Полевые транзисторы со структурой МДП Кузнецов М.Д. Мосендз А.В. гр

Полевой транзистор (англ. field- effect transistor, FET) - полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

Устройство МДП транзисторов Термин «МДП-транзистор» используется для обозначения полевых транзисторов, в которых управляющий электрод (затвор) отделен от активной области диэлектрической прослойкой (изолятором). Основным элементом для этих транзисторов является структура металл-диэлектрик- -полупроводник. МДП-транзистор изготавливается на монокристаллическом п/п (подложке). Две сильнолегированные области противоположного с подложкой типа проводимости: исток и сток. Область, находящаяся под затвором между истоком и стоком: канал. Диэлектрический слой, расположенный между затвором и каналом: подзатворный диэлектрик.

Обеднение: Этому состоянию соответствует небольшое по величине напряжение, отталкивающее основные носители (для n-типа, V G < 0, ψs < 0). Инверсия: Такому состоянию соответствует большое по величине напряжение на затворе, соответствующее значительным изгибам зон и вызывающее обогащение поверхности неосновными носителями заряда (для n-типа, V G << 0, ψs < 0).

МДП транзистор со встроенным каналом В МДП - транзисторах со встроенным каналом есть специальный встроенный канал, проводимость которого модулируется смещением на затворе. В случае канала p типа положительный канал отталкивает дырки из канала (режим обеднения), а отрицательный притягивает(режим обогащения). Соответственно проводимость канала либо уменьшается, либо увеличивается по сравнению с ее значением при нулевом смещении.

МДП транзистор с индуцированным каналом »МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока и, следовательно, заметный ток стока появляются только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока (отрицательного при р-канале и положительного при п- канале). Это напряжение называют пороговым (UЗИ.пор ).

Ток в канале МДП транзистора, изготовленного на подложке р типа, обусловлен свободными электронами, концентрация которых n(z). Электрическое поле Еу обусловлено напряжением между истоком и стоком V DS. Согласно закону Ома, плотность тока: где V – падение напряжения от истока до точки канала с координатами (x, y, z). Полный ток канала I D будет равен: Уравнение электронейтральности для зарядов в МДП-транзисторе на единицу площади:

Полный заряд на металлической обкладке МДП конденсатора Qm равен: где Vox – падение напряжения на окисном слое, Сox – удельная емкость подзатворного диэлектрика. Описание порогового напряжения V Т как напряжения на затворе V GS, соответствующего открытию канала в равновесных условиях: Уравнение, описывающее вольт амперную характеристику полевого транзистора в области плавного канала:

Эффект смещения подложки Приложенное напряжение между истоком и подложкой Vss при условии наличия инверсионного канала падает на обедненную область индуцированного р n перехода. В этом случае при прямом его смещении будут наблюдаться значительные токи, соответствующие прямым токам р n перехода. Эти токи попадут в стоковую цепь и транзистор работать не будет. Поэтому используется только напряжение подложки, Vss соответствующее обратному смещению индуцированного и истокового р n перехода. По полярности это будет напряжение подложки противоположного знака по сравнению с напряжением стока. При приложении напряжения канал-подложка происходит расширение ОПЗ и увеличение заряда ионизованных акцепторов:

Поскольку напряжение на затворе V GS постоянно, то постоянен и заряд на затворе МДП транзистора Qm. Следовательно, из уравнения электронейтральности вытекает, что если заряд акцепторов в слое обеднения Q B вырос, заряд электронов в канале Qn должен уменьшиться. С этой точки зрения подложка выступает как второй затвор МДП транзистора, поскольку регулирует также сопротивление инверсионного канала между истоком и стоком. При возрастании заряда акцепторов в слое обеднения возрастет и пороговое напряжение транзистора V Т. Изменение порогового напряжения будет равно:

Малосигнальные параметры МДП-транзистора Крутизна переходной характеристики S: Эта величина характеризуется изменением тока стока при единичном увеличении напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке. Внутреннее сопротивление Ri: Оно характеризует изменение напряжения в выходной цепи, необходимое для единичного увеличения тока стока при неизменном напряжении на затворе.

Коэффициент усиления μ: Этот коэффициент характеризуется изменением напряжения в выходной цепи при единичном изменении напряжения во входной и неизменном токе стока. Очевидно, что в области плавного канала крутизна S и дифференциальное сопротивление Ri будут иметь значения: При этом коэффициент усиления μ, равный их произведению, всегда меньше единицы: Таким образом полевой МДП транзистор как усилитель не может быть использован в области плавного канала.

Влияние типа канала на ВАХ-и МДП-транзисторов Вид ВАХ МДП-транзистора в значительной мере зависит от типа п/п-ой подложки и типа инверсионного канала. Канал, который отсутствует при нулевом напряжении на затворе V G =0, а при увеличении V G появляется - называется индуцированным. Канал, который при нулевом напряжении на затворе V G =0 уже сформировался - называется встроенным. МДП-транзистор с индуцированным каналом при нулевом напряжении на затворе всегда закрыт. Если же канал встроенный, то при V G =0 такой транзистор всегда открыт. ВАХ n-канального МДП-транзистора с индуцированным каналом:

ВАХ p-канального МДП-транзистора с индуцированным каналом: ВАХ n-канального МДП-транзистора со встроенным каналом:

ВАХ p-канального МДП-транзистора со встроенным каналом:

ВАХ МДП-транзистора в области сильной и слабой инверсии Для области сильной инверсии, т.е. в приближении плавного канала, ВАХ МДП транзистора выглядит следующим образом: Ее вид совпадает с ВАХ для полевого транзистора в области плавного канала:

Множитель n – число, характеризующее отношение емкости поверхностных состояний Cxx и емкости обедненной области С В к емкости подзатворного диэлектрика Сox. Значения n могут лежать для реальных МДП структур в диапазоне 1÷5. Величина m равна: C B *–емкость обедненной области при пороговом значении поверхностного потенциала ψs, 2φ0. ВАХ МДП транзистора для области слабой инверсии:

МДП-Транзистор как элемент памяти Рассмотрим RC цепочку, состоящую из последовательно соединенных нагрузочного сопротивления RH 1 МОм и полевого транзистора с изолированным затвором, приведенную на рисунках а, б. Если в такой схеме МДП-транзистор открыт, сопротивление его канала составляет десятки или сотни Oм, все напряжение питания падает на нагрузочном сопротивлении RН и выходное напряжение Uвых близко к нулю. Если МДП-транзистор при таком соединении закрыт, сопротивление между областями истока и стока велико (сопротивление р n перехода при обратном включении), все напряжение питания падает на транзисторе и выходное напряжение Uвых близко к напряжению питания Uпит. Как видно из приведенного примера, на основе системы резистор – МДП-транзистор легко реализуется элементарная логическая ячейка с двумя значениями: ноль и единица. МДП транзистор в качестве элемента запоминающего устройства а) открытое состояние; б) закрытое состояние

МДП-Транзистор как элемент энергозависимой памяти. Одним из недостатков приведенной элементарной ячейки информации является необходимость подведения на все время хранения информации напряжения к затворному электроду. При отключении напряжения питания записанная информация теряется. Этого недостатка можно было бы избежать, если в качестве МДП-транзистора использовать такой транзистор, у которого регулируемым образом можно было бы менять пороговое напряжение VT.