт»3% Южный федеральный университет (ЮФУ)3% Санкт-Петербургский государственный университет3% Московский физико-технический институт (МФТИ)3% Университет Райса3% Томский политехнический университет (ТПУ)3% Московский государственный технический университет им.Баумана3%

Стажировки студентов Дрезденский технический университет (Германия) Ганноверский технический университет (Германия) Университет г. Кайзерслаутерн (Германия) Университет г. Вупперталь (Германия) Технический университет г. Дармштадт (Германия) Университет г. Мюнхен (Германия) Технический университет г. Берлин (Германия) Научно-исследовательский центр г. Юлих (Германия) Университет г. Сент-Андрюс (Великобритания) Университет г. Бирмингем (Великобритания) Университет г. Глазго (Великобритания) Технический университет Лиссабона (Португалия) Университет штата Южная Каролина (США) Техасский технический университет (США) Университет штата Колорадо (США) Университет г. Труа (Франция) Университет Бен Гуриона (Израиль) Институт электроники Болгарской Академии Наук Лаппеенрантский технологический университет (Финляндия) Университет г. Оулу (Финляндия) Чалмерский технический университет (Швеция)

до встречи на