Протекание тока экстремально большой плотности в пленках кремния Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко Радиофизический факультет Л.В.Ищук,

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко Радиофизический факультет Изготовление, свойства и применение пленок ITO Л.В.Ищук, доцент кафедры.
Advertisements

Электрофизические свойства полупроводников Лектор – профессор кафедры Электроника Абдуллаев Ахмед Маллаевич Кафедра находится в комнате 323. Лекция 1.
Полупроводниковыми или электропреобразовательными называются приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. K полупроводникам.
Фотоприемники: фотосопротивления, фотодиоды, фототранзисторы Зелемоткин А.В.
Управление электрическими свойствами ферромагнитной жидкости магнитным полем Выполнил: Турсунов Сергей, учащи й ся 1 0 класса лицея 8: «Олимпия» Научный.
Основные физические процессы в биполярных транзисторах.
Сегодня: среда, 18 декабря 2013 г.. ТЕМА:Электрические переходы в Ме и в п/п 1. Контакт двух металлов 2. Электронно-дырочный переход 3. Вентильные свойства.
Виды пробоев в Электронно- дырочном переходе. Электронно-дырочный переход Граница между двумя соседними областями полупроводника, одна из которых обладает.
Расчет электрических характеристик структур на основе высокоомного GaAs:Cr,Sn Студент 703 группы Суранов Я. С. Руководитель работы – старший преподаватель.
Фотодиод Выполнила: студентка группы Степанова К.В.
Автор: Кутявина Елена 11 класс. РЕНТГЕНОВСКИЕ ЛУЧИ – электромагнитное излучение с длинами волн 10 –4 – 10 А (10 –5 – 1 нм). В 1895 немецкий физик Рентген,
Полупроводники Подготовила Студентка 2-ого курса Морозова Екатерина МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ.
«Методы и технологии формирования межфазных границ и наноструктурных неметаллических полифункциональных покрытий»
Электропроводность полупроводников и её виды. Собственная и примесная проводимость полупроводников Цель урока: углубить представления о строении вещества;
Лекция 6. Кинетические явления в полупроводниках Применимость зонной теории в слабых электрических полях. Приближение эффективной массы. Блоховские колебания.
Компьютерная электроника Лекция 8. Устройство биполярного транзистора.
Описание, основные характеристики и принцип работы.
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УДК Выпускная работа по Основам информационных технологий Магистрант кафедры физики полупроводников и наноэлектроники.
И солнечные батареи ПРЕЗЕНТАЦИЮ ПОДГОТОВИЛИ СТУДЕНТЫ 3-ЕГО КУРСА ГРУППЫ ЗУБЕНКО А.А. и ПОЯРКОВ Р.А.
ФОТОПРИЁМНИКИ И СОЛНЕЧНЫЕ БАТАРЕИ. Фотодио́д приёмник оптического излучения, который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический.
Транксрипт:

Протекание тока экстремально большой плотности в пленках кремния Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко Радиофизический факультет Л.В.Ищук, доцент, канд. физ.-мат. наук С.П.Павлюк, зав. лаб., канд. физ.-мат. наук

d Si = 0.4 m = 1400 cm 2 /V s d ox = 1 m n = cm -3 d sub = 400 m a, m w, m КНИ структура для ислледования в режиме генератора постоянного тока

ВАХ и ЛАХ КНИ структуры

ВАХ КНИ структуры при увеличении ( ) и уменьшении ( ) тока

ВАХ и ЛАХ КНИ структуры

Фотографии свечения КНИ структуры 100 мкм х 100 мкм

Возникновение устойчивого автосолитона

d Si = 0.4 ma = 25 m d ox = 1 m w = 4 m d sub = 400 m КНИ структура для ислледования в режиме генератора импульсов напряжения

Осциллограммы тока при питании КНИ структуры импульсами напряжения прямоугольной формы

ВАХ КНИ структуры в режиме генератора импульсов напряжения

Перераспределение электронно-дырочной плазмы b-дрейфом Плотности токов электронов и дырок: При условии где- плотность тока, протекающего в образце; - коэфициент амбиполярной диффузии.

Уравнение сохранения дырок: - термодинамически равновесная концентрация дырок; - время жизни электронно-дырочных пар. где диффузия реком- бинация германий кремний

Выводы 1. В пленках КНИ при питании их постоянным током обнаружено возникновение свечения в виде регулярно расположенных красных пятен. Предложено качественное объяснение эффекта самоорганизацией электронно-дырочной плазмы - возникновением термодиффузионных автосолитонов. 2. При питании КНИ структур прямоугольными импульсами напряжения наблюдались мощные осцилляции тока. Предложен механизм возникновения осцилляций. Показано, что они возникают вследствие совместного действия двух конкурирующих процессов: термической генерации электронно-дырочных пар при возрастании тока и уменьшением концентрации пар b-дрейфом при его уменьшении.

Дякую за увагу !