2.10.Колебания поверхностных атомов При повышении температуры появляются колебания атомов около их равновесных положений Силы взаимодействия можно рассматривать.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
5.5.Электропроводность тонких сплошных пленок При увеличении толщины пленка становится сплошной Механизм электропроводности близок к существующему в объемных.
Advertisements

Глава 6 Малые колебания системы § 1. Понятие об устойчивости равновесия § 2. Малые свободные колебания системы с одной степенью свободы 2.1. Свойства малых.
2.7. Фасетирование поверхности Изменение кристаллографической ориентации на отдельных участках Выигрыш вследствие различия удельных поверхностных энергий.
Лекция 6. Кинетические явления в полупроводниках Применимость зонной теории в слабых электрических полях. Приближение эффективной массы. Блоховские колебания.
2.3. Изменение межплоскостных расстояний у поверхности Основной метод Под шероховатостью поверхности понимается величина, обратная плотности атомов При.
Электрофизические свойства проводниковых материалов Автор Останин Б.П. Эл. физ. свойства проводниковых материалов. Слайд 1. Всего 12 Конец слайда.
Характер теплового движения в кристаллах. Кристаллическая структура равновесное состояние системы атомов, отвечающее минимуму потенциальной энергии. В.
1 3. Основные понятия в теории переноса излучения в веществе Содержание 1.Сечения взаимодействия частиц. 2.Сечения рассеяния и поглощения энергии. 3.Тормозная.
ЛЕКЦИЯ 6 Твердые тела при низких температурах. Механические свойства. Модель гармонического осциллятора. Фононы. Тепловая энергия твердых тел. Теплоемкость.
Свободные электромагнитные колебания в контуре быстро затухают и поэтому практически не используются. И наоборот, незатухающие вынужденные колебания имеют.
Сегодня: четверг, 20 февраля 2014 г. ДАВЛЕНИЕ СВЕТА Рассмотренные нами явления интерференции, дифракции, поляризации объясняются с точки зрения волновой.
Введение в физические свойства твёрдых тел Лекция 6. Колебания кристаллической решётки. Фононы. Тепловые свойства твёрдых тел.
Распределение Больцмана. Барометрическая формула..
Туннельный эффект. Квантовый осциллятор Лекция 3 Весна 2012 г. Лектор Чернышев А.П.
Закон Ома для участка цепи.. А V Сила тока пропорциональна напряжению I~U График – линейная зависимость I 248 U51020 I,А U,В
Механика Кинематика Что изучает? Виды движения Средства описания Динамика Что изучает? Взаимодействие тел Средства описания.
Лекция 6. ВЛИЯНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОННЫХ И ИОННЫХ ПУЧКОВ. Ограничение тока пространственным зарядом в диоде. Формула Ленгмюра и Богуславского.
2.4. Релаксация неполярных поверхностей ионных кристаллов Полярные поверхности Структура (1х1). Смещение поверхностного слоя в объем твердого тела, атомы.
Лекции по физике. Молекулярная физика и основы термодинамики Распределения Максвелла и Больцмана.
Законы Ньютона и их применение. Движение твёрдого тела. Импульс и импульс силы.
Транксрипт:

2.10.Колебания поверхностных атомов При повышении температуры появляются колебания атомов около их равновесных положений Силы взаимодействия можно рассматривать как квазиупругие - частота колебаний Принимает дискретные значения в интервале от Амплитуда колебаний А тем больше, чем выше температура. Колебания можно охарактеризовать средним квадратом амплитуды или среднеквадратичным смещением (СКС) атомов =A 2 /2.

Приближение Дебая D =q D v зв

Экспоненту в знаменателе можно разложить в ряд. Пренебрегая 1/2, получаем Дебаевская частота связана с постоянной квазиупругой силы : в частном случае гармонического осциллятора равенство СКС прямо пропорционально температуре и не зависит от массы атомов Характеристическая дебаевская температура

Тепловые колебания уменьшают порядок, Следствие - уменьшение интенсивности дифракционных пучков. Измеряется усредненная по глубине величина. Зависят от характера и величины связи На поверхности уменьшение соседей, релаксация и/или реконструкция Экспериментально ДМЭ Главным членом является ½. Не зависит от Т, определяется величиной упругой постоянной и массой

Поверхность Si(111)-(7x7)2.21 Si(111)-(2x1) Si(100)-(2x1)5.2 Si(110)-(2x1)3.5 GaAs(110)-(1x1) GaAs(100)-(2x8)4 4 Ge(111)-(2x8)44 Ni(110)1,6 Pb(111)4,2 Pt(110)4,8 Cu(111)1,9 Ir(100)1,8 По разному влияют на интенсивность дифракционных пучков в зависимости от угла рассеяния электронов.

Термическое расширение Следствие ангармонизма сил F=- x+ x 2 Потенциальная энергия: Вероятность отклонения атома от равновесного положения по статистике Больцмана: Пусть Постоянная А из условия

Коэффициент термического расширения Увеличение СКС на поверхности - свидетельство уменьшения коэффициента упругости. На поверхности α больше Для вычислений нужен закон взаимодействия частиц Для потенциала Морзе Экспериментально Si(110) При =0 равно нулю ДМЭ

Повышенная на поверхности На поверхности - увеличение сопротивления передачи тепла... Обрыв решетки должен приводить к усилению рассеяния фононов Могут быть снижены - гофрировка, генерация вакансий и междоузельных атомов, даже разупорядочение Напряжения в поверхностном слое Изменение атомного строения поверхности Тепловое сопротивление. Облегчается наличием выступов, ступеней, изломов. Ангармонизм колебаний