1 Терагерцовая люминесценция при пробое мелких доноров в квантовых ямах. Студент: Чернышёв С.А. Группа: 3207

2 Цель работы: Исследование ТГц излучения в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, легированными мелкими донорами (Si), в условиях электрического пробоя примесных центров.

3 Источники терагерцевого излучения Источники ТГц излучения на основе переходов дырок между подзонами Ландау Источники ТГц излучения на основе квантово- каскадных структур Источники ТГц излучения на основе электрического пробоя мелких водородоподобных примесей в полупроводниках Источники ТГц излучения на основе электрического пробоя мелких водородоподобных примесей в квантово-размерных гетероструктурах

4 1. Генератор импульсов 2. Криостат с образцом 3. Интерферометр 4. Параболические зеркала 5. Кремниевый болометр Синхронный усилитель Схема установки.

5 Зависимость интегральной интенсивности ТГц сигнала и тока через структуру от напряженности электрического поля. Зависимость интегральной интенсивности ТГц сигнала через структуру от напряженности электрического поля. Зависимость тока через структуру от напряженности электрического поля.

6 Характерная интерферограмма ТГц излучения.

7 Спектр излучения, измеренный вблизи порога пробоя примеси.

8 Спектры ТГц электролюминесценции при разных напряжениях смещения. Т=5.5-7 К.

9 Выводы. обнаружено ТГц излучение в легированных квантовых ямах GaAs(Si)/AlGaAs. Установлено, что вблизи порога примесного пробоя в спектре ТГц излучения доминируют линии, соответствующие переходам горячих электронов из первой подзоны размерного квантования на основное состояние примеси. В спектре видны также линии переходов между локализованными уровнями энергии донора в квантовой яме. С возрастанием напряжения смещения в спектре появляются новые линии излучения, которые могут быть отнесены к переходам из резонансного состояния донора в квантовой яме 2Pz в локализованные состояния донора 1S и 2S.