Ф ЛЭШ - ПАМЯТЬ Сделала: студентка группы 2-1П Капитонова Н.И. Преподаватель: Смирнова И.В..

1. Определение; 2. Принцип действия; 3. Характеристики; 4. Файловые системы; 5. Применение; 6. Разновидности; 7. Выводы.

О ПРЕДЕЛЕНИЕ : Флэш-память - это разновидность твердотельной полупроводниковой перезаписываемой энергонезависимой памяти (ПППЗУ).

П РИНЦИП ДЕЙСТВИЯ : Флэш-память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками. Транзистор, в свою очередь, состоит из полупроводниковой подложки, в которой выделено две области, имеющие противоположный по сравнению с ней тип проводимости, с подведенными к ним электродами (стоком и истоком), а также двух металлических затворов, плавающего и управляющего, отделенных от подложки и друг от друга тонким слоем диэлектрика.

П РИНЦИП ДЕЙСТВИЯ : Для протекания тока между стоком и истоком в подложке необходим канал для носителей заряда. Осуществляется данная операция при помощи подачи напряжения на управляющий затвор – возникающее при этом электрическое поле и создает в подложке тот самый канал. Плавающий же затвор может «мешать» управляющему выполнять свою работу – то есть, грубо говоря, «перебарывать» его поле своим, не позволяя возникнуть каналу. Происходит подобная «блокировка» в том случае, если на плавающий затвор предварительно помещен заряд – собственно, к этой самой «зарядке», а также соответствующей «разрядке» и сводятся операции записи и стирания ячейки флэш-памяти.

Х АРАКТЕРИСТИКИ : Измеряется от килобайт до нескольких гигабайт; Скорость некоторых устройств с флэш-памятью может доходить до 100 Мб/с (скорость зависит от версии USB).

Ф АЙЛОВЫЕ СИСТЕМЫ : Основное слабое место флэш-памяти – количество циклов перезаписи (записывать на флешку можно бесконечное количество раз, а удалять только раз).

П РИМЕНЕНИЕ : Флэш-память наиболее известна применением в USB-носителях. В основном применяется тип памяти NAND, которая подключается через USB.

NAND: Это тип логических элементов, используемых в данной единице флэш-памяти. Обозначает логический элемент И-НЕ (NOT AND). В основе этой структуры лежит принцип последовательного соединения элементарных ячеек, образующих группы (в одной группе 16 ячеек), которые объединяются в страницы, а страницы – в блоки. При таком построении массива памяти обращение к отдельным ячейкам невозможно. Программирование выполняется одновременно только в пределах одной страницы, а при стирании обращение производится к блокам или к группам блоков.

Р АЗНОВИДНОСТИ ФЛЭШ - ПАМЯТИ

Р АЗНОВИДНОСТИ ФЛЭШ - ПАМЯТИ : 1. SD (Secure Digital) – разработчиками являются компании SanDisk, Panasonic, Toshiba. Размер: 32x24x2,1 мм. Особенность: шифрование данных. 2. Compact Flash – разработчиком является компания SanDisk. Размер: 42,8x36,4x3,3 мм. 3. MMC (MultiMedia Card) – разработчиками являются компании SanDisk и Siemens. Размер: 32x24x1,4 мм.

Р АЗНОВИДНОСТИ ФЛЭШ - ПАМЯТИ : 4. RS-MMC (Reduced Size MMC) – разработчиками являются компании SanDisk и Siemens. Размер: 24x18x1,4 мм. 5. Micro (Mini) SD – имеют минимальный размер. Размер: 21x20x1,8 мм – Mini; 11x15x1 мм – Micro. 6. Memory Stick – разработчиком является компания Sony. Особенность: защита информации. Размер: 50x21,5x2,8 мм.

Р АЗНОВИДНОСТИ ФЛЭШ - ПАМЯТИ : 7. Memory Stick Duo – разработчиком является компания Memory Stick. Размер: 31x20x1,6 мм. 8. Smart Media – разработчиком является компания Toshiba. Размер: 45,1x37x0,76 мм. 9. xDePicture (Extreme Digital) – разработчиками являются компании Fujifilm и Olympus. Размеры: 25x20x1,7 мм.

В ЫВОД : Флэш-память – это удобно и дешево.