Зонная диаграмма ОПЗ полупроводника. ОПЗ - приповерхностная область полупроводника, в которой под действием внешнего поля возникает заряд.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Презентация на тему: Состояния поверхности полупроводника Выполнили студенты группы Белов Кирилл и Бахарев Андрей.
Advertisements

Переходные характеристики МДП транзистора Разгуляев О. А.
Проходные и переходные характеристики МДП- транзистора Трифонова Н. Харлукова О. гр
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С МДП СТРУКТУРОЙ Выполнил: Волхов Е.В. Гр
Полевые транзисторы Мытарев А.В. Мытарев А.В. Яковлева Д.А. гр
МДП транзисторы Выполнил студент группы : Тетерюк И.В.
МДП транзисторы Стефанович Т.Г.
Полевые транзисторы со структурой МДП Выполнили: Водакова В.Ю Семаков Н.В гр
2. С управляющим p-n переходом 1. С изолированным затвором (МДП) 1.1. Со встроенным каналом 1.2. С индуцированным каналом Полевые транзисторы Полевые транзисторы-
Доклад на тему Полевые транзисторыПолевые транзисторы Выполнил: студент 3-го курса ФТФ гр Крюков Дмитрий Сергеевич.
Устройство полевого транзистора Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей,
Лекция 6. Кинетические явления в полупроводниках Применимость зонной теории в слабых электрических полях. Приближение эффективной массы. Блоховские колебания.
Сегодня: среда, 18 декабря 2013 г.. ТЕМА:Электрические переходы в Ме и в п/п 1. Контакт двух металлов 2. Электронно-дырочный переход 3. Вентильные свойства.
Электронно-дырочный переход Принципы действия большинства полупроводниковых приборов основаны на явлениях и процессах, возникающих на границе p- и n- областей.
Типы полевых транзисторов 1. с изолированным затвором - МДП - транзисторы - МНОП – элементы памяти - МДП – транзисторы с плавающим затвором - Приборы.
Электрофизические свойства полупроводников Лектор – профессор кафедры Электроника Абдуллаев Ахмед Маллаевич Кафедра находится в комнате 323. Лекция 1.
Полевые транзисторы со структурой МДП Кузнецов М.Д. Мосендз А.В. гр
МДП транзисторы. МДП транзистор Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении.
Фотодиод Выполнила: студентка группы Степанова К.В.
Лекция 10. P-n переходы. Способы создания p-n переходов. Энергетическая диаграмма p-n перехода. Симметричные и несимметричные p-n переходы. Вольт-амперные.
Транксрипт:

Зонная диаграмма ОПЗ полупроводника

ОПЗ - приповерхностная область полупроводника, в которой под действием внешнего поля возникает заряд.

Состояния поверхности полупроводника Обогащение Обеднение Слабая инверсия Сильная инверсия

ОбогащениеОбеднение Слабая инверсияСильная инверсия n-тип

p-тип

Обогащение состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация основных носителей больше, чем концентрация основных носителей в нейтральном объеме назад

Обеднение состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей меньше, чем концентрация основных носителей в квазинейтральном объеме, но больше, чем поверхностная концентрация неосновных носителей назад

Слабая инверсия состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей больше, чем поверхностная концентрация основных, но меньше, чем концентрация основных носителей в квазинейтральном объеме назад

Сильная инверсия состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей больше, чем концентрация основных носителей в квазинейтральном объеме назад