Программа Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект 35: «Исследование, разработка и изготовление двухцветного.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
1 Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект 46: «Создание светоизлучающих.
Advertisements

Графеновые слои большой площади Открывается возможность массового изготовления запатентованных и разрабатываемых графеновых приборов и материалов (графеновых.
Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов» Раздел Программы: 1. Физика.
Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Раздел Программы:4. Диагностика.
Исследование переноса тепла через нанометровые диэлектрические слои и вакуумные зазоры Научный руководитель проекта: г.н.с., д.ф.-м.н. Овсюк Виктор Николаевич.
Исследование характеристик высокотемпературного одноэлектронного транзистора на основе наноструктур с одиночной квантовой точкой Организация-исполнитель:
ОГРАНИЧИТЕЛИ МОЩНОСТИ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ПОЛИМЕТИНОВЫХ КРАСИТЕЛЕЙ БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ Кафедра лазерной.
Белорусский государственный университет химический факультет Магистерская диссертация на тему: Электрохимическое формирование мезопористых оксидных покрытий,
Лавинные фотодиоды Выполнила студентка группы Сыромолотова А.В.
P-i-n-фотодиоды Выполнила: студентка группы Глазнева Н.А.
Оптимизация структуры полупроводникового лазера с двойной гетероструктурой и раздельным ограничением при помощи методов приборно-технологического моделирования.
Программа 27 Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов Проект Разработка научных основ получения наночастиц алюминия с.
Квантовый транспорт и коллективные явления в двумерных электронных системах в гетероструктурах AlGaAs/GaAs и AlGaN/GaN, квантовых ямах CdHgTe/HgTe/CdHgTe.
ООО «Тепловизионные системы» Возможности современных матричных тепловизионных комплексов, работающих в диапазоне 3-5 мкм для диагностики и мониторинга.
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко Радиофизический факультет Изготовление, свойства и применение пленок ITO Л.В.Ищук, доцент кафедры.
Конкурс У.М.Н.И.К. Исследование колебаний кремневодородных связей в тонких пленках аморфного гидрогенезированного кремния методами Рамановский и ИК-спектроскопии.
Основано в 1946 году Имеет огромный опыт в разработке и производстве ИК-техники Занимает лидирующее положение на российском рынке по разработке и производству.
Грибин Артём Анатольевич Разработка вариконда на основе плёнок (Ba X Sr 1-X )TiO 3, получаемых методом ВЧ магнетронного распыления Марийский Государственный.
Выполнил студент гр Волосевич А.В. Смотреть.
Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект: «Развитие методов.
Транксрипт:

Программа Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект 35: «Исследование, разработка и изготовление двухцветного ИК фотоприемного устройства на основе гетероструктур с квантовыми ямами» Организация Исполнитель: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Руководитель проекта: к.ф.-м.н. Есаев Дмитрий Георгиевич тел. (383)

Цель работы: Разработка, изготовление и исследование двухцветного ИК фотоприемного устройства на основе гетероструктур с квантовыми ямами чувствительного одновременно в спектральном диапазоне 3-5 и 8-12 мкм.

Высокая однородность фотоэлектрических характеристик по площади, обеспеченная хорошо развитой технологией получения соединений А 3 В 5, включая газотранспортную и молекулярно-лучевую эпитаксию слоев. Полосовой спектр фоточувствительности, позволяющий изготавливать монолитные многоспектральные структуры. Высокая температурная, механическая и радиационная стойкость. Сравнительно низкая себестоимость при высоком выходе годных изделий. Рабочая температура К для фотоприемников для спектрального диапазона и мкм. Основные преимущества фотоприемников на структурах с квантовыми ямами

МСКЯ гетероструктуры для диапазонов 3 – 5 и 8 – 10 мкм

Длина волны, мкм % Пропускание 0,20,30,4 1.0* ,0* ,0* ,5* ,0* ,5* ,0* ,5* *10 17 Концентрация, см-3 Глубина, мкм Контроль параметров МСКЯ фотоприемников Распределение носителей по глубине Спектр пропускания Пороговая мощность в зависимости от уровня легирования AlGaAs GaAs Спектр пьезомодулированного отражения

Структура фотоприемного устройства на МСКЯ n + GaAs In 1 мкм Химико-механическое утонение GaAs подложки до мкм Фоточувствительные слои Гибридная сборка мультиплексора и фотоприемной матрицы форматом 320 x 256

Формат 128х128 NEDT 0,05 К мах = 8,6 мkм T = 65 K 98,5% рабочих пикселей Формат 320х256 NEDT 0,03 К мах = 9,4 мkм T = 70 K 99% рабочих пикселей (подложка удалена) Имеющийся задел в разработке одноцветных фотоприемников. Тепловое изображение, регистрируемое фотоприемниками на МСКЯ форматом 128х128 и 320х256 элементов Формат 320х256 NEDT 0,03 К мах = 9,5 мkм T = 70 K 98% рабочих пикселей (с GaAs подложкой)

Один из вариантов структуры двухцветного фотоприемника Фоточувствительные структуры GaAs/AlGaAs Подложка GaAs Буферный слой AlGaAs Нелегированный GaAs Контактные слои легированный GaAs Область чувствительности 8-12 мкм Область чувствительности 3-5 мкм Дифракционный элемент ввода излучения Один из 320х256 пикселей

Ожидаемые результаты по проекту в 2009 г. 1. Будет разработана конструкция и проведена оптимизация параметров матричных большеформатных фотоприемников с полным форматом 320х256 элементов. 2. Будет отработана технология глубокого плазмо- химического травления структур. 3. Разработана технология и оптимизирован способ сопряжения структур с кремниевым мультиплексором для чересстрочного считывания фотосигнала с каждой из частей структуры. 4. Будут разработана технология и изготовлены многослойные гетероструктуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами чувствительные в спектральном диапазоне 3-5 и 8-12 мкм. 5. Шаг матрицы фотоприемников составит мкм, полный формат - 320х256 элементов, быстродействие - до 50 кадров/сек, температурное разрешение – не более 50 мК, динамический диапазон не менее 40 дБ.