УНЦ МИЭТ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ 2012

УНЦМИЭТ Пути снижения стоимости продукции Оптимизация логистики производства Организация сборочного производства (печатные платы, корпуса, сборка) Проектирование и использование собственной элементной базы. 2012

УНЦМИЭТ Дизайн-центр предлагает своим заказчикам: Инновационные Технологии Долгосрочную Стратегию Профессиональный Подход Превышение Требований Заказчиков Центр проектирования ИС Цель дизайн-центра - стать неотъемлемой частью вашей дизайн-команды с общим видением создания продуктов высокого качества в срок и при минимальном бюджете 2012

УНЦМИЭТ Центр проектирования ИС Современный Дизайн-центр «Проект-под-Ключ» Конкурентная Цена с другими оффшорными компаниями Дизайн-центр полностью оснащен самым современным оборудованием для разработки и верификации ИС 38 инженеров (3 КТН & 6 Магистров) 2012

УНЦМИЭТ Система Обеспечения Качества Проекта График Проекта Чеклист Коммерческое Предложение Обзор этапа M1 2012

УНЦМИЭТ Инфраструктура ДЦ Современные серверные станции IBM x3455 для САПР Cadence Измерительное оборудование ведущих производителей Официальный САПР Cadence 2012

УНЦМИЭТ Технология производства ИС Производство интегральных микросхем – X-FAB Semiconductor Foundries GMBH Широкий выбор технологий производства ИС Сертификация ISO9001:2000, TS16949:2002

УНЦМИЭТ Семейство 16-разрядных микроконтроллеров 2012 К1894ВГ1Т1894ВЦ1УTF-16TTF16BS PLL(2-100) MHz(4-200) MHz-- POR & BOR++++ UART42-+ Timer/Counter121+ Capture/Compa re -1 (4 канала)-- PWM- 1 (3 комплим. канала) -- Parallel I/O3×16 бит2×16 бит-1 × 16 бит Serial I/OSPI DAC-4, 10 bit- ADC 8 каналов, 10 разр. 2 канала, 8 разр.3 канала, 16 разр. MROM1K×1664K×160.5K×161K×16 OTPROM--4K×16- SRAM16K×164K×161K×168K×16 Regulator (LDO) --+- MAC-16×16 = 40-- F clock, MHz50 10 P1мА/МГц 300мкА/МГц Vcc, В ÷ 3.6 Technology0.35

УНЦМИЭТ Топология семейства 16- разрядных микроконтроллеров 2012

УНЦМИЭТ СБИС для интеллектуального беспроводного датчика Автономный измеритель физических величин Радио-интерфейс обмена данными Минимальное количество выводов АЦП 16р. 16р. МК RF 865 МГц 2012

УНЦМИЭТ Структурная схема 2012

УНЦМИЭТ Характеристики Напряжение питания – 1.8 ÷ 3.6 В. Ток потребления – 300 мкА/МГц. Ток потребления в режиме Sleep – 1 мкА 16-разрядная RISC архитектура. 24-х выводной корпус. 16 КБ оперативная память. Энергосберегающие режимы работы. Интерфейсы UART, SPI. 16-разрядное сигма-дельта АЦП Радиочастотный приемопередатчик МГц. 2012

УНЦМИЭТ 16-разрядный Микроконтроллер с EPROM К1894ВГ2Т 2012

УНЦМИЭТ Акселерометр (Xemics XE2004) 2012

УНЦМИЭТ Реализовано в ASIC 2012

УНЦМИЭТ Датчик дыма 2012

УНЦМИЭТ Схема применения 2012

УНЦМИЭТ Датчики давления и температуры 2012 К1894ВГ2Т - специализированная СБИС для обработки мостовых датчиков. Встроенный 16-разрядный АЦП и предварительный усилитель с коэффициентами 1,2,4,8,16,32 позволяют выполнять прецизионные измерения. Встроенный подстраиваемый источник опорного напряжения. 16-разрядный микропроцессор выполняет необходимую цифровую обработку сигналов. Низкая потребляемая мощность (менее 250 мкА/МГц) и низко потребляющие режимы работы обеспечивают длительное время автономной работы. Диапазон рабочих температур -60…125°С Интегрированная среда разработки и отладки программного обеспечения предоставляет все средства для быстрой разработки приборов.

УНЦМИЭТ 2012 Датчик угловых/линейных перемещений (датчик Холла) Информация о проекте Измерение скорости/направления вращения и определение относительного или абсолютного углового положения вала (двигателя). БИС также позволяет определять линейное перемещение объекта. Выходной сигнал – инкрементальный квадратурный код (аналогично оптическим энкодерам) и SSI-интерфейс Максимальное угловое разрешение 0.09 градуса (12 бит) Максимальная измеряемая скорость вращения – оборотов/мин. (для кольца с 22 полюсными парами) Максимальная скорость линейного перемещения – 20 м/с (при длине полюсной пары 4 мм) Диапазон измеряемого магнитного поля 3-60 мТ Максимальная частота магнитного поля 10 кГц Автоматическая компенсация постоянной составляющей