Области применения: Физика твердого тела Микроэлектроника Оптика Тонкопленочные технологии Нанотехнологии Полупроводниковые технологии Микро- и нанотрибология.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий ОЖЕ МИКРОАНАЛИЗАТОР JAMP – 9500 F Образец до травления Образец после.
Advertisements

Формирование и исследование наноразмерных объектов с помощью экспериментальных методик развитых в НИИЯФ МГУ Автор: Черн ых Павел Николаевич..
Программа Президиума РАН Отделение нанотехнологий и информационных технологий Проект 27.4 «Физические основы электронно-пучковой наноструктуризации металлов.
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий СКАНИРУЮЩИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП JSM-6390LV Скан образца строительного.
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий Сканирующий зондовый микроскоп NanoEducator (СЗМ) Контактная литография.
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий Сканирующий высоковакуумный зондовый микроскоп атомарного разрешения.
Сканирующая электронная микроскопия. Растровый электронный микроскоп прибор, предназначенный для получения изображения поверхности объекта с высоким (до.
1 Основные направления деятельности 1.Наномодифицированные полимерные композиционные материалы. 2. Защитные наноструктурированные покрытия нового поколения.
Нобелевская премия по физике,1986 г.. Физика поверхностных явлений в настоящее время является одним из наиболее интенсивно развивающихся разделов науки.
Лекционный курс «Физические основы измерений» Раздел МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ Тема СКАНИРУЮЩИЕ (растровые) МИКРОСКОПЫ (2)
СТРУКТУРА, ФАЗОВЫЙ СОСТАВ И МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДОГО СПЛАВА Т 15 К 6, ОБЛУЧЕННОГО СИЛЬНОТОЧНЫМИ ЭЛЕКТРОННЫМИ ПУЧКАМИ Научный руководитель профессор.
СВЕРХБЫСТРЫЕ СЦИНТИЛЛЯТОРЫ Петербургский институт ядерной физики Ю.И. Гусев, С.В. Косьяненко, Д.М. Селиверстов, В.М. Суворов СПбГПУ ОАО «Инкром» 29 декабря.
Применение зондовой микроскопии в нанотехнологиях Казанский физико-технический институт им. Е.К.Завойского Казанского научного центра РАН лаборатория физики.
Синхротронное излучение в диагностике наносистем 4-й курс 8-й семестр 2007/2008 Лекция 3.
Основы нанотехнологий. Актуальность обучения школьников диктуется необходимостью создания современной инфраструктуры национальной нанотехнологической.
Подготовил ученик 10 класса Мельник Валерий. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК ПРОВОДЯТ ТВЕРДЫЕ, ЖИДКИЕ И ГАЗООБРАЗНЫЕ ТЕЛА. ПЕРЕДАЧУ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ ОТ ИСТОЧНИКОВ ТОКА.
Министерство образования и науки Российской Федерации Калужский филиал федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального.
Методы сканирующей зондовой микроскопии Мунавиров Б.В., Физический факультет, КГУ.
Российский научный центр «Курчатовский институт» Приборы для детектирования и измерения характеристик наночастиц содержащихся в воздухе, воде, биологической.
Транксрипт:

Области применения: Физика твердого тела Микроэлектроника Оптика Тонкопленочные технологии Нанотехнологии Полупроводниковые технологии Микро- и нанотрибология Анализ поверхностей Полимеры и композиты Биологические клетки, мембраны Мультифункциональный сканирующий зондовый микроскоп NТ-206

Области применения: Кислотно-основное титрование Окислительно-восстановительное титрование Титрование по методу Карла Фишера Прямое измерение рН, концентрации ионов и УЭП рН-статирование Вольтамперометрическое титрование Автоматический титратор Т50 Mettler-Toledo

Растровый электронный микроскоп JEOL JSM-7500F Данный прибор уникален тем, что даже при низком ускоряющем напряжении он обеспечивает сверхвысокое разрешение (1,4нм при 1кВ). Это делает JSM-7500F прекрасным инструментом для анализа трековых мембран, текстуры наноструктурных объектов, особенно тех, которые чувствительны к воздействию электронных пучков.

Технические характеристики спектральная область измерений:200–1200 нм; временное разрешение: 7 нс; температурный диапазон измерений:12,5–700 К; временной диапазон измерений: 10 –8 – 10 4 с; максимальная энергия возбуждающих электронов: 400 кэВ, длительность импульса тока электронов: 2–10 нс; диапазон возможных плотностей тока пучка электронов: 0,001– 1000 А/см 2. Установка импульсной спектрометрии