Гетеропереходы, светодиоды и полупроводниковые лазеры Доклад

План доклада Общие сведенияОбщие сведения Тема 1. Гетеропереходы Общие сведенияОбщие сведения Светодиоды видимого диапазонаСветодиоды видимого диапазона Светодиоды инфракрасного диапазонаСветодиоды инфракрасного диапазона Светодиоды на соединениях нитрида галлияСветодиоды на соединениях нитрида галлия Тема 2. Светодиоды Общие сведенияОбщие сведения Лазеры на гетероструктурахЛазеры на гетероструктурах Тема 3. Полупроводниковые лазеры

Тема 1. Гетеропереходы Общие сведения

Гетеропереходы. Общие сведения Гетеропереходом называют контакт двух полупроводников различного вида и разного типа проводимости. Примеры гетеропереходов: n-Ge – p-GaAs (классический переход); n-Ge – p-GaAs (классический переход); p-GaAs – p + -GaInP. p-GaAs – p + -GaInP. Условия, необходимые для существования гетероперехода: 1)структура кристаллической решетки полупроводников должна быть одинакова; 2)постоянные решетки и температурные коэффициенты расширения (ТКР) у этих материалов должны совпадать с высокой степенью точности.

Гетеропереходы. Общие сведения Типичные материалы гетеропереходов: германий (Ge); германий (Ge); арсенид галлия (GaAs); арсенид галлия (GaAs); фосфид индия (InP); фосфид индия (InP); четырехкомпонентный раствор (In x Ga 1-x As y P 1-y ). четырехкомпонентный раствор (In x Ga 1-x As y P 1-y ). При построении зонной диаграммы гетероперехода необходимо учитывать следующие факторы: 1)уровень вакуума E = 0 непрерывен; 2)электронное сродство χ в пределах одного сорта полупроводника постоянно; 3)ширина запрещенной зоны E g в пределах одного сорта полупроводника постоянна.

Гетеропереходы. Общие сведения На зонной диаграмме гетероперехода в области металлургической границы при сращивании дна зоны проводимости E C полупроводников, а также вершины их валентной зоны E V образуются разности высот этих зон: ΔE C и ΔE V. Такие разности проявляются в образовании «пичков» и «разрывов» на зонной диаграмме. Их суммарная величина составляет: ΔE C + ΔE V = ΔE g. ΔE g – разность ширины запрещенной зоны полупроводников, составляющих гетеропереход.

Зонная диаграмма классического гетероперехода n-Ge – p- GaAs в равновесных условиях

Гетеропереходы. Общие сведения Характерные особенности гетероперехода: 1)автоматическая реализация явления односторонней инжекции; 2)наличие двумерного электронного газа в области «пичка»; 3)явление сверхинжекции.

Зонная диаграмма гетероперехода, иллюстрирующая двумерное квантование

Тема 2. Светодиоды Общие сведения

Светодиоды. Общие сведения Светодиодом, или излучающим диодом, называют полупроводниковый диод на базе p-n-перехода или гетероперехода, излучающий кванты света при протекании через него прямого тока. При этом излучаемый свет монохроматичен. Длина волны излучения определяется химическим составом используемых полупроводниковых материалов и легирующих примесей. Интенсивность излучения светодиода при межзонных переходах описывается следующим соотношением:

Внешний вид светодиодов

Спектр излучения красного светодиода АЛ112 при температуре T = 300 К

Светодиоды. Общие сведения По характеристике излучения светодиоды разделяют на две группы: светодиоды с излучением в видимой части спектра; светодиоды с излучением в видимой части спектра; светодиоды с излучением в инфракрасной части диапазона. светодиоды с излучением в инфракрасной части диапазона.

