ВВЕДЕНИЕ

Эта установка соответствует уровню разработок пятилетней давности. Она способна производить литографию по полупроводниковым пластинам с размером элемента рисунка 50 нм и со скоростью 100 пластин (диаметром 300 мм) в час. При этом точность размеров рисунка составляет ±10 нм по всей пластине. В качестве сравнения: это соответствует ситуации, если бы за одну минуту(!) вся территория Нидерландов была покрыта рисунком с размером элемента 5 см с точностью ±1 см по всей площади рисунка (то есть, при формировании этого воображаемого рисунка от края и до края Голландии может «набежать ошибка» в 1 см!).

Основные задачи Программы: - обеспечение радиоэлектронных средств и систем, в первую очередь средств и систем, имеющих стратегическое значение для страны, российской электронной компонентной базой необходимого технического уровня; - разработка базовых промышленных технологий и конструкций радиоэлектронных компонентов и приборов; - техническое перевооружение организаций радиоэлектронной отрасли на основе передовых технологий; - создание научно-технического задела по перспективным технологиям и конструкциям электронных компонентов, унифицированных узлов и блоков радиоэлектронной аппаратуры для обеспечения российской продукции и стратегически значимых систем; - опережающее развитие вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования сложных электронных компонентов, аппаратуры и систем для достижения мирового уровня.