ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ С ЗАМКНУТЫМ ДРЕЙФОМ ЭЛЕКТРОНОВ. КТО МЫ? Команда разработчиков и производителей оборудования для технологий вакуумного ионно-плазменного.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
МАГНЕТРОННЫЕ РАСПЫЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ. КТО МЫ? Команда разработчиков и производителей оборудования для технологий вакуумного ионно-плазменного нанесения.
Advertisements

Программа Президиума РАН Отделение нанотехнологий и информационных технологий Проект 27.4 «Физические основы электронно-пучковой наноструктуризации металлов.
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий ОЖЕ МИКРОАНАЛИЗАТОР JAMP – 9500 F Образец до травления Образец после.
ПЛАЗМОТРОНЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ УО «БРЕСТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ПЛАЗМА. ОПРЕДЕЛЕНИЕ. ХАРАКТЕРИСТИКИ. КЛАССИФИКАЦИЯ.
ООО «ПЛАСТИНГ» Новые технологии для Российских производителей.
Новое имя на рынке коммутационных аппаратов ООО «Астер Электро»
СИСТЕМЫ ЭНЕРГООБЕСПЕЧЕНИЯ И КОМПЛЕКСЫ ИНДУКЦИОННОГО НАГРЕВА КОМПАНИИ ООО «МАГНИТ М» ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ СВАРКИ Директор ООО «Магнит М» Алексей.
« Исследование закономерностей и механизмов электронно-ионно-плазменного формирования наноструктурных слоев и покрытий » Приоритетное направление II.7.
МГУ им. Н. П. Огарева 1 КОМПЛЕКС ИСПЫТАТЕЛЬНОЙ АППАРАТУРЫ серии «АДИП» ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КАЧЕСТВА СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ докладчик: руководитель.
Основан в 1896 году Образовательная деятельность лицензирована по: 25 направлениям бакалавриата 79 специальностям 19 направлениям магистратуры 5 направлениям.
Разработка технологий повышения эксплуатационных свойств циркониевых конструкционных элементов ядерных энергетических реакторов Б.В. Бушмин, В.С. Васильковский,
Семинар « Новые возможности «1С:Полиграфия 8» –возможности вашего полиграфического предприятия » 16 мая 2008 года. Особенности лицензирования и ценовая.
1 1 Eaton 9140 Лучшая защита стоечного оборудования средней и большой мощности.
Плазменные технологии Плазма. Образование плазмы Каждый атом состоит из положительно заряженного ядра, в котором сосредоточена почти вся масса атома, и.
Кран кнопочный VE-РАСКО. Назначение Краны кнопочные нормально закрытые (НЗ) предназначены для кратковременной подачи давления на манометры (и другие механические.
Датчик уровня топлива «Эпсилон». Особенности датчика «Эпсилон» Более высокая точность измерения уровня топлива за счет более высокого разрешения датчика.
Область применения УМС из сапропелей могут быть использованы качестве дешевых одноразовых сорбентов в процессах водоподготовки и очистки сточных вод от.
Плазменные установки. Плазменный нагрев Дуга, свободно горящая в воздухе, имеет температуру столба К. Если сжать ее потоком газа, то температура.
Вакуумная установка Вакуумная система Система контроля и управления Транспорти- рующая система Устройства испарения/ распыления Вспомага- тельные устройства.
Транксрипт:

ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ С ЗАМКНУТЫМ ДРЕЙФОМ ЭЛЕКТРОНОВ

КТО МЫ? Команда разработчиков и производителей оборудования для технологий вакуумного ионно-плазменного нанесения покрытий с 20-летним опытом разработок в составе Института сильноточной электроники Сибирского отделения Российской Академии наук. Ядром нашей команды являются: Сочугов Николай Семенович, директор Ковшаров Николай Федорович, разработчик технологических устройств Спирин Роман Евгеньевич, разработчик источников питания

В ДАННОЙ ПРЕЗЕНТАЦИИ ДЛЯ ВАС ПРЕДСТАВЛЕНЫ: Информация о нашей компании и команде. Технические характеристики приборов

КОМПАНИЯ ПРИКЛАДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА создана сотрудниками Института сильноточной электроники Сибирского отделения Российской Академии наук (ИСЭ СО РАН) в 2004 году

