Характеристики биполярного транзистора Галов Александр г.21305
Устройство биполярного транзистора Рис.1. Схематическое изображение транзистора типа p-n-p. Э - эмиттер, Б - база, К - коллектор, W- толщина базы, ЭП – эмиттерный переход, КП – коллекторный переход.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора. 1.Дифференциальный коэффициент передачи тока 2.Сопротивление эмиттерного перехода 3.Сопротивление коллекторного перехода 4.Коэффициент обратной связи 5.Дифференциальный коэффициент передачи тока (для схемы с общим эмиттером) (I к =const) (I э =const)
Характеристики БТ в схеме с ОЭ 1. Выходные характеристики – зависимость тока коллектора Iк от напряжения на коллекторе Uк при постоянном токе базы Iб (рис.9а). Iк = f(Uк); Iб = const, Iб3> Iб2> Iб1. 2. Входная характеристика – зависимость тока базы Iб от напряжения на базе Uб при постоянном напряжении на коллекторе Uк (рис.9б): Iб = f(Uб); Uк = const. 3. Переходная характеристика – зависимость тока колллектора Iк от тока базы Iб при постоянном напряжении на коллекторе Uк (рис.9в): Iк = f(Iб); Uк = const.
Характеристики БТ в схеме с ОЭ
Характеристики БТ как четырехполюсника. Свойства транзистора характеризуются параметрами, которые делятся на: 1) физические – коэффициент усиления по току a, сопротивления rэ, rб, rк; эти параметры характеризуют свойства самого транзистора, независимо от схемы включения; 2) схемотехнические – имеют различные значения для разных схем включения. Существуют несколько систем схемотехнических параметров, но все они основаны на том, что транзистор как элемент схемы на малом переменном сигнале рассматривается в виде линейного активного четырехполюсника.
Характеристики БТ как четырехполюсника.
Основной для БТ является система h-параметров. Каждый из h-параметров имеет определенный физический смысл. 1)Параметр h11 представляет собой величину входного сопротивления транзистора rвх при коротком замыкании на выходе (U2=0) и измеряется в Омах. h11 = U1/I1; при U2=0 2)Параметр h12 называется коэффициентом обратной связи и равен отношению входного напряжения U1 к выходному U2 при разомкнутой входной цепи(I1=0). h12 = U1/U2; при I1=0 3)Параметр h22 представляет собой выходную проводимость транзистора при разомкнутом входе (I1=0) и измеряется в микросимменсах ( 1 мкСм =10-6См = 1 мкА/В).h22 = I2/U2; при I1=0 4)Параметр h21 – коэффициент прямой передачи тока при коротком замыкании на выходе.h21 = I2/I1; при U2=0
Характеристики БТ как четырехполюсника. Поскольку транзистор имеет три электрода и используется как четырехполюсник, то один из его электродов является общим для входной и выходной цепи. При этом значения h-параметров отличаются в зависимости от схемы включения биполярного транзистора: hб для схемы с общей базой или hэ для схемы с общим эмиттером.
h - параметры можно определить с помощью статических характеристик методом измерения их на постоянном токе. Тогда роль малого переменного тока и напряжения будут играть малые приращения постоянных токов Iб, Iк, и напряжений Uк, Uб. Для схемы с общим эмиттером. В справочниках чаще указаны h- параметры для схемы с ОБ (hб), которые можно найти путем пересчета, если известны h- параметры для схемы с ОЭ (hэ):
Между физческими параметрами и h-параметрами для биполярного транзистора в схеме с общей базой существует взаимосвязь:
Благодарим за внимание