ПЛАН 1.Полупроводники. Собственная проводимость полупроводников. 2. Примесная проводимость полупроводников. 3. Полупроводниковый диод

Полупроводники – твердые вещества, свойства которых изменяются в широких пределах под действием внешних воздействий (нагревание, освещение и др.) Элементы: Si Ge As Se Te Химические соединения: оксиды (Cu 2 O) сульфиды селениды соединения химических элементов ρ T

Четыре основные кристаллические структуры полупроводников 1. Структура алмаза 2. Цинковая обманка (сфалерит) 3. Структура вюрцита 4. Гексагональная плотноупакованная структура

Свободные носители заряда в полупроводниках – электроны и дырки Дырка – вакантное электронное состояние в полупроводнике, обладающее положительным зарядом. Дырка может перемещаться и участвовать в образовании тока. Электронная проводимость – проводимость, осуществляемая электронами. Дырочная проводимость – проводимость, осуществляемая дырками

Собственная проводимость полупроводников Ge Si InSb GaAs CdS

Терморезистор ( используется зависимость сопротивления от температуры) Фоторезистор (используется зависимость сопротивления от освещения)

Примесная проводимость полупроводников Проводимость n-типа (донорная) Донор – от лат. «donare» - дарить Доноры для Ge и Si фосфор P мышьяк As сурьма Sb

Проводимость n - типа

Примесная проводимость полупроводников Проводимость p-типа Акцептор – от лат. «acceptor» - приемник Акцепторы для Ge и Si бор B алюминий Al галлий Ga индий In

Проводимость p - типа

p n Контакт полупроводников р и n типа EзEз

p n - + E вн EзEз

p n EзEз + -

В А U пр С I U Вольт – амперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода

Светодиоды Фотодиоды