Лекция 15. Проблемы и предельные параметры планарной технологии. Наноэлектроника. Масштабирование при уменьшении планарных размеров. Диэлектрики с высокой.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Компьютерная электроника Лекция 19. Полевые транзисторы.
Advertisements

Выполнили: Миков А.Г., Пронин Е.Х. Руководитель: Гуртов В.А. Полевые Транзисторы 01 Старт !
Доклад на тему Полевые транзисторыПолевые транзисторы Выполнил: студент 3-го курса ФТФ гр Крюков Дмитрий Сергеевич.
Лекция 14. Элементы планарной технологии. Гетерограница Si-SiO 2 и её свойства. Рост кристаллов и плёнок, окисление. Металлизация, изоляция в СБИС, диэлектрики.
МДП транзисторы Стефанович Т.Г.
МДП транзисторы Выполнил студент группы : Тетерюк И.В.
Типы полевых транзисторов 1. с изолированным затвором - МДП - транзисторы - МНОП – элементы памяти - МДП – транзисторы с плавающим затвором - Приборы.
Полевые транзисторы Мытарев А.В. Мытарев А.В. Яковлева Д.А. гр
Выполнили студенты группы Никитин Н.Н. Дроздов А. В.
Проходные и переходные характеристики МДП- транзистора Трифонова Н. Харлукова О. гр
Лекция 12 Емкостные преобразователи Емкостный преобразователь представляет собой конденсатор, электрические параметры которого изменяются под действием.
Масштабирование, микроминиатюризация и физические ограничения в полупроводниковой микроэлектронике.
Исследование характеристик высокотемпературного одноэлектронного транзистора на основе наноструктур с одиночной квантовой точкой Организация-исполнитель:
Полевые транзисторы. Оглавление 1. Полевые транзисторы. 2. Оглавление. 3. Схемы МДП-транзисторов. 4. Цифровые фотографии полевого транзистора.
Переходные характеристики МДП транзистора Разгуляев О. А.
Устройство полевого транзистора Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей,
МНОП-транзисторы Салпагрова М. гр Понятие полевого тра-ра Полевые транзисторы : полупроводниковые приборы, работа которых основана на модуляции.
2. С управляющим p-n переходом 1. С изолированным затвором (МДП) 1.1. Со встроенным каналом 1.2. С индуцированным каналом Полевые транзисторы Полевые транзисторы-
МДП транзисторы. МДП транзистор Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении.
Полупроводниковые запоминающие устройства на основе МДП- транзисторов.
Транксрипт:

Лекция 15. Проблемы и предельные параметры планарной технологии. Наноэлектроника. Масштабирование при уменьшении планарных размеров. Диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью. Способы повышения быстродействия МДП- транзисторов, HEMT-транзисторы, увеличение подвижности индуцированное механическими напряжениями. Приборы на основе квантово-размерных структур.

Эффект короткого канала. Проблема уменьшения глубины p-n переходов. Уменьшение технологической нормы и длины канала

Проблемы масштабирования 1.Постоянство напряжённости электрического поля. Достоинства – плотность рассеиваемой энергии не растёт. Проблема – минимальное рабочее напряжение – вольта. 2.Обобщённый подход и обобщённый селективный подход. Напряжённость электрического поля увеличивается, длина и ширина канала масштабируется не пропорционально.

Проблема паразитных ёмкостей и сопротивлений, high-k диэлектрики, КНИ. Схема паразитных сопротивлений и паразитных ёмкостей в СБИС изготовленных по технологии МДП.

Некоторые альтернативные технологии a) Транзистор на основе КНИ; b) КНИ с двойным затвором; c) Транзистор с затворами в форме рыбьего плавника (FinFET); d) Много-затворный транзистор фирмы «Intel».

HEMT транзисторы. Использование материалов с высокой подвижностью носителей заряда (малой эффективной массой).

Увеличение подвижности, индуцированное механическими напряжениями. Увеличение тока в канале n и p типа кремния при приложении соответственно растягивающих и сжимающих механических напряжений.

Наноэлектроника 1.Одноэлектронные транзисторы. Кулоновская блокада. 2.Квантовые проволоки, углеродные нанотрубки. 3.Магнитная электроника. Сильный магниторезистивный эффект. 4.Спинтроника.