1 Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Лекция 1 Тема: Классификация основных методов нанесения покрытий с помощью низкотемпературной плазмы. Общие черты.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Плазменные технологии Плазма. Образование плазмы Каждый атом состоит из положительно заряженного ядра, в котором сосредоточена почти вся масса атома, и.
Advertisements

Газды фазалық эпитаксия.Жартылай өткізгішті наноқұрылымдарды эпитаксиалды өсіру. Эпитаксиалды өсудің принциптері мен әдістері Лекция-3 Оқытушы: Калкозова.
Получение объемных наноматериалов. 2 Основные методы получения объемных материалов.
Методы получение тонких плёнок ионным распылением. Магнетронное распыление. Авторы: Артёмов С. А. Миронов М.
Ионно-плазменное травление Выполнил студент группы 4/10: Соколов В. О. Проверил: Мурин Д.Б.
Плазменные установки. Плазменный нагрев Дуга, свободно горящая в воздухе, имеет температуру столба К. Если сжать ее потоком газа, то температура.
Вакуумная установка Вакуумная система Система контроля и управления Транспорти- рующая система Устройства испарения/ распыления Вспомага- тельные устройства.
Травление микро- и нано структур Травление используется для переноса рисунка фоторезистивной маски в нижележащий слой материала посредством его селективного.
Методы ионно-лучевой обработки и нанотехнологических исследований Сарымсаков Р. Г. ИУ4-73.
Программа Президиума РАН Отделение нанотехнологий и информационных технологий Проект 27.4 «Физические основы электронно-пучковой наноструктуризации металлов.
Институт прикладной физики РАН Производство поликристаллических алмазных пленок методом осаждения из паровой фазы Нижний Новгород, 2005г.
1 Вакуумное оборудование плазменных и ускорительных систем Ассистент кафедры ВЭПТ Юрьева Алёна Викторовна
Диод - вакуумный или полупроводниковый прибор, пропускающий электрический ток только одного направления и имеющий два вывода для включения в электрическую.
Снизу – вверх : агрегация Снизу – вверх : агрегация Энергия Гиббса образования зародышей ΔG = ΔG σ + ΔG v ΔGσ >0 ΔGv Т конд L Пересыщение : ΔP.
Рекомбинация Самостоятельный газовый разряд (тлеющий, коронный, искровой, дуговой) Несамостоятельный газовый разряд.
Электрический ток в газах Самостоятельный и несамостоятельный разряды. Типы самостоятельного разряда и их техническое применение.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ПЛАЗМА. ОПРЕДЕЛЕНИЕ. ХАРАКТЕРИСТИКИ. КЛАССИФИКАЦИЯ.
СИНТЕЗ НАНОДИСПЕРСНЫХ ВЕЩЕСТВ ПУТЁМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ВЗРЫВА ПРОВОДНИКОВ Ачинский район, 2012г.
Выполнили: ученицы 10 «Б» класса Глушкова Ксения, Гордеева Александра.
Установка магнетронного распыления и дугового испарения ООО НПЦ «Поиск-МарГТУ» Н.И. Сушенцов.
Транксрипт:

1 Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Лекция 1 Тема: Классификация основных методов нанесения покрытий с помощью низкотемпературной плазмы. Общие черты и особенности этих методов. Структура, цели и задачи настоящего курса Соловьев Андрей Александрович, Доцент кафедры ВЭПТ, Н.с. Института сильноточной электроники СО РАН

2 Содержание курса «Плазменные покрытия» 1 Введение (2 часа) 2 Методы нанесения покрытий ассистированным плазмой химическим газофазным осаждением (2 часа). 3 Конструкции генераторов плазмы и источников ионов (2 часа). 4 Активируемое лазером или электронным пучком химическое газофазное осаждение покрытий. Фотохимическое газофазное осаждение покрытий (2 часа) 5 Нанесение покрытий с использованием процесса испарения (2 часа). 6,7 Нанесение покрытий с использованием процесса распыления (4 часа). 8 Пути повышения эффективности магнетронных распылительных систем (2 часа). 9 Комбинированные методы нанесения покрытий (2 часа). Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия»