Тема 2. Светодиоды Светодиоды видимого диапазона

Светодиоды. Светодиоды видимого диапазона Спектральная чувствительность человеческого глаза находится в диапазоне цветов от фиолетового до красного и имеет максимум для зеленого цвета. По длинам волн этот диапазон находится от 0,39 до 0,77 мкм, что соответствует энергии квантов света от 2,8 до 1,8 эВ. Твердый полупроводниковый раствор GaAs 1–x P x : x = 0, GaAs, E g = 1,424 эВ; x = 0, GaAs, E g = 1,424 эВ; x = 1, GaP, E g = 2,31 эВ. x = 1, GaP, E g = 2,31 эВ.

Энергетическая зонная структура GaAs 1–x P x. Значения состава соответствуют красному (x = 0,4), оранжевому (0,65), желтому (0,85) и зеленому (1,0) цветам

Светодиоды. Светодиоды видимого диапазона Цвета фотодиодов, выпускаемых в промышленности: красный (1,8 эВ GaP, ZnO, GaAs 0,6 P 0,4 ); красный (1,8 эВ GaP, ZnO, GaAs 0,6 P 0,4 ); оранжевый(GaAs 0,35 P 0,65 ); оранжевый(GaAs 0,35 P 0,65 ); желтый (GaAs 0,14 P 0,86 ); желтый (GaAs 0,14 P 0,86 ); зеленый (2,3 эВ GaP, ZnTe); зеленый (2,3 эВ GaP, ZnTe); голубой (2,4 эВ GaAs-ErYb, SiC, CdS); голубой (2,4 эВ GaAs-ErYb, SiC, CdS); фиолетовый (2,8 эВ GaN). фиолетовый (2,8 эВ GaN).

Спектральные характеристики светодиодов, изготовленных из различных полупроводниковых материалов, с указанием стехиометрии полупроводниковых соединений

Светодиоды. Светодиоды видимого диапазона В светодиодах используют полупроводниковые структуры с плоской геометрией. Прямозонные светодиоды (красные) формируются на подложках GaAs, непрямозонные (оранжевые, желтые и зеленые) – на подложках GaP. При использовании подложки GaAs на нее наращивается переходный слой GaAs 1–x P x с переменным составом (х изменяется в пределах 0–0,4), а затем слой GaAs 1–x P x с постоянным составом.

Светодиоды. Светодиоды видимого диапазона Полная эффективность преобразования η F электрического сигнала в оптический дается следующим выражением: Здесь P – мощность на входе, (1 – cosθ c ) – телесный угол, Φ(λ) – скорость генерации фотонов в единицах [фотон/(с · см 2 )], R 1 – коэффициент отражения от тылового контакта, α и x – соответственно коэффициенты поглощения и толщина p- и n-областей прибора.

Конструкции светодиодов (а), (б) и разрез трех светодиодов с различными типами корпусов: в) полусфера, г) усеченная сфера, д) параболоид

Тема 2. Светодиоды Светодиоды инфракрасного диапазона

Светодиоды. Светодиоды инфракрасного диапазона Области применения светодиодов ИК-излучения: оптоэлектронные устройства коммутации; оптические линии связи; системы дистанционного управления. Наиболее распространенный в настоящее время инфракрасный источник – это светодиод на основе GaAs (λ = 0,9 мкм). Также в ИК-светодиодах используется твердый раствор переменного состава GaInAsP (λ = 1,0–1,3 мкм), наиболее популярный Ga 0,28 In 0,72 As 0,6 P 0,4 (λ = 1,26 мкм).

Тема 2. Светодиоды Голубые светодиоды коротковолнового диапазона на соединениях нитрида галлия

Светодиоды. Светодиоды коротковолнового диапазона Нитриды элементов третьей группы (GaN, AlN, InN) и тройные соединения на их основе являются широкозонными полупроводниками с прямыми оптическими переходами. Особенности светодиодов на основе гетероструктуры InGaN/GaN: 1)высокая интенсивность люминесценции, достигающая 2– 3 кд; 2)высокое значение квантового выхода η = 5,4 %.