МЫ РАЗРАБАТЫВАЕМ И ВЫПУСКАЕМ: Ионные источники с замкнутым дрейфом электронов. Магнетронные распылительные системы. Источники электропитания для вакуумных ионно- плазменных технологий. Вакуумные установки для нанесения тонкопленочных покрытий. Технологии нанесения тонкопленочных покрытий

РАБОТАЯ С НАМИ ВЫ ПОЛУЧАЕТЕ: 1. Возможность сопряжения оборудования с имеющийся вакуумной камерой и изменения системы крепления без изменения цены. 2. Доставку оборудования бесплатно. 3. Возможность комплектной поставки ионных источников, магнетронной распылительной системы и источников питания в комплекте. 4. Индивидуальные рекомендации по выбору оптимальных режимов работы. Странность с нумерацией

МЫ ОБЕСПЕЧИМ: Открытость технической информации о продукции. Гарантийный срок 2 года. Современный внешний вид нашей продукции

НАШЕ КРЕДО – НАДЕЖНОСТЬ, КАЧЕСТВО, УДОБСТВО

НАШ ПОДХОД К ПРОДУКЦИИ: Простота и удобство в эксплуатации. Возможность изменения технических характеристик.

Звоните – и мы с удовольствием обсудим Ваши предложения! Вы считаете, мы что-то упустили?

ПРОТЯЖЕННЫЕ ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ

предназначены для финишной очистки широкоформатных подложек перед нанесением покрытий, а также для нанесения покрытий методом химического газофазного осаждения.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОТЯЖЕННЫХ ИОННЫХ ИСТОЧНИКОВ ПараметрЗначение Длина, мм Вес, кгне более 20 на 1м Тип монтажавнутри вакуумной камеры или на фланце Материалы: - корпус катода; - анод; - изоляторы; - магниты; - система газораспределения сталь-3 12Х18Н10Т керамика и полиамид NdFeB 12Х18Н10Т Водяное охлаждение, л/мин2-5 Температура воды на входе, C o < 30 Предельное давление в системе охлаждения, атм 3

ПараметрЗначение Рабочие газыAr, O2, N2, H2, и др. Линейная плотность тока7 мА на 1 см длины Длина линейной части ионного пучка, мм полная длина минус 70 мм Однородность плотности тока ионного пучка ±5% на 90 % длины линейной части Рабочее напряжение, В500 – 3500 Средняя энергия ионов, эВ250 – 1700 Рабочее давление, Па (мм.рт.ст.)0.05 – 0.25 ( – ) ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОТЯЖЕННЫХ ИОННЫХ ИСТОЧНИКОВ

Стоимость протяженных ионных источников от рублей

КРУГЛЫЕ ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ

предназначены для финишной очистки небольших подложек перед нанесением покрытий, а также для нанесения покрытий методом химического газофазного осаждения.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРУГЛЫХ ИОННЫХ ИСТОЧНИКОВ ПараметрЗначение Диаметр эмитирующей щели, мм Тип монтажавнутри вакуумной камеры или на фланце Материалы: - корпус катода; - анод; - изоляторы; - магниты; - система газораспределения сталь-3 12Х18Н10Т керамика и полиамид NdFeB 12Х18Н10Т Водяное охлаждение, л/мин0.5-1 Температура воды на входе, C o < 30 Предельное давление в системе охлаждения, атм 3

ПараметрЗначение Рабочие газыAr, O2, N2, H2, и др. Линейная плотность тока, мА/смдо 1 Рабочее напряжение, В500 – 3500 Средняя энергия ионов, эВ250 – 1700 Рабочее давление, Па (мм.рт.ст.)0.05 – 0.25 ( – ) ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРУГЛЫХ ИОННЫХ ИСТОЧНИКОВ

Приезжайте, звоните, спрашивайте!

С НАМИ МОЖНО СВЯЗАТЬСЯ: Телефон: (3822) , Факс: (3822) SKYPE: Nikolay Sochugov Мы находимся по адресу: , г. Томск, пр. Академический 8/8 офис 20

БАНКОВСКИЕ РЕКВИЗИТЫ Краткое наименование организацииООО "Прикладная Электроника" Почтовый и юридический адрес634021, г. Томск, пр. Академический 8/8 офис 20 Наименование банка - получателяФилиал "Газпромбанк" (ОАО) в г. Томске, ИНН , КПП Корреспондентский счет в ГРКЦ Банка России по Томской области Расчетный счет БИК ИНН/КПП / ДиректорСочугов Николай Семенович