Классификация (ГОСТ) и условные обозначения полупроводниковых приборов.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Выполнили студентки III курса ФТФ гр Митина А.А. и Москалева В.О. ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов.
Advertisements

Автор: Старков Д.А., группа 21302, ФТФ. ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. Приборы полупроводниковые.
ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов. ГОСТы Классификации: Классификации: Российская РоссийскаяРоссийская Американская АмериканскаяАмериканская.
Презентация по твердотельной электронике. Тема презентации: Классификация и обозначения полупроводниковых приборов. Выполнили студенты физико- технического.
ГОСТы и обозначения ГОСТы и обозначения Авторы. Авторы Работу выполнили студенты ФТФ гр.21306: Сабуров С.Н., Ахала А.О.
ГОСТы и условные графические обозначения. При использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации.
ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов Работу выполнил студент группы Берегов Роман.
Графические обозначения Графические обозначения Графические обозначения Графические обозначения Классификации Классификации Классификации.
ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов Работу выполнили студенты группы Федотов Роман Филиппов Артём.
ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов. Автор Студент ФТФ группа Ковин А.М.
Классификация и обозначения полупроводниковых приборов Выполнено: Тепликов И. Сенюков Е.
Стандарты для полупроводниковых приборов Выполнили: студенты группы Мысков Владимир Сладковский Евгений Титовский Михаил.
ГОСТы и обозначения ГОСТы и обозначения. Работу выполнил Работу выполнил Мищериков М.Г. Мищериков М.Г.
Госты и Обозначения Госты и ОбозначенияВот и вся анимация.
ГОСТы ииии обозначения Презентацию подготовили: подготовили:подготовили: Ванин Роман Ванин Роман Ремшу Иван Ремшу Иван.
Маркировка зарубежных полупроводниковых компонентов Европейская система PRO-ELECTRON Европейская система PRO-ELECTRON Европейская система PRO-ELECTRON.
Выполнили: Ридаль Валентин Репин Максим Гр.21302, ФТФ, ПетрГУ.
Презентация по теме: ГОСТы и условные графические обозначения полупроводниковых приборов Выполнил: Студент группы Василевский М.И. Петрозаводск,
Первый конкурс Второй конкурс Третий конкурс Четвёртый конкурс.
ТРАНЗИСТОР 1.Биполярный транзистор. 2.Как работает транзистор. 3.Схема, демонстрирующая принцип работы транзистора. 4.Типы, параметры и характеристики.
Транксрипт:

Классификация (ГОСТ) и условные обозначения полупроводниковых приборов.

Условные графические обозначения В технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ По этой системе приборы обозначаются индексом (кодом, маркировкой) в котором первый является буквой или цифрой. Они соответствуют исходному материалу из которого изготовлен прибор. За первым элементом следует второй, в виде буквы и обозначает подкласс (группу) приборов. Третий элемент указывает назначение прибора, в виде цифры. Четвертый, пятый и шестой элементы определяют порядковый номер разработки технологического типа и обозначаются числами от 01 до 999. Седьмой элемент – буква (от А до Я, кроме З,О и Ч, схожих по написанию с цифрами), определяющая классификацию (разработку) по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии.

Графические обозначения полупроводниковых приборов Графические обозначения полупроводниковых приборов Диод выпрямительный Диод туннельный Диод обращенияВарикап

Диод светоизлучающийОдносторонний стабилитрон Двусторонний стабилитрон Диодный тиристор Графические обозначения полупроводниковых приборов Графические обозначения полупроводниковых приборов

Триодный, запираемый в обратном направлении выключаемый, с управлением по каналу Триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с управлением по катоду Транзистор типа p-n-p Транзистор типа n-p-n Графические обозначения полупроводниковых приборов Графические обозначения полупроводниковых приборов

Однопереходный транзистор с n- базой Полевой транзистор с каналом n-типа Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с p-каналом Графические обозначения полупроводниковых приборов Графические обозначения полупроводниковых приборов

Презентация завершена.