Квантовый транспорт и коллективные явления в двумерных электронных системах в гетероструктурах AlGaAs/GaAs и AlGaN/GaN, квантовых ямах CdHgTe/HgTe/CdHgTe.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов» Раздел Программы: 1. Физика.
Advertisements

Лекция 6. Кинетические явления в полупроводниках Применимость зонной теории в слабых электрических полях. Приближение эффективной массы. Блоховские колебания.
Циклотронный резонанс в сильных магнитных полях в гетероструктурах на основе CdHgTe М.С.Жолудев диафильмЦРэкспериментрезультаты.
Целый квантовый эффект Холла. Квантование уровней в магнитном поле (подуровни Ландау) 2.2. Целый квантовый эффект Холла.
Экспериментальная физика наноструктур Автор курса к.ф.м.н. Руднев И.А. Московский инженерно-физический институт (государственный университет) Кафедра сверхпроводимости.
Полупроводники – это вещества, у которых удельное сопротивление с увеличением температуры не растет, как у металлов, а, наоборот, чрезвычайно резко уменьшается.
0 «Три вещи» для запоминания прямо сейчас Микроскопическое выражение для плотности тока Закон Ома в дифференциальной форме.
Полупроводники Зависимость сопротивления полупроводников от температуры Электронная и дырочная электропроводность Собственная и примесная проводимости.
Электрический ток в полупроводниках. Полупроводники- вещества, электрическая проводимость которых занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками.
Образовательный семинар для аспирантов и студентов, ИФМ РАН, 24 февраля 2011 Квантово-размерные эффекты и зарождение сверхпроводимости в гибридных структурах.
Полупроводники Учитель физики и информатики Малинин М.В.
Исследование характеристик высокотемпературного одноэлектронного транзистора на основе наноструктур с одиночной квантовой точкой Организация-исполнитель:
Электрофизические свойства полупроводников Лектор – профессор кафедры Электроника Абдуллаев Ахмед Маллаевич Кафедра находится в комнате 323. Лекция 1.
Сегодня: среда, 18 декабря 2013 г.. ТЕМА:Электрические переходы в Ме и в п/п 1. Контакт двух металлов 2. Электронно-дырочный переход 3. Вентильные свойства.
Светодиоды, полупроводниковые лазеры и гетеропереходы Выполнили студенты группы Саидов У.Ю. Лазерев А.
ГАДЖИЕВ А.Ш. СТУДЕНТ Г(О) БОУ СПО «ЛИПЕЦКИЙ МАШИНОСТРОИТЕЛЬНЫЙ КОЛЛЕДЖ» ГРУППЫ: МГ-15-1 ОТДЕЛЕНИЕ 4 НАУЧНЫЙ РУКОВОДИТЕЛЬ: ПРЕПОДАВАТЕЛЬ ФИЗИКИ ФУРЛОВА.
Кузнецов Георгий Фридрихович учитель физики МБОУ «Ижемская СОШ»
«Электрический ток в различных средах» Выполнили: Кирдеева Е.С. Пасик А.И., ученики 10 класса А МОУ СОШ 31 Г.Иркутска, 2010 год.
Лекция 3: Элементы зонной теории твердого тела Разрешённые и запрещённые по энергии зоны в кристаллах. Расщепление атомных уровней в зоны. Металлы, диэлектрики.
Полупроводниковыми или электропреобразовательными называются приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. K полупроводникам.
Транксрипт:

Квантовый транспорт и коллективные явления в двумерных электронных системах в гетероструктурах AlGaAs/GaAs и AlGaN/GaN, квантовых ямах CdHgTe/HgTe/CdHgTe и наноструктурах на их основе Организация Исполнитель: Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск пр.Лаврентьева, 13. Научный руководитель проекта: зав.лаб. д.ф.-м.н. Квон Зе Дон

Цель работы Экспериментальное исследование новых квантовых эффектов и коллективных явлений в двумерных электронных системах в гетероструктурах AlGaAs/GaAs и AlGaN/GaN, квантовых ямах CdHgTe/HgTe/GdHgTe и наноструктурах на их основе. Квантовый транспорт и коллективные явления в узких квантовых проволоках с и латеральных короткопериодных сверхрешетках Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe

Латтинжеровская жидкость в узких квантовых проволоках. На рисунке слева квантовая проволока без примеси. Ее полная проводимость квантована. Согласно современным теориям из-за взаимодействия между электронами они создают так называемую жидкость Латтинжера. Добавление одной примеси в такую жидкость должно приводить к разрушению квантования из-за фактического торможения такой электронной жидкости этой примесью. Экспериментальная проверка такого предсказания является одной из самых важных задач физики сильно коррелированных систем.

Регулярность и хаос в периодических нанорешетках Соизмеримые пики и h/e осцилляции – отражение регулярных электронных траекторий в такой решетке. Наряду с этим в них существуют и хаотические траектории, приводящие к флуктуационному поведению сопротивления.

Регулярность и хаос в периодических нанорешетках Соизмеримые пики магнитосопротивления и осцилляции Ааронова-Бома в решетке с периодом 200 нм

Металлы, диэлектрики и полуметаллы. При нулевой температуре в металле существует только один тип носителей заряда (либо электроны либо дырки), а в диэлектрике их концентрация равна нулю. Принципиальное отличительное свойство полуметалла – одновременное существование электронов и дырок.

Двумерный полуметалл в квантовой яме на основе теллурида ртути Энергетический спектр Структура с HgTe квантовой ямой До последнего времени экспериментально исследовались только двумерные металлы и диэлектрики и трехмерные полуметаллы. Недавно в ИФП СО РАН открыт двумерный полуметалл, существующий в квантовых ямах на основе бесщелевого полупроводника теллурида ртути (HgTe) благодаря особенностям размерного квантования его спектра. Это открытие позволит изучить целый ряд новых явлений, обусловленных взаимодействием равновесных электронов и дырок.

Результаты, ожидаемые в 2009 г. 1. Дальнейшее развитие электронной литографии и плазмохимического травления гетероструктур AlGaAs/GaAs с целью увеличения их разрешающей способности и изготовления на их основе сверхмалых квантовых интерферометров и нанорешеток. Создание технологии изготовления наноструктур на основе квантовых ям CdHgTe/HgTe/GdHgTe. 2. Будет установлена роль эффектов взаимодействия в поведении осцилляций Аронова-Бома малых кольцевых квантовых интерферометров. 3. Определение основные механизмов рассеяния в двумерном полуметалле в квантовых ямах на основе теллурида ртути. Наблюдение эффектов электронно- дырочного рассеяния. 4. Будет дан ответ на вопрос возможно ли существование перехода двумерный полуметалл – двумерный экситонный диэлектрик в квантовых ямах CdHgTe/HgTe/GdHgTe.