Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов» Раздел Программы: 1. Физика.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
1 Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект 46: «Создание светоизлучающих.
Advertisements

Программа Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект 35: «Исследование, разработка и изготовление двухцветного.
Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Раздел Программы:4. Диагностика.
Квантовый транспорт и коллективные явления в двумерных электронных системах в гетероструктурах AlGaAs/GaAs и AlGaN/GaN, квантовых ямах CdHgTe/HgTe/CdHgTe.
Исследование характеристик высокотемпературного одноэлектронного транзистора на основе наноструктур с одиночной квантовой точкой Организация-исполнитель:
Программа 27 Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов Проект Разработка научных основ получения наночастиц алюминия с.
Экспериментальная физика наноструктур Автор курса к.ф.м.н. Руднев И.А. Московский инженерно-физический институт (государственный университет) Кафедра сверхпроводимости.
Проект : Влияние размера нанокристаллов тетрафенил бората аммония на образование и свойства триплетных экситонных состояний Организация Исполнитель: Учреждение.
Российский фонд фундаментальных исследований РУБРИКАТОРЫ РФФИ ПО НАНОТЕХНОЛОГИЯМ Конкурс РФФИ по актуальным междисциплинарным темам – «офи_м»
ИФМ РАН Обменное усиление g-фактора в двумерном электронном газе ИФМ РАН Криштопенко С.С. Образовательный семинар аспирантов и студентов 11 ноября, ИФМ.
Лекция 3: Элементы зонной теории твердого тела Разрешённые и запрещённые по энергии зоны в кристаллах. Расщепление атомных уровней в зоны. Металлы, диэлектрики.
Московский Государственный Университет им. М.В. Ломоносова физический факультет Трушин Арсений Сергеевич Фотолюминесценция иттербия в полупроводниковых.
ИрГТУ Физико-Технический Институт Научные Отделы Лазерной физики и нанотехнологий Лазерной физики и нанотехнологий Информационно- измерительных систем.
1 Использование понятия «эффективная масса» в наноэлектронике Москалюк В.А., к.т.н. Федяй А.В. кафедра ФБМЭ НТУУ «КПИ» Национальный технический университет.
ФИЗИКИ Яков Ильич Френкель Гурьев Николай 7 класс.
Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект: «Развитие методов.
Проект 17: Алгоритмическое и программное обеспечение для моделирования деформации микроразрушенных и пористых сред на многопроцессорных вычислительных.
Кремний 2010 Н-Новгород, Июль 7-9 Зарождение островков Ge на структурированных подложках Si План: - Формирование пространственно-упорядоченных массивов.
Московский физико-технический институт Институт ядерных исследований РАН Выпускная квалификационная работа на степень бакалавра студента 881 группы Шкерина.
1 ИНСТИТУТ АВТОМАТИКИ И ЭЛЕКТРОМЕТРИИ СО РАН ИНСТИТУТ АВТОМАТИКИ И ЭЛЕКТРОМЕТРИИ СО РАН , г. Новосибирск, проспект Академика Коптюга, 1 тел. (383)
Транксрипт:

Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов» Раздел Программы: 1. Физика наноструктур и наноэлектроника Научное направление Программы: 1.3. Спинтроника. Проект: Релаксация спина экситонов в новом классе квантовых точек: InAs/AlGaAs квантовые точки первого рода с непрямой структурой зон в пространстве квазиимпульсов. Организация Исполнитель: Институт Физики полупроводников СО РАН , Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева 13 Научный руководитель проекта: в.н.с. д.ф.-м.н. Журавлев Константин Сергеевич тел. (383) факс: (383)

В рамках проекта планируется экспериментальное и теоретическое изучение электронной структуры и механизмов спиновой релаксации экситонов в новом классе InAs квантовых точек (КТ) в широкозонной матрице AlGaAs, имеющих непрямую структуру зон в квазиимпульсном пространстве. Цель работы:

Проект предусматривает решение следующих задач: 1. Разработку технологии формирования InAs/AlGaAs КТ методом капельной эпитаксии. 2. Определение энергетической структуры экситонов в одиночных КТ. 3. Исследование спиновой релаксации экситонов массивах КТ и в одиночных КТ.

Задел по проекту Изучена атомная и энергетическая структура квантовых ям (КЯ) и квантовых точек InAs, сформированных в матрице AlAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучено влияние после ростового отжига, на электронную структуру КТ InAs/AlAs. Выполнены расчеты энергетической структуры КЯ и КТ с учетом боковых минимумов зоны проводимости InAlAs, которые показывали, что и КЯ, и КТ имеют структуру зон первого рода. Основное электронное состояние КТ при уменьшении размера КТ переходит от прямой Г долины к боковой долине X XY зоны проводимости InAs. Таким образом, впервые показано, что в системе InAs/AlAs реализуется новый класс полупроводниковых КТ первого рода с непрямой в пространстве квазиимпульсов структурой зон.

Ожидаемые в 2009 году результаты Будет развита новая технология роста - капельная эпитаксия (droplet epitaxy) с помощью которой, будут синтезированы структуры c InAs КТ в матрицах AlGaAs различного состава, с формой, варьирующейся от «блинообразной» до близкой к сферической. Установлены условия получения КТ с различным размером и формой и плотностью (от 10 8 до см -2 ). Будет изучено влияние величины энергии локализации и формы на энергетический спектр КТ и тонкую структуру экситонных уровней.