Информационно-телекоммуникационные системы Соглашение от 23 октября 2014 г. на период гг. Тема: «Разработка конструктивно-технологических решений в области создания энергонезависимой памяти нового поколения типа FRAM топологии 1Т-1С» Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на годы» Получатель субсидии: Акционерное общество «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» Руководитель проекта: начальник лаборатории, к.т.н. Орлов О.М. Задача проекта: создание энергонезависимой памяти нового поколения, способной заменить имеющуюся в настоящее время память на основе хранения заряда (Флэш память) с учетом возможностей отечественного производства. Цель проекта: разработка комплекса научно-технических решений по созданию технологии производства энергонезависимой памяти нового поколения типа FRAM большой ёмкости топологии 1T-1C. Актуальность и научная новизна: задача разработки технологии производства энергонезависимой памяти типа FRAM на основе тонких пленок оксида гафния является актуальной и новой, так как этот материал имеет ряд преимуществ по сравнению с классическими сегнетоэлектриками, в частности: хорошую совместимость с КМОП процессом, разработанные процессы АСО, низкие токи утечки, отсутствие буферных слоев Цели и задачи проекта Ожидаемые результаты проекта Основные ожидаемые результаты: технологические решения и лабораторный регламент изготовления ячеек энергонезависимой памяти нового поколения типа FRAM (в том числе и большой ёмкости); технологические решения по интеграции технологии изготовления ячеек энергонезависимой памяти нового поколения типа FRAM в КМОП технологический процесс уровня 0.18 мкм и выше; сформулированные технические требования в виде Проекта технического задания на проведение ОТР по теме: «Энергонезависимая память на основе сегнетоэлектрических материалов»; В литературных источниках, тем более в зарубежных, как правило, не приводятся рецепты и особенности по технологическим работам, направленным на создание конкурентно способной продукции. Относительно же отечественной промышленности можно утверждать, что ожидаемые результаты являются новыми и существенными, а перспектива интеграции полученных технологических решений в действующий КМОП технологический процесс уровня 180 нм подтверждает высокий уровень и эффективность проводимых исследований. Перспективы практического использования Результаты проведенных исследований необходимы и будут использованы при разработке конструктивно-технологических решений по изготовлению ячеек памяти и при разработке массивов памяти большой ёмкости на последующих этапах работы, а так же позволяют приступить к разработке и изготовлению на технологической линии уровня 0,18 мкм структур, содержащих ячейки энергонезависимой памяти типа FRAM. Результаты исследовательской работы, полученные в 2015 г. -разработаны технологические решения изготовления ячеек энергонезависимой памяти нового поколения типа FRAM; -разработаны технологические решения интеграции разработанной технологии изготовления ячеек энергонезависимой памяти в КМОП технологический процесс уровня 0,18 мкм и выше; -разработаны конструктивно-технологические решения изготовления ячеек топологии 1T-1С энергонезависимой памяти нового поколения типа FRAM; -разработаны программы и методики проведения экспериментальных исследований тестовых структур и ячеек энергонезависимой памяти типа FRAM; -изготовлены экспериментальные образцы тестовых структур, содержащие ячейки памяти типа FRAM для создания энергонезависимой памяти нового поколения большой ёмкости. -проведены экспериментальные исследования тестовых структур и ячеек энергонезависимой памяти типа FRAM; Партнеры проекта Для выполнения работ в 2015 году (этапы 2,3) привлекались: ОАО «НИИМЭ и Микрон» – в качестве индустриального партнера. ОАО «НИИМЭ и Микрон» - ведущий отечественный разработчик и производитель интегральных схем. Размер привлекаемых внебюджетных средств рублей, в том числе: в 2014 году – рублей; в 2015 году – рублей; в 2016 году – рублей. ФГАОУ МФТИ – в качестве соисполнителя. Задачи, решаемые соисполнителем: - разработка технологических решений изготовления ячеек энергонезависимой памяти нового поколения типа FRAM топологии 1T-1C в части элемента памяти; - разработка программ и методик, проведение экспериментальных исследований тестовых структур и ячеек энергонезависимой памяти типа FRAM. На рисунках приведены примеры конструктивно- технологических решений изготовления и интеграции ячеек памяти типа FRAM, а также результаты экспериментальных исследований полученных образцов. По результатам исследовательской работы в 2015 году сделаны две публикации в периодических изданиях, сделаны два доклада на международных конференциях, подана одна заявка на изобретение. Таким образом, все заявленные индикаторы и пункты ТЗ и Плана-графика данного Соглашения выполнены в полном объеме.