3 10 Вакуумные технологические установки для нанесения покрытий (2 часа). 11 Контрольная работа по теме «Вакуумные ионно-плазменные методы нанесения тонкопленочных покрытий» (2 часа) Виды покрытий и их свойства. Особенности их нанесения (6 часов). 15 Подготовка поверхности изделий перед нанесением покрытий (2 часа). 16 Методы контроля качества вакуумно-плазменных покрытий (2 часа). 17 Оборудование для контроля качества вакуумно-плазменных покрытий (2 часа). 18 Контрольная работа по теме «Свойства и применение плазменных покрытий» (2 часа). 19. Семинарское занятие, посвященное обзору проблемы нанесения тонкопленочных покрытий (выступления студентов с докладами по темам подготовленных рефератов) (2 часа). Содержание курса «Плазменные покрытия» Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия»

4 Содержание курса «Плазменные покрытия» Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Тематика лабораторных занятий (16 часов) Исследование влияния предварительной ионно-плазменной очистки на адгезию наносимых тонкопленочных покрытий. Методы измерения адгезии (4 часа). Изучение процесса нанесения металлических покрытий методом магнетронного распыления. Измерение толщины покрытия (4 часа). Изучение процесса нанесения тонкопленочных покрытий методом реактивного магнетронного распыления (4 часа). Нанесение многослойных функциональных покрытий методом магнетронного распыления с контролируемой толщиной слоев (4 часа).

5 Содержание курса «Плазменные покрытия» Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Тематика лабораторных занятий (16 часов) Исследование влияния предварительной ионно-плазменной очистки на адгезию наносимых тонкопленочных покрытий. Методы измерения адгезии (4 часа). Изучение процесса нанесения металлических покрытий методом магнетронного распыления. Измерение толщины покрытия (4 часа). Изучение процесса нанесения тонкопленочных покрытий методом реактивного магнетронного распыления (4 часа). Нанесение многослойных функциональных покрытий методом магнетронного распыления с контролируемой толщиной слоев (4 часа).

6 Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Общий максимальный рейтинг за семестр – 800 баллов; лекционный рейтинг баллов (26 часов*15 баллов/час); рейтинг за выполнение и защиту лабораторных работ –200 баллов (4 лабораторные работы * 50 баллов/работа); рейтинг за контрольные работы – 110 баллов (2 контрольные работы * 55 баллов/работа); рейтинг за реферат – 100 баллов. К зачету допускаются студенты, набравшие не менее 600 баллов. Рейтинг – лист по курсу «Плазменные покрытия» для студентов V курса ЕНМФ ТПУ X семестр

7 Рекомендуемая литература. Основная литература 1. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок / Б.С. Данилин // М.: Энергоатомиздат, Нанесение пленок в вакууме / В.Е. Минайчев // Сер. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн. 6. М.: Высшая школа, 1989, 110 с. 3. Нанесение покрытий плазмой / В.В. Кудинов, П.Ю. Пекшев, В.Е. Белащенко и др. // М.: Наука, Физические основы электронно-ионной технологии / И.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И.Титов // М.: В.Ш., Металличекие и керамические покрытия / М. Хокинг, В. Васантасри, П. Сидки // М.: Мир, 2000, 516 с. 6. Нанесение покрытий напылением. Теория, технология и оборудование / В.В. Кудинов, Г.В Бобров. Под ред. Б.С. Митина // Учебник. М.: Металлургия, с. 7. Технология и оборудование вакуумного напыления / М.М. Никитин // Учебное пособие.- М.: Металлургия, 1992, 238 с. Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия»

8 Рекомендуемая литература. Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Дополнительная литература 8. Введение в физику плазмы / Б.М.Смирнов // М.: Наука, Технология тонких пленок / Справочник под ред. Л. Майссела, Р. Гленга // М.: Сов. радио, 1977, т Основы современной физики газоразрядных процессов / Ю.П. Райзер // М.: Наука, Физика химически активной плазмы / В.Д. Русанов, А.А. Фридман // М.: Наука, Магнетронные распылительные системы / Б.С. Данилин, В.К. Сырчин // М.: Р. и С., Применение низкотемпературной плазмы для очистки и травления материалов / Б.С. Данилин, В.Ю. Киреев // М.: Энергоатомиздат, с.

