Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко Радиофизический факультет Изготовление, свойства и применение пленок ITO Л.В.Ищук, доцент кафедры.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Протекание тока экстремально большой плотности в пленках кремния Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко Радиофизический факультет Л.В.Ищук,
Advertisements

1 Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект 46: «Создание светоизлучающих.
Светодиоды, полупроводниковые лазеры и гетеропереходы Выполнили студенты группы Саидов У.Ю. Лазерев А.
Диспергированные пленки Зависит от условий формирования пленки От размеров зерен, их ориентации, их расположения. При малых напряжениях – омический характер.
ОГРАНИЧИТЕЛИ МОЩНОСТИ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ПОЛИМЕТИНОВЫХ КРАСИТЕЛЕЙ БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ Кафедра лазерной.
Фотоэлементы и их применение © В.Е. Фрадкин 2004.
По дисциплине на тему: Способы обнаружения и измерение ионизирующих излучений. Основные дозиметрические величины. Выполнила Студентка 1 курса 1 группы.
Плазменные технологии Плазма. Образование плазмы Каждый атом состоит из положительно заряженного ядра, в котором сосредоточена почти вся масса атома, и.
Электрический ток в полупроводниках. Разные вещества имеют различные электрические свойства, по электрической проводимости их можно разделить на 3 основные.
Исследования проводимости различных материалов начались непосредственно в XIX веке сразу после открытия гальванического тока. Первоначально материалы делили.
ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ПОЛИМЕРА В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ И. Г. Каримов а, А. Н. Лачинов а, б, Э. Р. Жданов а а Башкирский государственный.
Алматы, 2015 Шонгалова Айгуль. 2 * Гетеропереходом называется контакт двух различных по химическому составу полупроводников. * Гетероструктурой называется.
pn + E pn + E АнодКатод Постоянная Больцмана Температура, град. K Заряд электрона Ток насыщения (тепловой ток) При комнатной температуре (300 град. K)
Исследование фононных спектров микро и нанокристаллов халькогенидов свинца Черевков С.А., студент группы 6353 Научный руководитель Баранов А.В., д.ф.-м.н.,
Дома:§120 1.Термистор.2.Фоторезистор. 3.Транзистор. Солнечная батарея. 4. Почему при изготовлении полупроводниковых материалов исключительное внимание.
Фотодиод Выполнила: студентка группы Степанова К.В.
Собственная и примесная проводимость полупроводников. Полупроводниковые приборы. Автор : Ирина Владимировна Бахтина, учитель физики МОУ « СОШ 3» г. Новый.
Выполнили: студенты ФТФ, гр Столяров Д. и Савостьянов А.
Электрофизические свойства проводниковых материалов Автор Останин Б.П. Эл. физ. свойства проводниковых материалов. Слайд 1. Всего 12 Конец слайда.
Лекционный курс «Физические основы измерений и эталоны» Раздел ИССЛЕДОВАНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПОТОКОВ ИЗЛУЧЕНИЙ Тема ИСТОЧНИКИ НЕКОГЕРЕНТНОГО ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО.
Транксрипт:

Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко Радиофизический факультет Изготовление, свойства и применение пленок ITO Л.В.Ищук, доцент кафедры электрофизики, канд. физ.-мат. наук

Что представляют собой пленки ITO? см -3 см 2 /В с Ом см Т = % R = 95…98 % ITO = indium-tin oxide = In 2 O 3 :Sn = In 2 O 3 (Sn) = In 2-x Sn x O 3-y

Применение пленок ITO Авиация, транспорт Прозрачные антиобледенительные покрытия Сельское хозяйство Отражающие ИК излучение и пропускающие видимую часть спектра покрытия для теплиц Газовые датчики CO, CO 2, H 2.

Защитные покрытия Пленки имеют высокую стойкость к истиранию, потому используются для защиты стеклянных и пластиковых поверхностей от механических повреждений. Космос Высокая электропроводность и прозрачность пленок позволяет выровнять потенциал на поверхности спутников (статический заряд может достигать 10кВ), не искажая показания оптических приборов.

Солнечные ячейки на гетеропереходах Преимущества по сравнению с ячейками на p-n переходе: 1. Более простое изготовление перехода из-за более низкой температуры его формирования. 2. Солнечное излучение попадает непосредственно в активную область ячейки практически без потерь. 3. Пленка служит одновременно и низкоомным контактом и окном в активную область. К.п.д. до 15%.

Прозрачные электроды для органических светоизлучающих диодов (OLED)

1. Эффективная инжекция носителей заряда из контактов в органическую пленку. 2. Перенос носителей заряда к центрам рекомбинации. 3. Рекомбинация носителей заряда. 4. Излучение кванта света. Возникновение излучения в OLED

Химические методы получения пленок ITO

Метод магнетронного распыления Торр

Влияние содержания кислорода в пленках ITO на их свойства - figure of merit, - поверхностное сопротивление пленки

Влияние содержания олова в пленках ITO на их свойства

Влияние температуры подложки на свойства пленок ITO

Нити индия в пленках ITO после нагревания их протекающим током Увеличение при фотографировании 3000:1. Поперечный размер нитей ~ 1 мкм. Состав пленки в указанных точках: 1 – 91%In:9%Sn; 2 – 99%In:1%Sn.

Форма пленки ITO для измерения поля Холла

см 2 /В с см -3 см 2 /В с см -3 Завимость поля Холла от магнитного поля Условие слабого магнитного поля см 2 /В с см -3

Расчет поля Холла в пленках ITO при наличии двух типов электронов : быстрых и медленных

Определение концентрации и подвижности быстрых и медленных электронов

Зависимость степени нелинейности поля Холла от содержания олова в пленках IТО

Эффект магнитосопротивления в пленках IТО при комнатной и азотной температурах

Выводы 1. Пленки ITO имеют широкое применение в науке, технике, хозяйстве вследствие своих уникальных свойств: высокая электропроводность, прозрачность в видимой части спектра и отражение в ИК области. 2. Для получения их существует много способов, каждый из которых имеет свои преимущества и недостатки. 3. Свойства пленок ITO сильно зависят от их состава и условий нанесения. 4. Пленки ITO представляют собой интересный объект для фундаментальных исследований вследствие своей слабоисследованности. Обнаружение в них двух типов носителей заряда и отрицательного магнитосопротивления при температуре жидкого гелия тому подтверждение.

Дякую за увагу !