Типовая структура светодиода с планарной генерацией излучения на основе гетероструктур InGaN/GaN

Светодиоды. Светодиоды коротковолнового диапазона Внутренний слой InGaN имеет меньшую ширину запрещенной зоны, чем наружный слой GaN, поэтому верхний электрод является прозрачным для оптического излучения видимого диапазона. В синих светодиодах на основе соединений GaN используется активный слой In 0,06 Ga 0,94 N, легированный цинком. В зеленых светодиодах активный слой толщиной 3 нм имеет состав In 0,2 Ga 0,8 N.

Светодиоды на основе гетероструктур InGaN/GaN: а) голубой светодиод с двойной гетероструктурой; б) зеленый светодиод с квантовой ямой

Тема 3. Полупроводниковые лазеры Общие сведения

Полупроводниковые лазеры. Общие сведения Полупроводниковым лазером называют оптоэлектронное устройство, генерирующее когерентное излучение при пропускании через него электрического тока. Другими словами, лазер – это тот же светодиод, который генерирует когерентное излучение. Принцип действия и конструктивные особенности полупроводниковых лазеров во многом сходны с полупроводниковыми светодиодами.

Схема энергетических уровней, иллюстрирующая спонтанное и стимулированное излучение

Принцип действия полупроводникового лазера на основе p-n- перехода: а) отсутствие смещения; б) при смещении в прямом направлении

Полупроводниковые лазеры. Общие сведения Конструктивно активный слой из p-n-перехода помещается между двумя металлическими электродами. Типичные размеры активной области не превышают 200–500 мкм, отражающие поверхности создаются путем скалывания выходных граней полупроводникового монокристалла. [Размер лазерного пучка 5 мкм] > [активная область в поперечном направлении = 1 мкм] пороговая плотность тока 10 5 А/см 2 (GaAs) перегрев лазера. Значение тока, при котором появляется линия когерентного излучения, называют пороговым током.

Структура полупроводникового лазера на гомопереходе

Тема 3. Полупроводниковые лазеры Лазеры на гетероструктурах

Полупроводниковые лазеры. Лазеры на гетероструктурах Лазеры на гетероструктурах с одним гетеропереходом: n-GaAs – p-Ge, p-GaAs – n- Al x Ga 1–x As; с одним гетеропереходом: n-GaAs – p-Ge, p-GaAs – n- Al x Ga 1–x As; c двумя гетеропереходами: n-Al x Ga 1–x As – p-GaAs – p + - Al x Ga 1–x As). c двумя гетеропереходами: n-Al x Ga 1–x As – p-GaAs – p + - Al x Ga 1–x As). Использование гетероперехода позволяет реализовать одностороннюю инжекцию при слаболегированном эмиттере лазерного диода и существенно уменьшить пороговый ток.

Зонная диаграмма полупроводникового лазера на двойном гетеропереходе: а) чередование слоев в лазерной двойной n-p-p+-гетероструктуре; б) зонная диаграмма двойной гетероструктуры при нулевом напряжении; в) зонная диаграмма лазерной двойной гетероструктуры в активном режиме генерации лазерного излучения

Структура полупроводникового лазера на двойном гетеропереходе: приборная реализация лазерного диода Al 0,3 Ga 0,7 As (p) – GaAs (p) и GaAs (n) – Al 0,3 Ga 0,7 As (n), активная область – слой из GaAs (n)

Полупроводниковые лазеры. Лазеры на гетероструктурах Активная область представляет собой слой n-GaAs толщиной от одной десятой до трех десятых микрометра (0,1–0,3 мкм). В такой структуре удается снизить пороговую плотность тока почти на два порядка (~10 3 А/см 2 ) по сравнению с устройством на гомопереходе. Самая слабая зависимость от температуры из всех лазерных структур наблюдается для лазеров на двойных гетероструктурах (ДГ-лазеров). Поскольку J th в ДГ-лазерах при 300 К может достигать значений порядка 10 3 А/см 2 и менее, оказывается возможным реализовать режим непрерывной генерации при комнатной температуре.

Зависимость пороговой плотности тока от температуры для различных типов полупроводниковых лазеров