9 Назначение плазменных покрытий Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Fig. Scanning electron photomicrographs of cross section of CrAlN films on a Si substrate.

10 Низкотемпературная плазма – это слабоионизованный разреженный газ при давлении Па со степенью ионизации (концентрация электронов см -3 ), в котором электроны имеют среднюю энергию 1-10 эВ (температура порядка К), в то время как тяжелые газовые частицы (ионы, атомы, молекулы) имеют среднюю энергию на два порядка ниже (температура К). Вакуумные ионно-плазменные методы нанесения покрытий Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия»

11 Тлеющий разряд Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» dkdk L _ Рис. 1. Образование тлеющего разряда. 1 – катод, 2 – темное катодное пространство, 3 – вакуумный баллон, 4 – положительный светящийся столб, 5 – анод.

12 Дуговой разряд Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Параметры плазмы вакуумной дуги

13 возможность достижения высокой чистоты покрытий и однородности их толщины, возможность формирования сложных покрытий различного стехиометрического состава, возможность нанесения высоко адгезионных покрытий, возможность проведения процесса нанесения при низкой температуре подложки, что позволяет обрабатывать даже легкоплавкие материалы, возможность высокоскоростного нанесения покрытий, возможность точного регулирования технологических процессов и их полной автоматизации, безопасность для окружающей среды и экономическая выгодность. эффективность: в ионизованном или возбужденном состоянии атомы и молекулы легче взаимодействуют друг с другом, делая процесс нанесения покрытий более эффективным с разных точек зрения. Достоинства вакуумных ионно-плазменных методов нанесения покрытий Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия»

14 генерация направленного потока частиц осаждаемого вещества; пролет частиц в разреженном (вакуумном) пространстве от их источника к обрабатываемой поверхности; осаждение (конденсация) частиц на поверхности с образованием тонкопленочных слоев. Процессы, протекающие при нанесении тонких пленок Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия»

15 Состав вакуумных установок для нанесения тонких пленок Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» источник генерации потока частиц осаждаемого материала; вакуумная система, обеспечивающая требуемые условия для проведения технологического процесса; транспортно-позиционирующие устройства, обеспечивающие ввод подложек в зону нанесения пленок и ориентирование обрабатываемых поверхностей относительно потока частиц наносимого материала.

– частицы в вакуумном пространстве, 2 – дуплет частиц, 3 – центр кристаллизации, 4 – адсорбированный дуплет частиц, 5 – рост кристаллита за счет мигрирующих частиц, 6 – подложка, 7 – поверхностная миграция частиц, 8 – адсорбированная частица. Взаимодействие осаждаемых частиц с подложкой. Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Рис. 2.

17 Классификация методов нанесения покрытий. по состоянию вещества для получения покрытий (твердое, жидкое, атомарное или ионизованное); по способу получения вещества для нанесения покрытий (CVD, PVD и комбинированные); по составу транспортной, защитной или реакционной атмосферы (вакуум, инертный газ, плазма, реактивный газ); по способу активации процесса формирования покрытий (термический, плазменный, ионная бомбардировка, электронная или фотонная стимуляция); по характеру процессов, протекающих в зоне формирования покрытий (физическая конденсация, химические или плазмохимические реакции, диффузионное насыщение и т.п.). Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия»

18 По способу формирования потоков осаждаемых частиц Классификация методов нанесения покрытий. Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» методы физического газофазного осаждения (PVD – physical vapour deposition) методы ассистированного плазмой химического газофазного осаждения (PACVD – plasma assisted chemical vapour deposition) - Тлеющий разряд, - Дуговой разряд, - ВЧ или СВЧ разряды - термическое испарение, - лазерная абляция, - вакуумное дуговое распыление, - распыление ионным пучком, - магнетронное распыление.

19 Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» -11%20metod%20nanesenia.pdf

20 Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Схема установки для нанесения покрытий методом CVD TiCl4 + CH4 TiC + 4HCl TiCl4 + 2H2 + 1/2N2 TiN + HCl Al2Cl6 + 3CO2 + 3H2 Al2O3 + 3CO + 6HCl Рис. 3.

21 PACVD Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Процесс CVD, активируемого плазмой (PACVD), разработан относительно недавно ( гг.) главным образом для получения тонких пленок, предназначенных для исследования в микроэлектронике, оптике и солнечной энергетике.

22 Стадии осаждения покрытий в процессе PACVD: 1) получение плазмы, 2) химические диссоциация и разложение в результате столкновений с электронами, 3) транспортная реакция, 4) формирование покрытия на подложке. Процесс PACVD. Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия»

23 Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Схема установки для нанесения покрытий методом PACVD Рис. 4.

24 Процесс PACVD. Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Достоинства процесса PACVD: используются относительно низкие температуры подложек (< 300ºС), достигается лучшая покрывающая способность и адгезия покрытий, лучшая контролируемость процесса. вместо тепловой энергии газы-реагенты активируются быстрыми электронами. достигаются более высокие скорости осаждения, чем в процессе обычного (термического) CVD. Недостатки процесса PACVD: невозможно осаждение чистых материалов этим методом, поскольку почти все недесорбируемые газы удерживаются покрытием, сильное взаимодействие плазмы с растущей пленкой, высокая скорость осаждения приводит к плохой контролируемости однородности и требует тщательной отладки реакционной установки.

25 Процесс PVD. Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Термин «физическое газофазное осаждение» описывает три основных способа нанесения покрытий: испарение, распыление и ионное осаждение. При физическом осаждении материал покрытия переходит в газовую фазу из твердого состояния в результате испарения под воздействием тепловой энергии или в результате распыления за счет кинетической энергии столкновения частиц материала.

26 Варианты расположения образцов в вакуумной камере. Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Рис. 5.

27 Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Стадии осаждения покрытий в процессе PVD: 1. Переход материала из твердой в паровую фазу. 2. Перенос паров от источника к подложке. 3. Конденсация паров на подложке, приводящая к зарождению и росту пленки. Процесс PVD.

28 Пример процесса PVD. Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» Рис. 6.

29 загрузка в очищенную камеру подставки с тщательно очищенным материалом (инструментами), на который будет наноситься покрытие; откачивание воздуха из камеры; нагрев материала внешним нагревом или ионной бомбардировкой (при положительном напряжении смещения на материале); очистка материала ионным травлением (аргонно- ионным или металло-ионным) с последующей откачкой загрязнений; Цикл нанесения покрытия Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия»

30 испарение или распыление и ионизация материала «мишени» (например, титана) с одновременной подачей энергии, рабочего газа (например, аргона) и реакционного газа (азота для образования нитридов, углеводорода для образования карбидов и кислорода для образования оксидов). Перенос частиц (ионов, атомов, молекул, электронов, радикалов) в среде ионизированного газа (плазме). Столкновение частиц с материалом и конденсация, для улучшения применяется отрицательное напряжение смещения на материале; охлаждение камеры и материала; после выравнивания давления выгрузка подставки с материалом. Цикл нанесения покрытия Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия»

31 Достоинства процесса PVD Исключительное разнообразие составов осаждаемого материала. Может наноситься практически любой металл, сплав, тугоплавкое соединение, некоторые типы полимеров и их смеси. Возможность изменения температуры подложки в широких пределах. Возможность наносить покрытия, не искажающие формы детали при высокой скорости осаждения. Высокая чистота наносимого материала. Хорошая связь покрытия с подложкой. Превосходное качество поверхности покрытия, сравнимое с качеством исходной поверхности подложки. Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия»

32 Комбинированные методы нанесения покрытий Кафедра ВЭПТ «Плазменные покрытия» В некоторых случаях CVD и PVD процессы могут быть одновременно объединены в одной камере для нанесения покрытий «гибридными» методами. Например, нанесение карбонитрида титана (TiCxNy) может осуществляться гибридными процессами, в которых атомы титана образуются за счет распыления титановой мишени, атомы углерода извлекаются из паров ацетилена и все это происходит в атмосфере, содержащей азот.